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[发明专利]一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术-CN201310033588.6有效
发明人：向勇;闫宗楷;朱焱麟;常小幻 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术，属于等离子体镀膜领域，该技术可以有效解决镀膜领域存在的镀膜温度过高会损坏基底及制备工艺复杂的问题，其步骤包括：a、在放电管中通电击穿低温等离子体过程，由气体源通入的气体在加有激励源的电源的作用下达到击穿电压，并导通放电激发产生低温等离子体；b、粉体材料导入过程，送入的粉体材料在低温等离子体的作用下局部温度升高融化并加速；c、低温等离子体喷出镀膜实现过程，粉体材料与低温等离子体一起喷出，沉积在基底表面实现镀膜
一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术

[发明专利]双等离子激发源的离子扩渗设备及其设计方法-CN202210938796.X在审
发明人：何永勇;张哲浩;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本申请涉及工业生产技术领域，特别涉及一种双等离子激发源的离子扩渗设备及其设计方法，其中，包括：设备本体；空心阴极装置，用于根据直流辉光放电效应在所述空心阴极装置内部产生第一等离子体；至少一个射频放电线圈，用于在线圈通以频率大于预设频率的高频交流电时，通过电感耦合等离子体方式在所述空心阴极装置内部产生第二等离子体，并与所述第一等离子体耦合得到第三等离子体，利用所述第三等离子体在所述设备本体内进行渗氮生成渗氮层，以实现离子扩渗。由此，解决了相关技术中等离子激发设备由于等离子体密度不足，无法有效制备渗层厚度大且整体变形小的渗氮层，无法有效提高扩散速率等问题。
等离子激发离子设备及其设计方法

[实用新型]一种大气薄膜卷对卷表面处理机-CN201920641961.9有效
发明人：李旭东 -专利权人：深圳市东信高科自动化设备有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B29C59/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大气薄膜卷对卷表面处理机，包括用于容纳卷料、卷对卷部件、上料牵引部件的机架，以及用于控制等离子发生电源、卷对卷部件以及上料牵引部件用的自动控制系统，卷对卷部件中安装有一组以上的自带冷却系统的辉光等离子装置，卷料穿过辉光等离子装置中间并通过辉光等离子装置通入电源产生的辉光等离子体光幕对卷料上下表面行进等离子表面处理，上料牵引部件对卷料的卷绕进行牵引。本实用新型通过将卷对卷工艺和辉光等离子工艺相结合，在大气状态下对卷料双面进行连续的等离子表面处理，得到均匀性一致性的表面处理卷材。
卷料辉光等离子装置牵引部件卷对卷上料等离子表面处理本实用新型等离子发生电源辉光等离子体自动控制系统表面处理机等离子工艺卷对卷工艺大气状态电源产生冷却系统上下表面薄膜卷均匀性光幕卷材卷绕自带牵引行进容纳穿过

[发明专利]一种亲水性基片制作方法及装置-CN202110774469.0在审
发明人：杨润潇;李帅;何伟;曲士座;刘辉 -专利权人：聚束科技（北京）有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种亲水性基片制作方法及装置，该方法包括：真空腔室内通入反应气体；对所述真空腔室施加第一电压，对样品台施加第二电压，电子源发射电子束轰击所述反应气体产生第一等离子体；所述第一等离子体作用于基片表面；对所述样品台施加第三电压，所述电子源停止发射所述电子束；辉光放电产生的第二等离子体作用于所述基片表面。本发明提供的一种亲水性基片制作方法在产生第一等离子体和第二等离子体过程中启辉容易，第一等离子体和第二等离子体作用于基片后，基片的亲水性效果稳定，次品率低。
一种亲水性制作方法装置

[实用新型]一种薄膜真空等离子体处理设备-CN202020163288.5有效
发明人：刘鑫培;沈文凯;王红卫 -专利权人：苏州市奥普斯等离子体科技有限公司;苏州德睿源等离子体研究院有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜真空等离子体处理设备，所述真空等离子体处理设备包括：多级抽真空单元、支撑单元及迂回部组合单元；所述迂回部组合单元位于真空等离子体处理设备的中部，用于对薄膜材料进行等离子体处理，所述多级抽真空单元位于真空等离子体处理设备的两侧所述真空等离子体处理设备采取多级抽真空的方式实现迂回部组合单元内部的真空状态，以提供稳定的辉光放电环境，薄膜可以穿过真空等离子体处理设备做连续运动，放电产生的等离子体对迂回部组合单元内部的薄膜进行处理，
一种薄膜真空等离子体处理设备

[发明专利]等离子体空气净化装置的放电电极结构-CN201210011005.5有效
发明人：刘文正;贾凌云;潘利江 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体空气净化装置的放电电极结构。电极结构包括一正电极组和一负电极组，且正负两电极组至少一组电极包裹有绝缘介质；两电极组直接接触，形成接触点。本发明把该放电电极结构用于等离子体空气净化器，该结构可以在电极交叉点及其附近区域产生大量低温等离子体。该低温等离子体具有类辉光等离子体的性质，灭菌范围广、灭菌率高、耗时短、功耗小。另外，采用的网状结构不仅能够保证很好的气体通透性，还可以增加实际的等离子体作用区域，使灭菌效率得到进一步提高。
等离子体空气净化装置放电电极结构

[发明专利]处理颗粒的方法、相关装置和颗粒-CN201510481612.1有效
发明人： I·瓦尔特斯 -专利权人：黑达勒石墨工业公共有限公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明公开了对小颗粒进行等离子体处理，所述小颗粒例如为碳纳米管。技术目标是实现可控制的处理程度，其在处理的这些颗粒中相当地均匀。所提出的方法使用了旋转处理鼓(4)中产生的低压等离子体(辉光放电)。处理气体可以输送给它以维持等离子体，例如，通过中心电极(3)中的进料口(32)。可以提供外部电极，其作为分离的外罩(8)或作为鼓(4)的导电外筒壁。沿中心电极产生辉光放电，并且调整鼓的旋转速度以使颗粒穿过等离子体区落下。鼓(4)还可具有端口(51)，可通过它引入流体以安全地散布颗粒。
处理颗粒方法相关装置

[发明专利]用等离子体处理颗粒的方法和装置-CN201080035273.X有效
发明人： I·瓦尔特斯 -专利权人：创新碳有限公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明公开了对小颗粒进行等离子体处理，所述小颗粒例如为碳纳米管。技术目标是实现可控制的处理程度，其在处理的这些颗粒中相当地均匀。所提出的方法使用了旋转处理鼓(4)中产生的低压等离子体(辉光放电)。处理气体可以输送给它以维持等离子体，例如，通过中心电极(3)中的进料口(32)。可以提供外部电极，其作为分离的外罩(8)或作为鼓(4)的导电外筒壁。沿中心电极产生辉光放电，并且调整鼓的旋转速度以使颗粒穿过等离子体区落下。鼓(4)还可具有端口(51)，可通过它引入流体以安全地散布颗粒。
等离子体处理颗粒方法装置

[发明专利]一种大型低压高效高束流直流空心阴极源-CN201810884496.1在审
发明人：王叔晖;沈平;孟庆学 -专利权人：法德(浙江)机械科技有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H05H1/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种大型低压高效高束流直流空心阴极源，其包括阴极机构、第一阳极机构、第二阳极机构与控制电源，第一阳极机构与第二阳极机构之间形成辉光区，阴极机构的顶部设置有加气机构，其将在阳极座与阴极板之间加载电压使通入的气体辉光产生等离子体，并将阳极环与阳极座连接为一体，直接利用阳极环对等离子体进行集束加速，再利用第二阳极机构对等离子体中的电子进行牵引与吸收，解决了电子伤害靶材的技术问题，同时对Ar正离子进行导向加速，避免了逸散，提高工作效率
阳极机构等离子体空心阴极阴极机构高束流阳极环阳极座辉光连接为一体顶部设置工作效率加载电压控制电源阴极板再利用正离子靶材集束逸散牵引伤害吸收

[实用新型]一种大型低压高效高束流直流空心阴极源-CN201821255992.2有效
发明人：王叔晖;沈平;孟庆学 -专利权人：法德(浙江)机械科技有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H05H1/48 文献下载
摘要：本实现新型提供了一种大型低压高效高束流直流空心阴极源，其包括阴极机构、第一阳极机构、第二阳极机构与控制电源，第一阳极机构与第二阳极机构之间形成辉光区，阴极机构的顶部设置有加气机构，其将在阳极座与阴极板之间加载电压使通入的气体辉光产生等离子体，并将阳极环与阳极座连接为一体，直接利用阳极环对等离子体进行集束加速，再利用第二阳极机构对等离子体中的电子进行牵引与吸收，解决了电子伤害靶材的技术问题，同时对Ar正离子进行导向加速，避免了逸散，提高工作效率
阳极机构等离子体空心阴极阴极机构高束流阳极环阳极座辉光连接为一体顶部设置工作效率加载电压控制电源阴极板再利用正离子靶材集束逸散牵引伤害吸收

[发明专利]利用辉光放电高效快速氧化固定废水中砷的方法及其装置-CN201410057180.7有效
发明人：郑经堂;江波;郭建波;谭明慧;吴明铂;吴文婷;薛庆忠;胡平 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C02F1/467 文献下载
摘要：本发明涉及环境污水处理领域，特别涉及一种利用辉光放电高效快速氧化固定废水中砷的方法及其装置。本发明将等离子体技术应用于含有As(III)、As(V)、Fe(III)、Fe(II)离子的冶金、采矿等废水的处理体系，利用辉光放电体系将As(III)转化为毒性更小的As(V)，将溶液中的Fe(II)氧化为Fe(III)，同时在辉光放电等离子体体系中在合适的pH以及较优的铁砷摩尔比的范围内可以快速生成砷酸铁的难容性非晶化合物沉淀，实现高效的砷的去除。
利用辉光放电高效快速氧化固定水中方法及其装置

[发明专利]利用辉光放电低温等离子体法在钛合金表面渗氮的方法-CN201910942643.0有效
发明人：周艳文;李金龙;陈雪娇;赵卓;吕哲;张开策;滕越;张晶;杨永杰;黄振;方方;张豫坤 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C8/24 文献下载
摘要：本发明涉及利用辉光放电低温等离子体法在钛合金表面渗氮的方法，包括以下步骤：1)TC4钛合金基体打磨抛光碱洗，酸洗；2)真空清洗：将基体悬挂于辉光低温等离子体渗氮设备的真空腔体中，抽真空，控制氩气流量，除多余空气；开照明，进一步除水蒸气；抽真空，真空腔体内加热，保温，进一步除水蒸气；真空腔体内通入氩气和氮气；脉冲等离子体清洗；3)渗氮；本发明方法简单易行，所需温度低且容易控制，不会对试样本身的组织及力学性能有影响
利用辉光放电低温等离子体钛合金表面方法

[发明专利]离子化装置和包含离子化装置的质谱仪-CN201580068638.1有效
发明人： M.阿利曼;钟显耀;G.费多森科;R.罗伊特;A.劳厄;A.冯科伊德尔;M.伯克;T.本特;J.温特;P.阿瓦科维茨;L.戈尔霍弗 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01J27/08 文献下载
摘要：本发明关于一种离子化装置(1)，其包括：等离子体产生装置(4)，在初级等离子体区(9)中产生亚稳粒子(6a)和/或离子(6b)；场产生装置(13)，在次级等离子体区(10)中产生辉光放电(12)；进气口(2)，将待离子化的气体(3)供应入次级等离子体区(10)；以及另一进气口(5)，将离子化气体(6)的亚稳粒子(6a)和/或离子(6b)供应入次级等离子体区(10)。本发明还关于一种质谱仪(20)，包含此种离子化装置(1)；以及检测器(17)，其设置于离子化装置(1)的排气口(16)下游，用于该离子化的气体(3a、3a′)的质谱分析。
离子化装置包含质谱仪

[发明专利]用于在常压等离子体中疏水和超疏水处理的表面涂覆方法-CN200680024873.X有效
发明人：康邦权 -专利权人：康邦权
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： B05D3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用常压等离子体在工件表面涂覆碳氟化合物或烃的方法。更特别的，本发明涉及一种使用在常压产生的等离子体在工件表面涂覆烃或碳氟化合物从而使得该工件可以具有疏水性或超疏水性表面的方法。根据本发明采用碳氟化合物将工件表面涂覆成疏水的或超疏水的的方法包括步骤，通过将一种反应气体供入一个形成在第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，该反应气体包括氢气、碳氟化合物气体和惰性气体，第一和第二电极被连接到一个常压等离子体发生器的RF电源；将该工件靠近流过该放电空间的反应气体下游的第一电极，由此，在该放电空间产生的等离子体被传递到第一电极和该工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体
用于常压等离子体疏水处理表面方法

[发明专利]常压低温等离子体处理种子设备和操作方法-CN201711245263.9在审
发明人：万良淏;戴阳 -专利权人：南京苏曼等离子科技有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种大气常压辉光放电低温等离子体处理种子设备，包括低温等离子体处理基台和低温等离子体金属电极，所述低温等离子处理基台和大地地线连接，所述的低温等离子体金属电极与高压连接，所述低温等离子体金属电极设置在绝缘体介质管内，设有绝缘体介质板位于低温等离子处理基台上，覆盖低温等离子处理基台，所示绝缘体介质管通过四氟支架固定，并使所述绝缘体介质管与所述低温等离子处理基台保持水平，所述四氟支架上设有手柄，所述四氟支架的两端通过侧板和所述低温等离子处理基台连接，并能够在绝缘体介质板上平稳滑动。
常压低温等离子体处理种子设备操作方法