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- [发明专利]电性测试结构-CN202110957580.3在审
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唐乃维;周正良;刘翔
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2021-08-20
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2021-09-17
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H01L21/66
- 本发明提供的电性测试结构中，第二离子掺杂区位于阵列分布的多个第一离子掺杂区的外围，第一和第二离子掺杂区之间形成PN结，多个第一接触孔分别设置于各个第一离子掺杂区，多个第二接触孔设置于第二离子掺杂区，多条第一导电线分别与对应的一列第一接触孔电性连接，第二导电线与各条第一导电线的一端连接，使得多个第一接触孔之间并联，第三导电线与多个第二接触孔电性连接，其中，通过在第二导电线和第三导电线之间施加针对PN结的反向电压并获得电流测试结果以判断第一接触孔和第二接触孔的可靠性所述电性测试结构的电流测试结果可以反应接触孔的漏电状况，利用所述电性测试结构可以方便、有效地监控多个接触孔的漏电状况。
- 测试结构
- [发明专利]电性连接装置-CN202111191158.8在审
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高伟强
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尼康斯股份有限公司
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2021-10-13
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2023-04-14
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H01R13/02
- 一种电性连接装置，包含核心单元，及定位于所述核心单元的接触单元。所述核心单元包括第一绝缘层，设置于所述第一绝缘层中的多个信号件、第一接地件、第二接地件，及与所述第一接地件、第二接地件电连接的第一接地平面。每一个第一接触件及个别的信号件皆与所述第一接地平面电性独立，而每一个第二接触件、对应的第一接地件，与至少一个第二接地件共同围绕相邻的第一接触件。借此有利于因应微小尺度的可分离的电连接，并能对信号传输产生屏蔽。
- 连接装置
- [发明专利]电性测试结构-CN202110436891.5有效
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唐乃维;周正良
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2021-04-22
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2022-09-30
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H01L21/66
- 本发明提供一种电性测试结构。所述电性测试结构具有设置在半导体基底上的多个密集区，密集区之间设有离子掺杂区，在密集区内，第一接触孔设置在多个半导体结构之间，每个所述离子掺杂区内形成有第二接触孔，第一接触孔通过横跨在所述半导体结构上的导电结构与临近的第二接触孔电连接通过测量串联电路的总电阻可以检测第一接触孔和第二接触孔的电性能情况，进而可以监控生产过程中的制程变化，而且利用所述电性测试结构可以估算在狭窄区域中形成的第一接触孔的电性能。
- 测试结构
- [发明专利]电性连接结构-CN200810093568.7无效
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王任鹏
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奇美电子股份有限公司
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2008-04-25
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2009-10-28
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H01R4/24
- 本发明公开了一种电性连接结构。此电性连接结构至少包含有第一电性接点、第二电性接点及粘着层。第二电性接点具有至少一突出结构，粘着层形成于第一电性接点和第二电性接点之间，用以粘合第一电性接点和第二电性接点，其中第二电性接点的突出结构穿透过粘着层来接触于该第一电性接点，以形成电性连接。本发明的电性连接结构可形成单向电性导通和接合固定，特别是适用于无法进行高温铅锡焊接的工艺中，且可避免发生横向导通的短路情形。
- 连接结构
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