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[发明专利]一种从薄膜表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法-CN201510796467.6在审
发明人：李财富;刘志权 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种从薄膜表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法，可以实现锡纳米线/微米线直径和长度的可控制备，属于金属纳米材料制备领域。该方法通过硅/锡薄膜的制备、高温存放等，即可制备出直径和长度可控的单晶锡纳米线/微米线。该方法可以通过调节薄膜的晶粒尺寸来实现不同直径锡纳米线/微米线的制备，其直径范围为10nm～10μm；通过调节存放条件来实现不同长度锡纳米线/微米线的制备，长度范围为100nm～1mm。本发明制备过程简单，优于纳米线制备的常用化学方法，省去了模板的制备和溶解等工艺过程，为锡纳米线/微米线的可控制备提供了一种新方法。
一种薄膜表面可控制备单晶锡纳米微米方法

[发明专利]一种银纳米线的制备方法-CN202210914600.3在审
发明人：潘曹峰;程韬;韩勋 -专利权人：江苏振宁半导体研究院有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米线的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，本发明中通过采用银纳米线制备机制备银纳米线，银纳米线制备机中设置的清洁机构配合过滤机构，过滤机构将混合液中的沉淀物分离的同时，清洁机构通过去离子水对搅拌罐内部进行清洁，方便下一次的银纳米线的制作，提高了银纳米线的制备效率，同时清洁完搅拌罐的去离子水排出至过滤机构的过滤罐内时，可以对过滤罐上的沉淀物进行洗涤，除去沉淀物表面可溶性杂质，便于制得纯净的银纳米线，提高了银纳米线的制备质量，本发明中银纳米线的制备工艺简单，成本低廉，利用银纳米线制备机制得的银纳米线，制备效率和制备质量高，方便银纳米线的大规模以及连续化生产。
一种纳米制备方法

[发明专利]一种超导纳米线单光子探测器的制备方法-CN202010765342.8有效
发明人：王军;杨明亮;苟君;李春雨;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明涉及红外单光子探测技术领域，具体涉及一种超导纳米线单光子探测器的制备方法，具体为：在衬底基片上制备纳米线台阶结构；在具有所述纳米线台阶结构的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构；采用掩膜板A在所述超导纳米线结构的两端制备金属电极接触层；采用掩膜板B在所述超导纳米线结构和金属电极接触层上制备绝缘保护层。该制备方法通过先在衬底基片上制备纳米线台阶结构，后在具有纳米线台阶的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构，避免了对超导材料进行光刻与刻蚀加工，这种制备方法可以实现超导纳米线结构的制备并避免超导材料受到加工工艺的影响，保证超导纳米线器件的稳定性能。
一种导纳米线光子探测器制备方法

[发明专利]氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管-CN202110429100.6在审
发明人：卓恩宗;夏玉明;许哲豪;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管。所述氧化铟锡纳米线的制备方法包括如下步骤有：提供介孔分子模板，所述介孔分子模板含有纳米线形介孔；在惰性环境中，向所述介孔分子模板所含的所述纳米线形介孔中脉冲交替通入氧化铟锡反应源气体，在所述纳米线形介孔中原位原子层沉积氧化铟锡纳米线前驱体；将所述氧化铟锡纳米线前驱体进行退火处理，在所述纳米线形介孔中原位生成氧化铟锡纳米线；再除去所述介孔分子模板。所述氧化铟锡纳米线制备方法制备的氧化铟锡纳米线形介孔尺寸可控，长径比大，曲挠性优异，而且生成的氧化铟锡纳米线不会发生团聚。而且制备工艺易控，制备效率高，能够有效保证制备的氧化铟锡纳米线尺寸稳定。
氧化纳米及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]一种从锡铝合金表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法-CN201510789340.1有效
发明人：李财富;刘志权 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种从锡铝合金表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法，可以实现单晶锡纳米线/微米线直径和长度尺寸的可控制备，属于金属纳米材料制备领域。该方法以锡铝合金为原材料，通过冶炼、高温存放等过程，制备出直径和长度可控的单晶锡纳米线/微米线。该方法可以通过调节合金的微观结构尺寸来实现不同直径锡纳米线/微米线的制备，直径范围为10nm～20μm；可以通过调节高温存放条件来实现不同长度锡纳米线/微米线的制备，长度范围为100nm～2mm。本发明突破了纳米线制备的常用化学方法，省去了模板的制备和溶解等复杂的工艺过程，制备过程简单，为单晶锡纳米线/微米线的可控制备提供了一种新的方法。
一种铝合金表面可控制备单晶锡纳米微米方法

[发明专利]一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法-CN201711065757.9有效
发明人：杨文澍;赵旗旗;李会;伏捷瑞;马一夫;武高辉;乔菁;姜龙涛;陈国钦;张强;康鹏超;修子扬;芶华松 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C08L29/14 文献下载
摘要：一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。
一种包含损伤定向排列 sic 纳米复合材料薄片制备方法

[发明专利]一种氧化锡纳米线的制备方法及其在气体检测中的应用-CN202211362352.2在审
发明人：秦昭君;陈伟武;王志明;赵润波;姚依森 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锡纳米线的制备方法及其在气体检测的应用，制备步骤为：制备覆盖有金属铜的硅片；将硅片和氧化锡粉末装载进管式炉；清洗管式炉内部气体氛围；制备柔软的氧化锡纳米线；分离氧化锡纳米线；制备氧化锡纳米线气体传感器该制备方法所得的氧化锡纳米线非常柔软，硅片上氧化锡纳米线产量较高且较为蓬松，容易分离，为氧化锡纳米线的应用，特别是柔性器件方面的应用提供便利。根据这种氧化锡纳米线的制备方法所得的氧化锡纳米线气体传感器对有机气体非常敏感，反应灵敏。
一种氧化纳米制备方法及其气体检测中的应用

[发明专利]一种全无机非铅钙钛矿复合TiO₂纳米线及其制备方法-CN201810792396.6在审
发明人：刘世凯;周淑慧;王俊健;高新灿;沈飞向;张鹏;黄龙飞 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B01J27/138 文献下载
摘要：本发明提供了一种全无机非铅钙钛矿复合TiO₂纳米线及其制备方法，属于纳米复合新材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过水热法制备钛酸盐纳米线；对所制备的钛酸盐纳米线进行离子交换，制备钛酸纳米线，再进行晶化处理，制备得到TiO₂纳米线；对所制备的TiO₂纳米线进行全无机非铅钙钛矿的复合，制备得到一种全无机非铅钙钛矿复合的TiO₂纳米线。该复合材料充分发挥了TiO₂纳米线结构的优势，可使其吸收太阳能波长范围变宽，抑制电子‑空穴对的复合，大大提高了TiO₂纳米线的光催化效率。
纳米线制备钙钛矿非铅复合钛酸盐新材料技术领域空穴光催化效率纳米线结构钛酸纳米线复合材料晶化处理离子交换纳米复合水热法制波长变宽太阳能吸收

[发明专利]一种制备钴铜合金纳米线的方法-CN201410054815.8有效
发明人：廖立;谢克难;黎明 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：一种合金纳米线的化学制备方法，涉及钴铜合金纳米线的制备。本发明采用液相置换法制备钴铜纳米线，其特点是利用金属钴和铜之间的活性差异，用铜置换钴纳米线得到钴铜合金纳米线。本发明提供的钴铜合金纳米线制备方法具有工艺过程简洁、反应条件温和、产品形貌规整的优点，能够实现经济的宏量制备，为钴铜合金纳米线的实际应用提供条件。
一种制备铜合金纳米方法

[发明专利]一种制备镍铜合金纳米线的方法-CN201410054814.3无效
发明人：廖立;黎明;王虎 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：一种合金纳米线的化学制备方法，涉及镍铜合金纳米线的制备。本发明采用液相置换法制备镍铜纳米线，其特点是利用金属镍和铜之间的活性差异，用铜置换镍纳米线得到镍铜合金纳米线。本发明提供的镍铜合金纳米线制备方法具有工艺过程简洁、反应条件温和、产品形貌规整的优点，能够实现经济的宏量制备，为镍铜合金纳米线的实际应用提供条件。
一种制备铜合金纳米方法

[发明专利]无源自供能用压电纳米线的制备方法及压电纳米线-CN202110004843.9有效
发明人：秘立鹏;孙睿;刁凤新;史昌明;佟敏;党乐;王磊磊;陈忠源 -专利权人：国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院;国网河南省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：本发明属于无源自供能领域，提供了一种无源自供能用压电纳米线的制备方法及压电纳米线。其中，无源自供能用压电纳米线的制备方法包括在基片上溅射ZnO纳米线生长的种子层；将ZnO纳米线生长溶液与种子层反应，在种子层上生长ZnO纳米线；反应结束后，清洗种子层及ZnO纳米线；采用等离子溅射工艺在ZnO纳米线的上层制备出压电层电极，最终得到无源自供能用压电纳米线。
无源自供能用压电纳米制备方法

[发明专利]一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法-CN202110115195.4有效
发明人：吴志明;白宇昕;李春雨;苟君;董翔;王军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明涉及氮化铌纳米线制备技术领域，具体涉及一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法，采用优化的斜靶射频磁控溅射镀膜技术在衬底表面沉积了氮化铌薄膜；采用电子束曝光在电子束光刻层上影印氮化铌纳米线图形，采用反应离子刻蚀将图形转移到氮化铌薄膜上，得到超导氮化铌纳米线；采用反应离子刻蚀技术刻蚀转移了多孔阳极氧化铝AAO模板的氮化铌纳米线，构建超导多孔氮化铌纳米线。多孔超导氮化铌纳米线减小了纳米线的表面积，在相同有效表面积下纳米线宽度增加，降低纳米线的制备难度，同时更小的有效纳米线宽度可以使探测波长更长，得到易制备高性能的纳米线结构，可以将其用于超导纳米线单光子探测器中，为SNSPD的制备提供新思路及扩大应用范围。
一种多孔超导氮化纳米及其制备方法

[发明专利]一种碳化硼纳米线的制备方法-CN202110062768.1有效
发明人：王志江 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C01B32/991 文献下载
摘要：一种碳化硼纳米线的制备方法，本发明涉及碳化硼材料制备领域，具体涉及碳化硼纳米线的制备技术，具体涉及B4C纳米线的制备技术。本发明要解决现有方法制备B4C纳米线的纯度低，形貌不均的技术问题。方法：一、原料的混合；二、高温加热生长B4C纳米线。本发明制备的碳化硼纳米线纯度高、长径比高、形貌均一。本发明制备的碳化硼纳米线用于提高陶瓷、金属、树脂等材料的强度。
一种碳化纳米制备方法

[发明专利]一种制备镍钴铜合金纳米线的方法-CN201410054813.9无效
发明人：廖立;黎明;王虎 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：一种合金纳米线的化学制备方法，涉及镍钴铜合金纳米线的制备。本发明采用液相置换法制备镍钴铜纳米线，其特点是利用金属镍、钴与铜之间的活性差异，用铜置换镍钴合金纳米线得到镍钴铜合金纳米线。本发明提供的镍钴铜合金纳米线制备方法具有工艺过程简洁、反应条件温和、产品形貌规整的优点，能够实现经济的宏量制备，为镍钴铜合金纳米线的实际应用提供条件。
一种制备铜合金纳米方法

[发明专利]一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法-CN202210225122.5有效
发明人：王秋实;左广淏;陈双龙;王雪娇 -专利权人：渤海大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法，涉及纳米发光新材料技术领域，主要目的是实现稀土掺杂氮化硅纳米线的制备。该制备方法包括以下步骤：(1)以硅粉和氮气为原料，采用直流电弧法制备氮化硅纳米线；(2)制备的氮化硅纳米线与稀土氧化物混合制备稀土掺杂氮化硅纳米线。本方法制备的稀土掺杂氮化硅纳米线均匀且纯度较高，能够以氮化硅纳米线实现稀土离子的成功掺杂，为纳米级材料的发光领域器件提供了无限可能。
一种稀土离子掺杂氮化纳米及其制备方法

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