“等离子体原子层沉积”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7207682个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]一种晶硅太阳能电池的制造工艺-CN201810276206.5在审
发明人：黎微明;糜珂 -专利权人：江苏微导纳米装备科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制造工艺，其包括如下工艺：激光打孔、制绒、扩散、背面刻蚀、原子层沉积或者等离子体原子层沉积钝化膜、正面减反层镀膜、印刷烧结；所述激光打孔可以在制绒、扩散、背面刻蚀任何一个工艺之前或者之后；所述原子层沉积或者等离子体原子层沉积钝化膜、正面减反层镀膜的工艺顺序可以根据工艺需要调整；采用原子层沉积或者等离子体原子层沉积工艺为电池片单面镀膜及在穿孔内壁上镀膜或者采用原子层沉积或者等离子体原子层沉积工艺为电池片的双面同时镀膜及在穿孔内壁上镀膜
等离子体原子层沉积镀膜原子层沉积硅太阳能电池背面刻蚀穿孔内壁激光打孔制造工艺电池片钝化膜减反层制绒种晶扩散单面镀膜烧结印刷

[发明专利]ONO结构及ONO电容的制作方法-CN201410217609.4无效
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO结构的制作方法，包括以等离子体增强原子层沉积工艺在晶圆表面生长第一氧化硅层；以等离子体增强原子层沉积工艺在所述第一氧化层上生长氮化硅层；以及以等离子体增强原子层沉积工艺在所述氮化层上生长第二氧化硅层上述步骤在等离子体增强原子层沉积设备中原位执行。本发明可以在同一设备同一工艺菜单中制作性能优越的ONO结构。
ono 结构电容制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910696415.X在审
发明人：刘中伟;柯宇伦;邱意为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供多层内连线系统中的金属间介电层，其采用的低介电常数的介电材料与其化学与物理特性的形成方法。此处所述的沉积技术包括等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积工艺，其前驱物如四乙氧基硅烷及二乙氧基甲基硅烷可提供必要的氧原子，而可不采用氧气作为反应物之一。所述的沉积技术可还包含采用氧气的等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积，其采用的前驱物可含有埋置的硅‑氧‑硅键如(CH
原子层沉积等离子体辅助化学气相沉积等离子体辅助前驱物沉积氧气二乙氧基甲基硅烷原子层沉积工艺金属间介电层四乙氧基硅烷半导体结构低介电常数介电材料物理特性反应物内连线氧原子多层硅键埋置

[发明专利]提供等离子体原子层沉积的方法-CN201980031266.3在审
发明人：普尔凯特·阿加瓦尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-05-03 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于在衬底上沉积层的方法。在衬底上方沉积多个等离子体原子层沉积(ALD)层，其中以第一RF功率沉积多个ALD层中的每个等离子体ALD层。所述多个等离子体ALD层被致密化，其包括使用大于第一RF功率的第二RF功率来产生致密化等离子体，其中多个等离子体ALD层中的至少一个被致密化。
提供等离子体原子沉积方法

[发明专利]利用等离子体辅助原子层沉积技术制造的半导体装置及其方法-CN202111258113.8在审
发明人：颜聪富;张光瑞;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 -专利权人：台湾奈米碳素股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及利用等离子体辅助原子层沉积技术制造的半导体装置及其方法。一种利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法，包括：提供基板，基板包括硅基板及第一氧化层。沉积多个堆叠层于基板之上，堆叠层包括介电层及导体层。蚀刻堆叠层以形成至少一个沟槽。使用等离子体辅助原子层沉积装置沉积第二氧化层于堆叠层及沟槽上。等离子体辅助原子层沉积装置包括腔室、上电极及下电极，上电极位于腔室的上方并包括多个喷头。第一射频功率装置让上电极的该多个喷头产生等离子体，第二射频功率装置清洁该多个喷头，下电极设置于腔室的下方并连接一第三射频功率装置。沉积高电阻层于第二氧化层上，沉积低电阻层于高电阻层上。
利用等离子体辅助原子沉积技术制造半导体装置及其方法

[发明专利]一种改善Al₂O₃/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法-CN201510393302.4无效
发明人：李海鸥;曹明民;林子曾;王盛凯;刘洪刚;李琦;肖功利;高喜;曹卫平 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括对衬底表面进行N₂等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤，所述对衬底进行N₂等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS 200原子层沉积系统中进行，其中：对衬底表面进行N₂等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中，利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N₂等离子体对衬底表面进行N₂等离子体处理；栅介质沉积步骤是将N₂等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。
一种改善 al sub inp mos 电容界面特性漏电钝化方法

[发明专利]具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法-CN202210817186.4在审
发明人：李伟豪;许倍诚;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法。等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统包括工艺室。在工艺室内支撑靶材衬底。在工艺室内在靶材衬底之上放置网格。在PEALD工艺期间，等离子体产生器产生等离子体。在等离子体与靶材衬底反应之前，通过使等离子体通过网格中的孔来降低等离子体的能量。
具有保护网格等离子体增强原子沉积系统方法

[发明专利]一种氮化锌薄膜的制备方法-CN201210545142.7有效
发明人：解婧;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化锌薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）将衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；（2）向原子层沉积设备反应腔中通入含锌前驱体源，含锌前驱体源中的锌原子吸附于衬底表面；（3）向原子层沉积设备反应腔中通入含氮前驱体源，然后通过等离子体将含氮前驱体源电离，或将经过等离子体电离的含氮前驱体源通入原子层沉积设备反应腔中，电离后含氮前驱体源中的氮原子部分沉积，与衬底表面的锌原子形成氮锌共价键；（4）重复所述步骤（2）和步骤（3）即可逐层生长氮化锌薄膜。本发明通过等离子体将氮源引入原子层沉积系统，再通过调控腔室温度、真空度、循环周期、等离子体条件等条件，获得带隙可调控的各种优质氮化锌薄膜。
一种氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种多晶氮化铟的制备方法-CN201810751031.9在审
发明人：彭洪;冯星灿;王立 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶氮化铟的制备方法，包括：非晶衬底表面清洗；将清洗干净的非晶衬底放入等离子体原子层沉积系统中；在真空条件下，含铟化合物和氮等离子在等离子体原子层沉积系统中进行反应，在非晶衬底表面制备多晶氮化铟其在密闭的等离子体原子层沉积系统中，通过调节等离子体功率、反应温度、反应时间等参数制备氮化铟薄膜，制备的过程中，反应所需要的温度较低，原料来源广泛，操作简单。
制备等离子体原子层沉积氮化铟多晶非晶衬底表面清洗等离子体功率氮化铟薄膜氮等离子真空条件铟化合物密闭衬底放入

[发明专利]原子层沉积设备-CN201310739361.3在审
发明人：李兴存;白志民;张彦召 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-29 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种原子层沉积设备，该等离子体辅助原子层沉积设备包括至少一个工艺腔室、多个前驱体源和用于承载并运输沉积基底的传送带，所述传送带穿过所述工艺腔室，多个所述前驱体源包括第一前驱体源，其中，所述原子层沉积设备还包括第一等离子处理装置，每个所述工艺腔室都包括等离子体辅助反应段，所述第一等离子处理装置能够对所述第一前驱体源提供的第一前驱体进行等离子解离，并且所述第一等离子处理装置将所述第一前驱体源与所述等离子体辅助反应段连通。利用第一等离子处理装置对第一前驱体源提供的第一前驱体进行解离后，可以降低原子层沉积所需要的温度。并且，本发明所提供的原子层沉积设备具有较高的生产效率。
原子沉积设备

[发明专利]一种铝掺杂氧化锌薄膜的制备方法-CN202211361733.9在审
发明人：董雪迪;林佳继;张武;刘群 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝掺杂氧化锌薄膜的制备方法，所述制备方法采用原子层沉积和等离子体增强原子层沉积的组合技术，以依次进行第一原子层沉积、第二原子层沉积、第一等离子体增强原子层沉积和第二等离子体增强原子层沉积为一次大循环本发明提供的制备方法能够使铝原子更加有效地置换锌原子，同时控制薄膜中锌和铝的比例，从而提升薄膜的透光率，并且电阻率较低，工艺适配度高，可以广泛应用。
一种掺杂氧化锌薄膜制备方法

[实用新型]一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置-CN202221366448.1有效
发明人：徐从康 -专利权人：浙江弘康半导体技术股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，包括镀膜室、远程等离子体原子层沉积系统，所述镀膜室两侧分别设有收卷辊和放卷辊，所述镀膜室设有多个，且依次轴向相邻拼接密闭，所述镀膜室内设有导向辊，导向辊与收卷辊和放卷辊之间通过基材料带相连，每个镀膜室上方均设有远程等离子体原子层沉积系统，其等离子体发射端紧挨通过基材料带。本实用新型一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，通过针对镀膜室数量的灵活增设或减配，以此适配反应的循环次数来控制薄膜的厚度，其中装配后的每个镀膜室之间分别独立通气，每个腔体气压和气体组分可分别适当调整，有利于沉积出质量优良的薄膜。
一种等离子体辅助原子沉积阻隔装置

[实用新型]等离子体增强原子层沉积设备-CN201320165837.2有效
发明人：王东君 -专利权人：王东君
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强原子层沉积设备，包括：相互贯通的等离子体产生腔体、扩散腔体、反应腔体以及抽气腔体，其中：所述等离子体产生腔体具有等离子体产生气体进气口以及使来自所述等离子体产生气体进气口的等离子体产生气体产生等离子体的等离子发生装置；所述等离子体产生腔体和所述扩散腔体之间设置有反应物进气口，来自所述反应物进气口的反应物与产生的等离子体在所述扩散腔体的内部均匀混合；所述反应腔体的内部设置有用于放置与所述反应物发生反应的待沉积样品的样品台该设备实现了高质量原子层薄膜的沉积。
等离子体增强原子沉积设备

[发明专利]利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法-CN202111258327.5在审
发明人：颜聪富;张光瑞;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 -专利权人：台湾奈米碳素股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法，包括：提供基板，基板包括硅基板及第一氧化层，第一氧化层位于硅基板上。沉积多个堆叠层于基板上，每个堆叠层包括介电层及导体层。蚀刻堆叠层以形成沟槽。使用等离子体辅助原子层沉积设备沉积第二氧化层。等离子体辅助原子层沉积设备包括腔室、上电极、下电极及三维旋转装置。上电极位于腔室的上方并连接第一射频功率装置，上电极用于产生等离子体。沉积高电阻层于第二氧化层上。沉积低电阻层于高电阻层上。
利用等离子体辅助原子沉积技术制造半导体装置方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条