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[发明专利]氯醋酸铅中红外非线性光学晶体及其制备方法与用途-CN202011447346.8在审
发明人：水棋锐;傅瑞标;吴新涛 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：Pb2(CH3COO)2Cl5的中红外非线性光学晶体及其制备方法与用途，所述中红外非线性光学晶体的结构属正交晶系，空间群为Amm2，晶胞参数为本发明的中红外非线性光学晶体具有优异的二阶非线性光学性质及较宽的光学透过范围，其紫外透过截止边为310nm，同时其非线性光学效应可达到商用材料KDP的3倍，且在0.5～6μm区具有很高的光学透光率，并能实现相位匹配，是一种潜在的具有商业化价值的中红外非线性光学晶体。
醋酸红外非线性光学晶体及其制备方法用途

[发明专利]化合物SrCdGeS4及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用-CN201610898089.7在审
发明人：尹文龙;余盛全;唐明静;张羽;袁泽锐;窦云巍;方攀;陈莹;谢婧;康彬;邓建国 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物SrCdGeS4及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用。本发明采用高温固相反应法，经过两次烧结制备出SrCdGeS4化合物纯相，采用水平梯度冷凝法或坩埚下降法生长出红外非线性光学晶体；本发明的方法使晶体易长大且质量较高，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点红外非线性粉末倍频测试表明，在基频光为2090nm激光照射下，SrCdGeS4具有强的非线性效应，在41～74μm粒径范围内的倍频信号强度约为同粒径红外经典材料AgGaS2的信号强度的3倍。本发明获得的红外非线性光学晶体材料SrCdGeS4，在红外激光变频领域具有潜在的应用价值。
化合物 srcdges4 及其制备方法红外非线性光学晶体应用

[发明专利]红外非线性光学晶体Ba3BSbS6及其制备方法和用途-CN201310469418.2有效
发明人：陈玲;黎艳艳;吴立明 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明涉及红外非线性光学晶体Ba3BSbS6及其制备方法，属于无机非线性光学材料领域。采用高温固相法合成，合成红外非线性光学晶体Ba3BSbS6，属于六方晶系，空间群为化合物Ba3BSbS6在2.05μm激光激发下,其粉末倍频强度为AgGaS2的3倍。
红外非线性光学晶体 ba sub bsbs 及其制备方法用途

[发明专利]一类红外非线性光学晶体Ln8Sb2S15及其制备方法-CN201410708047.3有效
发明人：赵华俊 -专利权人：遵义师范学院
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一类红外非线性光学晶体及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用高温无机固相一步合成法进行合成。合成条件在950℃下反应4天。在本发明中，新型红外非线性光学晶体Ln8Sb2S15结晶于四方非心空间群I41cd，主要结构特征含有三角锥构型的SbS3阴离子，它们被稀土离子和硫离子隔开。非线性光学测试表明，La8Sb2S15在波长为2.05的激光照射下，观察到粉末SHG效应，其强度大约是商用红外非线性光学材料AgGaS2的1.2倍。本发明获得的非线性光学晶体材料的合成方法简单，产率高，产物具有化学物相单一，均匀性好，具有潜在的红外非线性光学应用价值。
一类红外非线性光学晶体 ln sub sb 15 及其制备方法

[发明专利]三方相HgS非线性光学晶体的制备方法及其应用-CN202110645842.2在审
发明人：郭胜平;严梅;唐如玲 -专利权人：扬州大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：三方相HgS非线性光学晶体的制备方法及其应用，属于非线性光学材料技术领域，也涉及三方相HgS晶体的制备技术领域。base:Sub>S·9H2O和HgCl2与去离子水混合进行水热反应，待反应结束后过滤取得固相，经常温干燥，得三方相HgS非线性光学晶体该三方相HgS非线性光学晶体可用于红外波段的倍频晶体，具有优异的红外非线性光学性能，在波长2100 nm激光照射下，其倍频效应为AGS的0.8倍，且能实现相位匹配。
三方相 hgs 非线性光学晶体制备方法及其应用

[发明专利]小型化脉冲中红外激光器-CN201811540268.9在审
发明人：桂诗信;朱标;李正荣;胡秋瑞;董亚劲;陈朋波 -专利权人：中航华东光电有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明公开小型化脉冲中红外激光器，该小型化脉冲中红外激光器包括：激光二极管、激光晶体、第一半导体制冷片、第二半导体制冷片、可饱和吸收镜和非线性光学晶体；所述激光晶体为掺钕钒酸钇晶体；非线性光学晶体为周期极化掺氧化镁铌酸锂晶体；所述激光二极管、激光晶体、可饱和吸收镜和非线性光学晶体在同一水平面上依次设置；所述第一半导体制冷片设置于所述激光晶体的下方，所述第二半导体制冷片设置于所述非线性光学晶体的下方。本发明克服了现有技术中的脉冲中红外激光器输出脉冲宽、峰值功率低、转化效率不高以及光路系统复杂的缺陷。
非线性光学晶体半导体制冷片中红外激光器激光晶体脉冲可饱和吸收镜激光二极管掺氧化镁铌酸锂晶体掺钕钒酸钇峰值功率光路系统输出脉冲同一水平依次设置周期极化转化效率

[实用新型]小型化脉冲中红外激光器-CN201822141901.9有效
发明人：桂诗信;朱标;李正荣;胡秋瑞;董亚劲;陈朋波 -专利权人：中航华东光电有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本实用新型公开小型化脉冲中红外激光器，该小型化脉冲中红外激光器包括：激光二极管、激光晶体、第一半导体制冷片、第二半导体制冷片、可饱和吸收镜和非线性光学晶体；所述激光晶体为掺钕钒酸钇晶体；非线性光学晶体为周期极化掺氧化镁铌酸锂晶体；所述激光二极管、激光晶体、可饱和吸收镜和非线性光学晶体在同一水平面上依次设置；所述第一半导体制冷片设置于所述激光晶体的下方，所述第二半导体制冷片设置于所述非线性光学晶体的下方。本实用新型克服了现有技术中的脉冲中红外激光器输出脉冲宽、峰值功率低、转化效率不高以及光路系统复杂的缺陷。
非线性光学晶体半导体制冷片中红外激光器激光晶体脉冲可饱和吸收镜本实用新型激光二极管掺氧化镁铌酸锂晶体掺钕钒酸钇峰值功率光路系统输出脉冲同一水平依次设置周期极化转化效率

[发明专利]一种非线性光学晶体及其制备方法、非线性光学器件-CN202210725124.0有效
发明人：董美秋;郭扬武;吴雨辰;江雷 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性光学晶体及其制备方法、非线性光学器件，属于非线性光学晶体领域，其化学式为(R/S‑C8H10C<该有机‑无机杂化金属卤化物非线性光学晶体采用溶液蒸发法生长，不含铅，透过范围：0.65‑3.2μm，在近红外和红外区域表现出优异的倍频性能，其粉末倍频性能为0.03×AgGaS2，该晶体可应用于非线性光学领域，丰富非线性光学材料研究内容。
一种非线性光学晶体及其制备方法器件

[发明专利]中红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用-CN201910150644.1有效
发明人：吴奇;刘贤 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了中红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用，所述中红外非线性光学晶体材料的化学式为RbCdI3·H2O和CsCdI3·H2O，它们的晶体空间群均为Pc；制备时，将RbBr(CsBr)和CdI23·H2O和CsCdI3·H2O两种非线性光学晶体材料；本发明的两种非线性光学晶体材料具有较强的可相位匹配的二阶非线性光学效应，在可见光区和红外光区有较宽的透光窗口，具有较高的激光损伤阈值、合成方法操作简单、实验条件温和、产品纯度高、对空气稳定等优点，能广泛应用于光学领域
红外非线性光学晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]钐镓铋硫非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201610172391.4在审
发明人：潘世烈;甄妮;武奎 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种钐镓铋硫非线性光学晶体及其制备方法和用途，该光学晶体的化学式为Sm4GaBiS9，不具有对称中心结构，属于正交晶系，非心空间群Aba2。采用石英管自发结晶的方法合成晶体。该硫化物光学晶体机械硬度适中，易于切割、抛光、加工和保存，不溶于水。并且在波长2090nm激光下，有相对适中的非线性光学效应，透光波段较宽，因此较适于制作光通信元件，比如，该钐镓铋硫化合物非线性光学晶体在红外波段激光变频器件，近红外滤光器件及红外激光雷达等非线性光学器件中可以得到应用
钐镓铋硫非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]SrHgGeSe₄非线性光学晶体、其制备及应用-CN201910011540.2在审
发明人：姚吉勇;郭扬武;李壮;邢文豪 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性光学晶体，其化学式为SrHgGeSe₄，属正交晶系，空间群为Ama2，晶胞参数为：非线性光学晶体为红外波段的非线性光学晶体，具有非线性光学效应大(同等条件下AgGaS₂的4.9倍)、透光波段宽(0.5‑18μm)、双折射大、可实现I类和II类相位匹配、机械性能好本发明还公开了该非线性光学晶体的制备方法及应用。
非线性光学晶体制备机械性能非线性光学效应红外波段晶胞参数同等条件相位匹配正交晶系透光空间群双折射波段应用加工

[发明专利]光学晶体AZn₄Ga₅S₁₂ 用作红外非线性光学材料的用途-CN201610704761.4在审
发明人：陈玲;林华;吴立明 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及光学晶体AZn₄Ga₅S₁₂用作红外非线性光学材料的用途，其中，A为K或Rb。所述光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS₂的7～8倍且其激光损伤阈值是AgGaS₂的36倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本申请所提供的制备红外非线性光学晶体的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。
光学晶体 azn sub ga 12 用作红外非线性光学材料用途

[发明专利]红外非线性光学晶体La3Sb0.33SiS7及其制备方法-CN201510119751.X有效
发明人：赵华俊 -专利权人：遵义师范学院
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外非线性光学晶体La3Sb0.33SiS7及其制备方法，该晶体为非心结构硫化物，晶系为六方晶系，空间群为P63，晶胞参数单胞体积该制备方法包括单质镧、单质锑、单质硅和单质硫在真空条件下的固相反应本发明的红外非线性光学晶体La3Sb0.33SiS7在波长为2.05μm的激光照射下，其非线性效应与商用非线性光学材料磷酸钛氧钾(KTP)相当。
红外非线性光学晶体 la3sb0 33 sis7 及其制备方法

[发明专利]一种红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用-CN202110490691.8在审
发明人：黄富强;王阳;车相立 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用，所述红外非线性光学晶体材料的化学式为CsCd4In5S
一种红外非线性光学晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]非线性光学晶体焦铌酸锶钙及其制备方法-CN201510074885.4在审
发明人：林州斌;吴辉;黄溢声;张莉珍;孙士家;苑菲菲 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种非线性光学晶体焦铌酸锶钙[CaSrNb₂O₇]及其制备方法涉及人工晶体领域。该晶体属正交晶系，空间群为Cmc2₁，同成分熔化，熔点1450-1500℃，可用提拉法生长出高光学质量和大尺寸的晶体，其二阶非线性光学系数相当于3-4倍KDP，可实现可见和近中红外波段的相位匹配物理性能测试表明，该晶体在可见和近中红外波段透过率高，具有良好的各种物理、化学、热学和机械等性能。该晶体是一种新的适用于可见和近中红外波段的非线性光学晶体，有望获得实际应用。
非线性光学晶体焦铌酸锶钙及其制备方法