专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高能效SFQ逻辑偏置技术-CN202080020497.7在审
  • S·R·怀特利 - 美商新思科技有限公司
  • 2020-03-12 - 2021-10-26 - H03K19/195
  • 本文公开了包括电结构的实施例,该电结构包括第一单元、第一电感器、第一电阻器和第一分流约瑟夫森结。第一电感器在第一电感器的第一端子端部处与第一分流约瑟夫森结串联连接,并且第一电感器的第二端子端部连接到被供电的第一单元的馈电点。第一电阻器的第一端部连接到接地,并且第二端部在第一分流约瑟夫森结的未连接到第一电感器的端子处连接到第一分流约瑟夫森结。在第一单元外部的电流源的源在公共点处连接到第一分流结和第一电阻器。
  • 能效sfq逻辑偏置技术
  • [发明专利]一种超导磁通存储单元及其读写方法-CN202010493002.4有效
  • 陈垒;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-06-03 - 2022-06-07 - G11C11/15
  • 本申请涉及一种超导磁通存储单元及其读写方法,超导磁通存储单元包括存储环路、选址电路和读取电路;存储环路包括第一约瑟夫森结;第一约瑟夫森结具有偏离正弦函数的电流相位关系,通过扫描偏置电流形成稳定磁通存储回滞;选址电路,用于调节第一约瑟夫森结的临界电流,以改变存储环路的磁通存储回滞大小;读取电路,用于原位读取存储环路的磁通状态。本申请存储环路中第一约瑟夫森结的电流相位关系与正弦函数之间的偏移量可等效于存储环路的电感在形成存储回滞中的作用,如此,可以使超导磁通存储单元摆脱对于因环路电感需求而产生的最小面积限制,从而可以大幅度缩小超导磁通存储单元的面积
  • 一种超导通存单元及其读写方法
  • [发明专利]基于NbN的约瑟夫森结及其制备方法-CN202010871236.8在审
  • 张露;闫恺心;王会武;陈垒;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-08-26 - 2020-11-20 - H01L39/24
  • 本发明提供一种基于NbN的约瑟夫森结及其制备方法,制备方法包括:提供衬底,形成NbN底层膜、金属NbNx势垒层以及NbN顶层膜,刻蚀定义底电极和结区,形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属NbNx势垒层,得到SNS结构约瑟夫森结,无需并联电阻,解决了SIS结构约瑟夫森结磁通噪声及集成度的问题,提高了工艺重复性以及稳定性,势垒层材料的电阻率及厚度等可通过离子氮化时间及功率等参数自由调控具有表面平整度高以及氮化均匀性好等特点,改善了SNS结的特征电压IcRn很小,限制了器件的高频应用的缺陷,有利于高质量NbN SNS约瑟夫森结的研发
  • 基于nbn约瑟夫及其制备方法

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