“结晶手段”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果218571个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种风冷结晶装置-CN202122620621.8有效
发明人：陆泳凯;陶树宝 -专利权人：江苏联慧资源环境科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种风冷结晶装置，尤其涉及对现有风冷结晶装置的改进，属于化工生产应用领域。通过设置导流管将风冷塔排出液直接引入结晶罐下部，结合结晶罐上液面与大气相通的技术手段，以及进结晶罐流体的上液面高于结晶罐上液面的技术手段，使结晶罐上液面成为整个结晶罐流体压力最低的等压面，其技术作用是：进入结晶罐的过饱和溶液从结晶罐下部上升至结晶罐上液面后排出结晶罐，且由于结晶罐上液面是低压的等压面，溶液的升流是沿整个结晶罐水平截面均布的，解决了现有技术由于结晶罐内流体短路、偏流问题所导致的结晶停留时间短、结晶效果差，以及风冷系统结晶的堵塞磨损问题。
一种风冷结晶装置

[发明专利]单晶硅的制造系统及使用该系统的单晶硅的制造方法-CN200780024275.7无效
发明人：饭田诚;三田村伸晃;柳町隆弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2007-05-28 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的制造系统，是为了使通过采用切克劳斯基法(CZ法)的提拉装置制造出来的单晶硅的结晶品质在目标规格内，设计出将提拉速度F与结晶固液界面轴方向温度梯度G的值，控制在规定范围内的制造条件的制造系统，至少具备以下自动化的手段：手段1，根据前一批制造出来的单晶硅的结晶品质结果，暂时设计下一批要制造的单晶硅的制造条件；手段2，根据起因于在下一批所使用的提拉装置的组成构件而造成的F与/或G的变化量，来算出修正量；手段3，根据起因于下一批的制造步骤而造成的F及/或G的变化量，来算出修正量；以及手段4，将依据手段2及/或上述手段3所算出的修正量，加入由手段1所设计的制造条件中，来算出下一批的制造条件。借此，可以提供一种单晶硅的制造系统及使用此制造系统之单晶硅的制造方法，能够更确实地得到具有所希望的结晶品质的单晶硅，并提高生产性和良率等。
单晶硅制造系统使用方法

[发明专利]利用离子液体的有机材料提纯方法及提纯装置-CN201380066488.1无效
发明人：金太源;李宗澔;朴在喆 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： B01D7/00 文献下载
摘要：本发明是在真空气氛中利用离子液体提纯OLED有机材料的装置，其包含：将含有杂质的OLED有机材料升华的升华手段；扩散的有机材料的升华气体溶解在离子液体使有机材料过饱和，由此将有机材料再结晶化的再结晶化手段本发明是即使升华微量的有机材料，在离子液体可以确认再结晶化，因此具有以微量的有机材料易于确认有机材料的提纯可能性的优点。
利用离子液体有机材料提纯方法装置

[发明专利]成形装置-CN200780049550.0无效
发明人：永田浩;新垣良宪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： B22F3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种成形装置，其可通过使磁场中具有更相等结晶方位关系的合金原料粉末的结晶断面彼此吻合，成形具有极高定向性的成形体。该成形装置(1)具有：模腔(22)，其填充磁场或电场中极化的粉末；磁场或电场发生手段(4)，其可对填充在该模腔内的粉末外加磁场或电场；搅拌手段(54)，其在用磁场或电场发生手段外加了磁场或电场的状态下通过搅拌粉末使之定向；加压手段(31)、(32)，其通过对搅拌及定向后的工件在磁场或电场中外加压力使之成形。
成形装置

[发明专利]一种苯甲酸薄荷酯真空结晶提纯工艺-CN202310361355.2在审
发明人：张其忠;杨品;顾世江;周英;鲁学锐;张贵;韩辉 -专利权人：安徽海华科技集团有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C07C67/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯甲酸薄荷酯真空结晶提纯工艺，包括以下步骤：S100、进料；S200、降温；S300、离心，其中步骤S200降温中的参数控制过程具体包括结晶温度范围、真空度、甲醇回流量、回流甲醇温度、冷凝器介质、温度反弹时间、二段缓降温手段及多段降温手段及苯甲酸薄荷酯原料的纯度控制。本发明通过真空吸收甲醇回流的快速降温方式，经过精确温度控制，在结晶前使体系进入过饱和结晶与溶解饱和平衡的结晶暂稳态，并经过二段缓降温阶段和多段降温阶段，使体系逐步进入过饱和溶液状态；由于饱和‑过饱和‑结晶状态的精确控制，使杂质无法结晶，从而达到深度提纯的效果，得到高纯度结晶产品。
一种苯甲酸薄荷真空结晶提纯工艺

[发明专利]阿普斯特与烟酰胺的共结晶及其制备方法和应用-CN201711093636.5在审
发明人：梅雪锋;王逢源;张奇;王建荣 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C07D209/48 文献下载
摘要：本发明涉及阿普斯特与烟酰胺的共结晶及其制备方法。运用X‑射线粉末衍射分析、热失重分析、差示扫描量热分析等手段对共结晶进行了全面表征，发现该共结晶较阿普斯特具有更加优良的物理化学和成药性能。该阿普斯特与烟酰胺的共结晶的制备方法简单，容易控制，重现性好，可以稳定获得阿普斯特与烟酰胺的共结晶。
阿普斯特烟酰胺结晶及其制备方法应用

[发明专利]一种头孢氨苄连续结晶方法-CN202010814839.4有效
发明人：侯宝红;尚泽仁;张军立;李鸣晨;龚俊波;段志钢;吴送姑;胡卫国;李中华;王新辉;臧飞;张玮 -专利权人：天津大学;华北制药股份有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C07D501/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种头孢氨苄连续结晶方法，适用于结晶釜级数为2或3级的分别称为初级、中间级、末级结晶釜的串联操作，至少包括初级和末级结晶釜，实现连续结晶工艺过程；二级连续结晶操作时，包括初级结晶、末级结晶，晶浆从初级结晶釜连续排出，进入末级结晶釜；三级连续结晶操作时，包括初级结晶、中间级结晶、末级结晶，晶浆从初级结晶釜连续排出，进入中间级结晶釜，晶浆再从中间级结晶釜连续排出，进入末级结晶釜。末级结晶釜排出的部分晶浆返回进入初级结晶釜，实现了结晶体系高悬浮密度、低过饱和度运行，加上细晶消除等手段，改善头孢氨苄产品长径比等晶体形态学特性，提高流动性和堆密度，产品质量稳定且一致性好，制备效率高。
一种头孢连续结晶方法

[发明专利]杂环酰胺化合物的结晶及其制造方法-CN202080020669.0在审
发明人：中屋洁彦;伊与部阳子;小室敬济 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明的课题是杂环酰胺化合物的结晶及其制造方法。解决手段是阐明了式(1)所示的、作为具有作为除草剂有用的活性的化合物的杂环酰胺化合物具有新的结晶。
杂环酰胺化合物结晶及其制造方法

[发明专利]氢化镁在制备防治肾结晶结石病的药物中的应用-CN202110195051.4在审
发明人：卢宏涛;孙学军;程劲;郭志勇;邹建新;康志敏 -专利权人：中国人民解放军海军军医大学
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： A61K33/06 文献下载
摘要：本发明提供了氢化镁在制备防治肾结晶结石病的药物中的应用，所述的药物是以氢化镁作为唯一活性成份，或者包含氢化镁的药物组合物。本发明首次披露氢化镁在制备防治肾结晶结石病的药物中的应用，氢化镁作为全新的治疗手段在结晶肾损伤中的应用潜力巨大，对其疗效评价的研究具有重要意义和广泛的临床应用前景。
氢化制备防治结晶结石病药物中的应用

[发明专利]多结晶稀土类过渡金属合金粉末及其制造方法-CN201910899604.7有效
发明人：尚石川 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B22F1/052 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种能够稳定地实现均匀的物性的多结晶稀土类过渡金属合金粉末及其制造方法。本发明的解决手段是提供一种合金粉末，其是包含由含有稀土类元素和过渡金属元素的金属间化合物构成的复数个多结晶粒子的多结晶稀土类过渡金属合金粉末，其中，所述多结晶粒子中，以个数为基准计，构成该多结晶粒子的晶粒中的等面积圆当量直径在1μm以下的晶粒的比例为60％以上，所述多结晶稀土类过渡金属合金粉末的平均粒径为50μm以下。
结晶稀土过渡金属合金粉末及其制造方法

[发明专利]一种内成核快速结晶聚乳酸树脂及其制备方法-CN202310839837.4在审
发明人：刘鑫;杨涛;余莉花 -专利权人：普立思生物科技有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种内成核快速结晶聚乳酸树脂及其制备方法；所述内成核快速结晶聚乳酸树脂的制备成分按重量份计包括：聚L‑乳酸90～99.5份；高熔点乳酸类聚合物0.5～10份；所述高熔点乳酸类聚合物由多个基础单元聚合而成imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />所述基础单元由99～100％molL‑乳酸单元和0～1％molD‑乳酸单元构成；所述的内成核快速结晶聚乳酸树脂能够采用挤出注塑手段或密炼手段制备而成
一种成核快速结晶乳酸树脂及其制备方法

[发明专利]一种高速挤压镁合金的方法-CN201811354493.3有效
发明人：吕滨江;郭峰;逄玉红;徐洋;孙明雪;车清论;崔宁;王进 -专利权人：青岛理工大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C22C23/04 文献下载
摘要：所述方法包括：1)通过微合金化手段设计快速挤压镁合金成分范围，铸造铸、均匀化退火，2)通过热压缩模拟试验研究步骤3)中退火后的镁合金在不同变形温度和应变速率下的热变形行为，观察显微组织，筛选能够在低变形温度和高应变速率下发生孪生动态再结晶的镁合金成分；3)根据热压缩模拟试验计算镁合金发生孪生动态再结晶的临界应变，在镁合金挤压至临界应变前的阶段进行快/高速压缩墩粗变形，达到临界应变后继续挤压变形。本发明通过微合金化手段，利用孪生动态再结晶机制建立了制定可快速挤压镁合金的方法，对镁合金快速挤压变形工艺的开发具有重要的指导意义。
镁合金临界应变动态再结晶挤压镁合金高速挤压挤压变形微合金化热压缩变形动态再结晶机制模拟试验研究退火均匀化退火热变形行为热挤压加工温度和应变墩粗变形模拟试验显微组织高应变挤压铸造筛选压缩观察制定开发

[发明专利]绝缘电线、线圈及其制造方法-CN202010406115.6有效
发明人：藤户启辅;秦昌平;黑田洋光;辻隆之 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种在对用于成形线圈的绝缘电线进行加工时，不使构成导体的铜材料发生再结晶而使增大的导体电阻值降低的技术。解决手段为：一种绝缘电线，其具有由铜材料构成的导体和设置在上述导体外周的绝缘层，对于上述导体，在通过横截面的X射线衍射求出的取向强度比中，结晶方位[200]的强度大于结晶方位[111]的强度。
绝缘电线线圈及其制造方法

[实用新型]一种自动化硫酸铜蚀刻液充分结晶系统-CN202320048074.7有效
发明人：邓海 -专利权人：东莞东元环境科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动化硫酸铜蚀刻液充分结晶系统，包括：第一冷却结晶模块，用于对硫酸铜蚀刻液进行第一次降温处理；第二冷却结晶模块，用于对硫酸铜蚀刻液进行第二次降温处理，使硫酸铜蚀刻液温度降至结晶温度，并配合搅拌方式使硫酸铜蚀刻液快速均匀的结晶；收料模块，用于收集硫酸铜晶体；供料、供冷循环模块，用于为第一冷却结晶模块、第二冷却结晶模块提供硫酸铜蚀刻液、冷却水，并通过各管路实现模块间的连通与资源的回流再利用，本实用新型大幅提升结晶效率与硫酸铜的回收利用率，实现完全的自动化结晶流程，能够适配各类大型生产线，通过物理冷却结晶手段大幅降低附加排放，减少药剂使用，有效降低运行成本，提高最终结晶成品质量。
一种自动化硫酸铜蚀刻充分结晶系统

[发明专利]一种合成二苯砜的工艺-CN201710200758.3在审
发明人：孙强;吴建国;万海兵 -专利权人：南通沃兰化工有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C07C317/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种合成二苯砜的工艺，以苯酚，浓硝酸，自制的介孔磁性的液体催化剂等原料通过重结晶，低压蒸馏，磁力搅拌等手段制备出二苯砜。
一种合成二苯砜工艺

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条