专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器-CN201410567302.7有效
  • 汪欢文;高扬华;陆海良;郁钢;单宇翔 - 浙江中烟工业有限责任公司
  • 2014-10-22 - 2015-02-04 - H01P1/212
  • 本发明涉及一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器,该滤波器包括介质板、导带、互补矩形开口缺陷微带结构、开路枝节、脊线、接地板和哑铃缺陷地结构,互补矩形开口缺陷微带结构包括第一互补矩形开口缺陷微带结构和第二互补矩形开口缺陷微带结构,第一互补矩形开口缺陷微带结构和第二互补矩形开口缺陷微带结构分别设置在导带的两侧,每个互补矩形开口缺陷微带结构由两个开口方向相反的内侧环缝隙和外侧环缝隙构成;开路枝节包括第一开路枝节、第二开路枝节和第三开路枝节,脊线包括第一脊线和第二脊线,哑铃缺陷地结构包括第一哑铃缺陷地结构和第二哑铃缺陷地结构,本发明改善了阻带宽度,通带内的损耗低。
  • 一种具有陡峭过渡改善滤波器
  • [发明专利]一种滚动轴承外圈缺陷二维量化诊断方法-CN201810956890.1有效
  • 崔玲丽;黄金凤;张飞斌;王华庆 - 北京工业大学
  • 2018-08-21 - 2020-03-13 - G01M13/04
  • 本发明公开了一种滚动轴承外圈缺陷二维量化诊断方法,该方法根据信号波形特征将故障冲击振荡类型划分为Class 1和Class 2。对于Class 1外圈缺陷,则首先基于提出的Class 1外圈缺陷周向尺寸计算公式量化诊断出缺陷周向尺寸。由提出的Class 1外圈缺陷中心位置尺寸计算公式完成Class 1外圈缺陷的二维量化诊断。对于Class 2外圈缺陷,则首先基于提出的Class 2外圈缺陷周向尺寸计算公式量化诊断出缺陷周向尺寸。再分别计算出外圈缺陷左、右边缘的σvh值,最后由提出的Class 2外圈缺陷中心位置尺寸计算公式诊断出外圈缺陷中心位置尺寸,完成Class 2外圈缺陷的二维量化诊断
  • 一种滚动轴承外圈缺陷二维量化诊断方法
  • [发明专利]工件表面缺陷数字孪生精准修设备及修方法-CN202310050029.X在审
  • 赵永胜;马锡盟;马旭辉;陈建洲 - 北京工业大学
  • 2023-02-01 - 2023-06-09 - B25J9/16
  • 本发明涉及一种工件表面缺陷数字孪生精准修设备及修方法,包括:工件表面缺陷获取装置,被配置为获取工件表面缺陷;数字孪生系统,被配置为识别并定位工件表面缺陷,并在虚拟场景下规划工件修轨迹;控制器,被配置为按照所述数字孪生系统规划完成的工件修轨迹进行修过程控制;修工作装置,被配置为经所述控制器基于规划完成的工件修轨迹控制完成工件表面缺陷。本发明能够将机器学习技术、数字孪生技术与工件缺陷识别及处理技术等深度融合,形成具有自识别、自感知、自决策、自执行与自学习的工件表面缺陷数字孪生精准修过程,可精准识别定位工件表面缺陷并进行缺陷处理。
  • 工件表面缺陷数字孪生精准设备方法
  • [实用新型]一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器-CN201420614193.5有效
  • 汪欢文;高扬华;陆海良;郁钢;单宇翔 - 浙江中烟工业有限责任公司
  • 2014-10-22 - 2015-03-11 - H01P1/212
  • 本实用新型涉及一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器,该滤波器包括介质板、导带、互补矩形开口缺陷微带结构、开路枝节、脊线、接地板和哑铃缺陷地结构,导带设置在介质板的正面,接地板设置在介质板的背面;互补矩形开口缺陷微带结构包括第一互补矩形开口缺陷微带结构和第二互补矩形开口缺陷微带结构,第一互补矩形开口缺陷微带结构和第二互补矩形开口缺陷微带结构分别设置在导带的两侧,开路枝节包括第一开路枝节、第二开路枝节和第三开路枝节;脊线包括第一脊线和第二脊线;哑铃缺陷地结构包括第一哑铃缺陷地结构和第二哑铃缺陷地结构
  • 一种具有陡峭过渡改善滤波器
  • [发明专利]一种高可靠性的氮化物发光二极管及其制备方法-CN201910055991.6有效
  • 顾伟 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2019-01-22 - 2021-10-01 - H01L33/02
  • 本发明公开了一种高可靠性的氮化物发光二极管及其制备方法,包括衬底,以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n氮化物层、具有v缺陷的有源层、AlN量子点和p氮化物层;其中:所述AlN量子点位于所述具有v缺陷的有源层和所述p氮化物层之间,所述AlN量子点至少沉积在所述具有v缺陷的有源层的v缺陷斜面的端点,且不沉积在所述具有v缺陷的有源层的非v缺陷平面。本发明的优点在于:通过在有源层的v缺陷上沉积AlN量子点,阻挡v缺陷造成发光二极管的漏电通道,提高氮化物发光二极管器件的可靠性。
  • 一种可靠性氮化物发光二极管及其制备方法
  • [实用新型]基于螺旋缺陷地结构的小型化双频带带通微波滤波器-CN201420701910.8有效
  • 肖谧;孙国亮 - 天津大学
  • 2014-11-20 - 2015-03-04 - H01P1/203
  • 一种基于螺旋缺陷地结构的小型化双频带带通微波滤波器,包括有基板和覆盖在接地板上的介质层,所述的接地板上形成有对称设置或同向设置的Z缺陷地,所述的介质层上还设置有T微带线,所述的T微带线与所述的Z缺陷地为对应且相耦合的设置所述的接地板上的Z缺陷地为双螺旋缺陷地结构,所述的双螺旋缺陷地结构是所述Z缺陷地两端的支路分别延长构成螺旋结构。所述的T微带线位于Z缺陷地的正上方,所述的Z缺陷地与所述的T微带线具有相同的对称中心。本实用新型实现了两种不同类型双频带带通滤波器具有良好的选择性,较宽的带宽以及通带衰减小等性能,有效解决了传统双频带带通滤波器制作尺寸大,成本高的缺陷
  • 基于螺旋缺陷结构小型化双频带带通微波滤波器
  • [发明专利]一种缺陷图像生成方法、装置及存储介质-CN202211731286.1在审
  • 许枫;杨达坤;杜杨洲 - 联想(北京)有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-14 - G06T11/00
  • 本申请公开了一种缺陷图像生成方法、装置及存储介质。该方法包括:识别第一图像中的目标主体,确定第一目标主体;确定第一目标主体上拟生成第一类缺陷的目标区域;通过第一缺陷生成模型,基于缺陷超曲面在目标区域中生成第一类缺陷,得到具有不同第一类缺陷的至少一张第二图像;其中,缺陷超曲面是根据第一缺陷生成模型的模型参数确定的用于表征第一类缺陷图像特征的向量,不同的缺陷超曲面对应不同的第一类缺陷;第二图像用于训练缺陷检测模型,缺陷检测模型用于对目标主体进行缺陷检测。如此,就可根据训练需要,在主体的指定区域生成指定类型的缺陷,得到与真实样本分布更接近的大量缺陷图像。
  • 一种缺陷图像生成方法装置存储介质

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