“线缆导体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果535350个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体结装置-CN201510267544.9有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结装置，在耗尽层中垂直半导体结方向上设置有交替排列的不同导电半导体材料，耗尽层中的电场形成具有一定起伏的分布；具有一定起伏的电场分布的结构说明可以设置高浓度杂质掺杂的耗尽层，因此本发明的半导体结装置具有低的正向导通电阻
一种半导体装置

[发明专利]半导体装置和洗涤方法-CN201510843890.7有效
发明人：李俊煜;罗胜宏;何文龙;曾文松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体装置。该半导体装置包括晶圆载体和围绕晶圆载体的杯状物。该半导体装置也包括：底部洗涤器件，位于晶圆载体和杯状物之间，并且配置为将洗涤液喷射至杯状物上。本发明的实施例还涉及半导体装置和洗涤方法。
半导体装置洗涤方法

[发明专利]包括栅极接触部分的半导体器件-CN201610173543.2有效
发明人：尹彰燮;权赫基;金珉彻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了包括栅极接触部分的半导体器件。半导体器件包括衬底。半导体器件包括在衬底上的栅电极。半导体器件包括在栅电极上的栅极接触部分。在一些实施例中，鳍形主体从衬底突出，并且栅电极位于鳍形主体上。
包括栅极接触部分半导体器件

[发明专利]电场分离电离电荷式核电池-CN201610311934.6有效
发明人：陆景彬;许旭;刘玉敏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G21H1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种电场分离电离电荷式核电池，包括：第一电极；第二电极；第一电极和第二电极之间的混合物，所述混合物包括第一放射源和可电离气体；导体，所述导体靠近第二电极并与第二电极分离；以及第二放射源，所述第二放射源靠近所述导体并与所述导体分离
电场分离电离电荷核电

[发明专利]氮化物半导体光发射装置及其制造方法-CN02132088.8有效
发明人：幡俊雄;笔田麻佑子;木村大觉 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-09-09 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光发射装置，该装置包括在Si衬底上从Si衬底起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层。部分地除去所述Si衬底，以露出p型氮化物半导体层的一部分。在p型氮化物半导体层露出的区域上形成p型电极。
氮化物半导体发射装置及其制造方法

[发明专利]功率模块-CN201680009721.6有效
发明人：罗纳德·艾西尔;弗兰克·奥斯特瓦尔德 -专利权人：丹佛斯硅动力有限责任公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种功率模块(10)，该功率模块具有引线框(20)、安排在该引线框(20)上的功率半导体(30)、用于分散由该功率半导体(30)生成的热量的基板(40)以及围绕该引线框(20)和该功率半导体(30)的灌封化合物(50)，该灌封化合物将该功率半导体(30)和/或该引线框(20)物理连接至该基板(40)。
功率模块

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN00117915.2有效
发明人：对比地元幸;饭沼宏文 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2000-05-27 - 公布日： 2000-12-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种低成本、容易维修的半导体装置的制造方法。它包括这样一道工序;令含有用流体加工半导体的过程中产生的加工切屑的所述流体通过含有至少一部分所述加工切屑的过滤层,从而除去所述加工切屑,所述加工半导体的工序是利用流体对所述半导体进行研磨和/或切削的工序
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物半导体晶体管-CN201710087055.4有效
发明人：李秀熙;文成龙;金宰慜 -专利权人：硅显示技术有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明一实施例的氧化物半导体晶体管包括：基板、位于基板上的第一栅极、位于基板及第一栅极上的栅极绝缘膜、位于栅极绝缘膜上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层、以及位于氧化物半导体层及蚀刻阻挡层上且彼此隔开的源极和漏极
氧化物半导体晶体管

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200710108231.4有效
发明人：黄国欣 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2007-06-04 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装芯片半导体发光元件，其包含衬底以及半导体多层结构。该半导体多层结构具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面，并且该半导体多层结构以该第一表面接合于该衬底的表面上，并且该第二表面具有多个凸点，该多个凸点呈周期性排列。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]具有槽电荷补偿区的半导体器件及方法-CN200710106465.5有效
发明人：杜尚晖;乔丹·M.·格里弗纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有槽电荷补偿区的半导体器件和方法。在一个实施例中，半导体器件成形为具有电荷补偿槽，该电荷补偿槽邻近该器件的沟道区。电荷补偿槽包括至少两个相反导电类型的半导体层。沟道连接区将沟道区电连接到至少两个相反导电类型的半导体层中的一个。
具有电荷补偿半导体器件方法

[发明专利]成像装置-CN200810127102.4有效
发明人：森田真次 -专利权人：柯尼卡美能达商用科技株式会社
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G03G15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种成像装置，包括光电导体；使所述光电导体曝光的曝光装置；防尘元件，其沿所述光电导体的移动方向设置在所述曝光装置的曝光位置的上游；和盖，其支撑所述曝光装置和所述防尘元件；其中，所述盖围绕枢轴打开和关闭，所述枢轴沿所述光电导体的移动方向设置在所述曝光装置的上游。
成像装置

[发明专利]用于3D FINFET金属栅极的结构和方法-CN201510777147.6有效
发明人：张简旭珂;吴志楠;林俊泽;王廷君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：根据一些实施例本发明提供了一种半导体结构。半导体结构包括半导体衬底；以及设置在半导体衬底上的栅极堆叠件；其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层以及设置在高k介电材料层上的各个金属层，其中，栅极堆叠件具有凸顶面。
用于 finfet 金属栅极结构方法

[发明专利]旋转电机的电枢绕组、旋转电机的定子和旋转电机-CN200710169524.3有效
发明人：藤田真史;德增正;垣内干雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H02K3/14 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转电机的电枢绕组，其包括至少一个由多个单元线导体组成的电枢绕组棒，其中，所述电枢绕组棒包括单元线导体，所述单元线导体设置为在绕线槽边界区和中间区具有180度的扭曲换位角且在该单元线导体的绕线槽的另一边界区具有不同于
旋转电机电枢绕组定子

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810086076.5有效
发明人： L·A·克莱文格;M·E·科尔伯恩;D·C·埃德尔斯坦;S·波诺斯;G·布雷塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种在半导体器件内形成腔的方法。所述方法包括在半导体器件的ILD层内的腔的内表面上淀积抗成核层。所述抗成核层防止了在所述腔内形成随后淀积的介质层。通过防止这些层的形成，减小了电容，并由此改善半导体的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810080739.2有效
发明人：藤川一洋;原田真 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-04-20 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，是通过离子注入法在半导体基板(101)的表面上形成杂质的注入区域的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板(101)的表面上形成包含SiO₂
半导体装置制造方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top