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[发明专利]等离子体处理装置-CN200610058370.6无效
发明人：里吉务;山本浩司;田中勇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理装置的处理室内的等离子体密度局部偏高的部位插入屏风部件，使等离子体失去活性，使等离子体密度均匀化。其特征在于，在等离子体处理装置(1)中，在处理室(3)内的等离子体密度局部偏高的部位上，设置使等离子体失去活性的屏风部件，使对被处理基板(G)的等离子体蚀刻率均匀化。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202110038794.0在审
发明人：铃木泰雄;铃木洋和 -专利权人：等离子体成膜有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括对基材(X)进行等离子体处理的多个等离子体处理室(S2～S6)、将基材(X)以立起状态保持的托盘(Y)、将托盘(Y)连续输送到多个等离子体处理室(S2～S6)的升降机构(10)，所述等离子体处理装置即使对难以卷绕到辊上的基材也能够连续进行等离子体处理。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201110054175.7有效
发明人：松浦广行;高桥俊树;福岛讲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN200810171431.9有效
发明人：松浦广行;高桥俊树;福岛讲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201180037725.2有效
发明人：节原裕一;江部明宪 -专利权人：国立大学法人大阪大学;EMD株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够根据离解的气体分子的种类或其离解能来容易地控制等离子体中的电子的能量分布的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置(10)具备：等离子体处理室(11)；与等离子体处理室(11)连通的等离子体生成室(12)；用于生成等离子体的高频天线(16)；用于控制等离子体中的电子的能量的等离子体控制板(17)；用于调整等离子体控制板(17)的位置的操作棒(171)及移动机构(172)。在该等离子体处理装置(10)中，仅通过利用移动机构(172)使操作棒(171)沿着长度方向移动来调整高频天线(16)与等离子体控制板(17)之间的距离，就能够控制在等离子体生成室(12)内生成的等离子体的电子的能量分布，因此能够容易地进行与离解的气体分子的种类或其离解能对应的等离子体处理。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202211008852.6在审
发明人：何政;唐怡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括处理室、等离子体源、承载座、偏压电源和线圈组件，承载座与偏压电源电性连接，承载座位于处理室中，至少部分等离子体源位于处理室外；承载座的承载面用于承载待处理件；等离子体源用于产生等离子体，等离子体位于处理室中，且与承载座相对设置；线圈组件用于产生磁场，承载面位于磁场中，磁场作用于等离子体中的离子，以使离子受到垂直于磁场方向的洛伦兹力。离子受到洛伦磁力的作用，从而可以改变离子的运动方向，使得离子可以从待处理件的侧部掺杂。因此，本公开提供的等离子体处理装置，该等离子体处理装置能够增强对待处理件的侧向离子掺杂效果。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201380002694.6有效
发明人：赤野真也 -专利权人：中外炉工业株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，即使等离子体与被处理品接近，也能使等离子体与被处理品隔离。本发明的等离子体处理装置1包括腔室（2），该腔室（2）内部具有对被处理品（5）进行保持的保持空间（2a）、以及要形成等离子体的等离子体空间（2b）；向等离子体空间内（2b）放出电子来形成等离子体的等离子体枪（3）；以及在保持空间（2a）与等离子体空间（2b）之间形成横穿腔室（2）的磁通的至少一对位置可调节的对置磁铁（4）。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202210905433.6在审
发明人：金秀燕;梁熙俊;尹昇好;丁世勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据一实施例的等离子体处理装置包括：电源供应部；等离子体电极，连接于所述电源供应部；等离子体处理部，被设置所述等离子体电极；工艺气体排出管，连接于所述等离子体处理部；以及气体方向变换部，位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202210496575.1在审
发明人：阪根亮太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：壁为多层结构的等离子体处理容器，其中，多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口，其设置在等离子体处理容器的壁，对等离子体处理容器内送入送出基片；和配置在等离子体处理容器内的基片支承部
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201811552302.4在审
发明人：铃木泰雄;丹上正安 -专利权人：等离子体成膜有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：为了实现制造的高效率化，并且即使在片状基材薄的情况下，也确保品质的等离子体处理装置，包括：等离子体处理室(X)，对片状基材(Z)进行等离子体处理；高频天线(3)，用以使等离子体处理室(X)内产生等离子体；以及送出机构(10)，将片状基材(Z)沿着上下方向送出至等离子体处理室(X)内。
等离子体处理室片状基材等离子体处理装置等离子体等离子体处理高频天线上下方向送出机构高效率送出制造

[发明专利]等离子体处理装置-CN200580029854.1有效
发明人：阿部寿治;高桥俊树;松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种对被处理体(W)实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器(12)、保持上述被处理体的被处理体保持单元(20)、产生高频电压的高频电源(58)和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线(60)使均处于激发电极状态的一对等离子体电极(56A、56B)与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元(72)，进一步使等离子体电极(56A、56B)均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010149908.4在审
发明人：川上聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，抑制将等离子体生成室与处理室分离的分离板的温度上升。等离子体处理装置包括气体供给部、第1电力供给部、分离板以及温度控制构件。气体供给部向等离子体生成室内供给气体。第1电力供给部通过向等离子体生成室内供给第1高频电力，从而使供给到等离子体生成室内的气体等离子体化。分离板为将等离子体生成室与等离子体生成室的下方的处理室分离的板状的分离板，该分离板具有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所含有的活性种向处理室引导的多个贯通口。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201010623407.1有效
发明人：林大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使等离子体稳定且对高频电场强度进行控制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置，在能减压的处理容器内设置第一电极，将处理气体导入上述处理容器内，由高频电力的能量生成等离子体，通过上述等离子体对被处理体施行期望的等离子体处理。等离子体处理装置的第一电极，在由期望的电介质形成的上部基材(105a)中嵌入与该基材相同材质的电介质(205)，将上部基材(105a)和电介质(205)之间通过导电性粘着层(210a)粘着固定。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN02807490.4无效
发明人：大见忠弘;平山昌树;须川成利;后藤哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社;大见忠弘
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202011222029.6在审
发明人：浅原玄德 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置。提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。
等离子体处理装置

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