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[发明专利]一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法-CN202111447082.0在审
发明人：汪竞阳;张文凯;梁桂杰;李望南;王松 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法，涉及某技术领域。其中，所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择，一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构，从而能加速光生电子和空穴的分离，另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构，为光生载流子的传输提供了高速通道，两者协同作用，共同提高了电荷传输效率，使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异；此外，该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点，因此其对光的利用率高。
一种三层纳米阵列异质结结构及其制备方法

[发明专利]提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法-CN201410360550.4有效
发明人：佘广为;金亮亮;师文生 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C30B7/12 文献下载
摘要：本发明涉及提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法。本发明是通过在单晶ZnO纳米棒阵列上制备出一层多晶ZnO纳米颗粒薄膜，形成单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列；以此单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列作为表面增强拉曼散射基底本发明中的核/壳结构的纳米棒阵列的制备方法简单、条件温和并且时间短；与单晶ZnO纳米棒阵列相比，在对目标分子4-巯基吡啶进行拉曼散射信号的检测时，所述单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列上可以检测到更强的目标分子
提高氧化锌纳米表面增强散射信号方法

[发明专利]微通道与纳米棒阵列的复合结构及其制备方法-CN201811028780.5在审
发明人：周文斌;胡学功;何雨 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本公开提供一种微通道与纳米棒阵列的复合结构及其制备方法，该微通道与纳米棒阵列的复合结构包括：微通道结构以及纳米棒阵列结构；微通道结构设置在基板上，用于提供高渗透率；纳米棒阵列结构，设置在微通道结构的表面，用于提高微通道结构的毛细压力；其中，微通道结构中的微通道包括N条，N条微通道并列设置，N≥1。通过在微通道结构的表面原位生成特定的纳米棒阵列结构，提高了表面微纳米尺度下的粗糙度，在显著提高原始微通道结构的毛细压力的同时维持了微通道结构自身的高渗透率，表面微米结构和纳米结构特性的协同效应使得微通道与纳米棒阵列的复合结构具有很高的毛细性能
微通道结构微通道纳米棒阵列复合结构纳米棒阵列结构毛细压力高渗透制备表面原位生成微纳米尺度并列设置毛细性能纳米结构微米结构协同效应粗糙度基板

[实用新型]微通道与纳米棒阵列的复合结构-CN201821447470.2有效
发明人：周文斌;胡学功;何雨 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微通道与纳米棒阵列的复合结构，该微通道与纳米棒阵列的复合结构包括：微通道结构以及纳米棒阵列结构；微通道结构设置在基板上，用于提供高渗透率；纳米棒阵列结构，设置在微通道结构的表面，用于提高微通道结构的毛细压力；其中，微通道结构中的微通道包括N条，N条微通道并列设置，N≥1。通过在微通道结构的表面原位生成特定的纳米棒阵列结构，提高了表面微纳米尺度下的粗糙度，在显著提高原始微通道结构的毛细压力的同时维持了微通道结构自身的高渗透率，表面微米结构和纳米结构特性的协同效应使得微通道与纳米棒阵列的复合结构具有很高的毛细性能
微通道结构微通道纳米棒阵列复合结构纳米棒阵列结构毛细压力高渗透表面原位生成本实用新型微纳米尺度并列设置毛细性能纳米结构微米结构协同效应粗糙度基板

[发明专利]一种氧化锌/氧化钛双层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法-CN202011405526.X在审
发明人：汪竞阳;何子越;梁桂杰;李望南;王松;钟志成;屈少华 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锌/氧化钛双层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法。本发明中通过优化溅射参数，以在TiO2纳米棒阵列中每根纳米棒的顶部沉积获得ZnO纳米颗粒，后续再以如上ZnO纳米颗粒为晶种通过水热法在TiO2纳米棒的顶部再生长获得ZnO纳米棒，并最终经洗净、退火，即可获得一种具有一维氧化锌纳米棒阵列和一维二氧化钛纳米棒阵列的双层纳米棒阵列异质结复合结构。上述制备中由于ZnO晶种颗粒的存在使得后续ZnO纳米棒可以沿着TiO2纳米棒的生长方向继续生长，从而使得最终生长获得的两层纳米棒阵列因均垂直于基底生长而具有结构一致性好且取向高度有序的优点
一种氧化锌氧化双层纳米阵列异质结结构及其制备方法

[发明专利]一种利用硅纳米线模板制备银纳米棒阵列结构材料的方法-CN201810278879.4在审
发明人：白帆;胡赠彬;他德洪;苏海涛;黄蓁;潘媛;黄韵婷;孔涛 -专利权人：云南省产品质量监督检验研究院
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于纳米材料制备及方法技术领域的一种银纳米棒阵列结构材料的制备方法。本发明采用取向（100）的n型单晶硅片，结合离子溅射法和湿法刻蚀技术，制备出硅纳米线阵列模板。采用无电极电镀法，在硅纳米线阵列模板表面制备出银纳米棒阵列。本发明首次利用硅纳米线模板制备银纳米棒阵列，所制备的银纳米棒阵列结构的尺寸、形貌可通过硅纳米线阵列模板的结构参数、无电极电镀工艺参数进行调控。这种操作步骤简单、常温常压条件下的制备工艺，为新型银纳米结构的制备提供了新思路。
银纳米制备硅纳米线阵列阵列结构硅纳米线模板制备常温常压条件纳米材料制备湿法刻蚀技术无电极电镀法形貌无电极电镀银纳米结构结构参数离子溅射模板表面制备工艺取向调控

[发明专利]一种多孔碳纳米棒阵列电极及其制备方法-CN201510068570.9有效
发明人：肖婷;谭新玉;向鹏;姜礼华 -专利权人：三峡大学
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01G11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔碳纳米棒阵列电极及其制备方法，以氧化锌纳米线阵列为模板，以烃类气体为碳源，采用原位化学气相沉积法制得碳纳米棒阵列。本发明制备的碳纳米棒阵列表面呈多孔结构，阵列长度为2.5‑4μm，直径为50‑200nm。该碳纳米棒阵列为一维阵列结构，有利于电荷的传输，且表面呈多孔结构，具有较大的比表面积，可作为超级电容器电极。
一种多孔纳米阵列电极及其制备方法

[发明专利]一种镀金ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法-CN200910096503.2无效
发明人：王平;宗小林;吴晓玲 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀金ZnO纳米棒阵列电极以及制备该电极的方法，该镀金ZnO纳米棒阵列电极在有ZnO纳米棒的一面镀有金层，通过镀金层改变镀金ZnO纳米棒阵列电极的导电性，使原有ZnO纳米棒阵列电极由不导电向导电转变，使用该镀金ZnO纳米棒阵列电极做测试具有很高的灵敏度。由于金层化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、低电阻，用它包裹在ZnO纳米棒外部就可以很好的起到保护作用，可以大大延长镀金ZnO纳米棒阵列电极的使用寿命，同时保留了一维纳米材料的结构特性。
一种镀金 zno 纳米阵列电极及其制备方法

[发明专利]DNA检测装置和方法、细胞裂解通道和DNA检测通道制作方法-CN202111545625.2在审
发明人：曹臻;杨帆 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：具体包括细胞裂解通道，以及和细胞裂解通道导通连接的DNA检测通道；细胞裂解通道内包括一组以上沟道，沟道内有斜角的纳米棒阵列一；DNA检测通道内包括纳米棒阵列二，所述纳米棒阵列上固定探针DNA。所述纳米棒阵列一为SiO2纳米棒阵列，所述纳米棒阵列二为SiO2包裹Ag的纳米棒阵列。本发明结合细胞裂解和DNA检测的装置，与现有技术相比结构简单，裂解快速，DNA检测灵敏度高。
dna 检测装置方法细胞裂解通道制作方法

[发明专利]多头氧化锌纳米棒及其制备方法-CN201410458885.X有效
发明人：任鑫;曹娇;袁帅;施利毅 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多头氧化锌纳米棒及其制备方法。该纳米棒由纳米主干棒以及与主干棒生长方向一致的纳米头分支组成，所述的纳米主干棒的直径为500～1000nm；所述的纳米头分支的数目在5~25；该纳米棒的阵列高度为2500～4000nm。本发明制备的ZnO多头纳米棒阵列是一种新型的纳米阵列结构。相对于单头纳米棒阵列，具备更大的比表面积，更利于在有机太阳能电池、有机LED发光器件制备中，有机聚合物的渗透。
多头氧化锌纳米及其制备方法

[发明专利]一种机械可调的超构表面结构彩色滤波器-CN201910183834.3在审
发明人：王继成;冯延;李可;刘禹 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明属于微纳光学器件技术领域，涉及一种机械可调的超构表面结构彩色滤波器，包括聚二甲基硅氧烷衬底和二氧化钛纳米棒周期阵列，二氧化钛纳米棒周期阵列包括二氧化钛纳米棒周期阵列A、二氧化钛纳米棒周期阵列B、二氧化钛纳米棒周期阵列C和二氧化钛纳米棒周期阵列D，四种二氧化钛纳米棒周期阵列分别单独固定在可拉伸的聚二甲基硅氧烷基底上表面。其中每一种阵列由相同的单元结构重复排列组成，每个单元结构包括一个二氧化钛纳米棒，其余空间均为空隙。本发明结构具有极强的光束缚效应，该彩色滤波器集成在一块几微米的柔性衬底上，结构简单、体积小，通过改变超表面的晶格常数实现彩色滤波的主动机械调节，且可连续实时调谐。
二氧化钛纳米棒周期阵列彩色滤波器表面结构单元结构可调的衬底聚二甲基硅氧烷基聚二甲基硅氧烷器件技术领域调谐彩色滤波单独固定机械调节晶格常数微纳光学重复排列上表面体积小拉伸束缚

[发明专利]异质结压电式纳米发电机及其制造方法-CN201110253998.2有效
发明人：邵铮铮;张学骜;王飞;王广;贾红辉;常胜利;秦石乔 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：异质结压电式纳米发电机及其制造方法，该异质结压电式纳米发电机包括半导体纳米棒阵列、半导体纳米凹槽阵列、导电衬底、封装层和引线，所述半导体纳米棒阵列垂直设于作为发电机下电极的导电衬底上，半导体纳米凹槽阵列与半导体纳米棒阵列形成嵌套结构，半导体纳米凹槽阵列为发电机的上电极，发电机上下电极分别由不同的引线接出；半导体纳米凹槽阵列和半导体纳米棒阵列外周设有封装层。本发明还包括所述异质结压电式纳米发电机制造方法。本发明异质结压电式纳米发电机结构简单、紧凑，使用寿命较长，制造工艺简单，制造成本低。
异质结压电纳米发电机及其制造方法

[发明专利]一种多级结构石墨烯的制备方法-CN201910155651.0有效
发明人：杜涛;李思幸;吴伟;贺盼盼;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南医家智烯新材料科技股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明属于纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种多级结构石墨烯及其制备方法和应用。本发明提供的一种多级结构石墨烯的制备方法，包括以下步骤：利用化学氧化法在铜基底上垂直生长氢氧化铜纳米棒，得到铜基底/氢氧化铜纳米棒阵列材料；将所述铜基底/氢氧化铜纳米棒阵列材料置于惰性气体氛围中煅烧，得到铜基底/氧化铜纳米棒阵列材料；利用水热还原法还原所述铜基底/氧化铜纳米棒阵列材料，得到铜基底/铜纳米棒阵列材料；在所述铜基底/铜纳米棒阵列上利用化学气相沉积法沉积石墨烯，得到铜基底/石墨烯材料；腐蚀所述铜基底/石墨烯材料中的铜基底，得到多级结构石墨烯，多级结构石墨烯不会发生卷曲、堆叠现象、且导电性能优异。
一种多级结构石墨制备方法

[发明专利]一种四方相钛酸钡纳米棒阵列及其制备方法-CN201010543929.0无效
发明人：曹传宝;姚锐敏 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种四方相钛酸钡纳米棒阵列及其制备方法。为了克服现有技术中尚无四方相的钛酸钡纳米棒阵列以及必须通过高温煅烧处理，才能使钛酸钡材料晶体结构从立方相转变为四方相的缺陷，提供了一种四方相钛酸钡纳米棒阵列，其中单根纳米棒为单晶结构，长度为200nm～10μm，直径为50nm～250nm；还提供了一种制备四方相钛酸钡纳米棒阵列的方法，即先在掺氟的二氧化锡导电玻璃上通过水热反应生长二氧化钛纳米棒阵列，再通过第二步水热反应，将二氧化钛纳米棒阵列转化成本发明所述的钛酸钡纳米棒阵列所述方法步骤简单，可重复性高，可以通过调节浓度、温度和时间对所述钛酸钡纳米棒的直径和长度进行调控。
一种四方钛酸钡纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种基于同质ZnO纳米核壳阵列的紫外光响应器件及制备方法-CN201710440495.3有效
发明人：于乃森;何艳;陈向丰;齐岩 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：一种基于同质ZnO纳米核壳阵列的紫外光响应器件，其是在玻璃衬底和透明接触电极之间设有基于同质ZnO纳米核壳阵列层。透明接触电极为刻有0.2cm沟道的ITO导电玻璃；基于的ZnO纳米核壳阵列是由ZnO纳米阵列籽晶层、生长于ZnO纳米阵列籽晶层表面的ZnO纳米棒阵列核层和生长于纳米棒表面的ZnO纳米片状壳层组成。本发明的结构层是以ZnO纳米阵列为载体，采用乙酸锌和六次甲基四胺为原料，首先采用低温水溶液在ZnO表面生长ZnO纳米棒阵列，然后再用低温乙醇溶剂热在纳米棒阵列上生长ZnO纳米片层结构。
一种基于同质 zno 纳米阵列紫外光响应器件制备方法

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