在一些实施例中,本公开涉及一种集成芯片,其包括第一纳米片场效晶体管(nanosheet field effect transistor,NSFET)。第一NSFET包括:第一纳米片通道结构,排列于基板上;第二纳米片通道结构,直接排列于第一纳米片通道结构上;以及第一栅极结构。第一纳米片通道结构及第二纳米片通道结构在第一及第二源极/漏极区之间平行延伸。第一栅极结构包括第一导电环及第二导电环,分别完全包围第一纳米片通道结构及第二纳米片通道结构的多个外侧壁,且第一栅极结构包括第一材料。第一栅极结构也包括钝化层,其完全包围第一及第二导电环,且直接排列于第一及第二纳米片通道结构之间,且包括不同于第一材料的第二材料。