专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种串并联式保护器-CN02246882.X无效
  • 卢永浩 - 舜全电子股份有限公司
  • 2002-08-13 - 2004-05-12 - H01H85/00
  • 本实用新型是一种串并联式保护器,其主要将基体以二电极前、后夹贴,分别接设导入线、导出线及导共线,再裹合覆体所组成;其中:导入线,将内端接定电极,以绝缘导管套覆至电极外边,该管内导入线的区段连接着热熔丝及拉伸弹簧,由接脚端延伸裸露到覆体之外;导出线,将内端接定于同侧电极而成串联型态;导共线,将内端接定在异侧电极而成并联型态;在区域性防御架构下,电源正极线路经导入线衔接于保护器内,由导出线的接脚端串接到被保护回路,藉导共线将负极电源线路并联于保护器。
  • 一种串并联式突波保护
  • [发明专利]静电放电保护装置-CN201010594425.1有效
  • 蔡铭宪;叶子祯;周淳朴;薛福隆 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-12-14 - 2011-09-28 - H02H9/04
  • 本发明提供一种静电放电保护装置,其包括:第一半导体型态的第一阱,形成在第二半导体型态的基板之中以形成第一二极管。第二半导体型态的第二阱,形成在基板以形成具有第一阱的第二二极管。第一半导体型态的第一多个参杂区域,形成于第一阱的上表面。第二半导体型态的第二多个参杂区域,形成于第一阱的上表面以形成具有第一阱的第三二极管。多个浅沟渠隔离STI区域,设置于第一阱的上表面,每个STI区域设置于第一半导体型态以及第二半导体型态的参杂区域之间。当在第一或第二多参杂区域的一个接收到ESD电压时,则第三二极管提供电流旁路。
  • 静电放电保护装置
  • [实用新型]复合式吸收器-CN98205050.X无效
  • 黄玉章 - 光碁科技股份有限公司
  • 1998-06-01 - 1999-08-25 - H01H73/00
  • 一种复合式吸收器,包括一吸收器本体、一热敏电阻本体、两接脚及一绝缘,吸收器本体与热敏电阻本体两侧各分别具有与接脚焊接的电极面;热敏电阻本体直接固设在吸收器本体的一侧,热敏电阻本体与吸收器本体相对的电极面焊合在一起;接脚上段分别焊接在吸收器本体与热敏电阻本体外侧的电极面上;绝缘涂装在两者组合后的表面上;吸收器本体与热敏电阻本体相对的电极面间可焊接一接脚。
  • 复合式突波吸收
  • [发明专利]具有抗与静电的二极体结构及制程方法-CN200910057033.9无效
  • 黄国钦;蓝文厚;潘锡明;杨志伟;简奉任 - 山东璨圆光电科技有限公司
  • 2009-04-07 - 2010-10-13 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种具有抗与静电的二极体结构,其包含有一基板、一N型半导体、一P型半导体、一发光、一透明导电、一正电极、一负电极与一静电保护。此外,本发明还公开了该具有抗与静电的二极体结构的制程方法。其中正电极经透明导电、P型半导体、发光与N型半导体至负电极形成一第一路径供一电压通过,且利用静电保护的电性,以促使负电极经静电保护至正电极形成一第二路径供一电流通过,若偏压电压超过二极体的操作电压,将使电流经静电保护从负电极传导至正电极或从正电极经由静电保护传导至负电极,使二极体结构不受与静电影响,以提供二极体具有更好的抗与静电效能。
  • 具有抗突波静电二极体结构方法
  • [实用新型]多次性雷击电压保护器-CN201120167328.4有效
  • 陈坤荣;王启信 - 天百利企业有限公司
  • 2011-05-23 - 2011-11-30 - H02H9/06
  • 本实用新型提供一种多次性雷击电压保护器,包括一第一吸收器及一电路保护装置,第一吸收器具一基板、一第一导电及一第二导电,第一导电及第二导电形成于基板上,第一导电包括一第一接脚端、一第一延伸部及至少一第一环形片,第二导电包括一第二接脚端、一第二延伸部及至少一第二环形片及一第三接脚端,第一导电及第二导电在基板上相对设置,第一延伸部、第二延伸部、第一环形片及第二环形片的周缘凸设多个锯齿结构,且该环形片交互对应环设;电路保护装置利用至少一电路保护组件串接于该第二接脚端与该第三接脚端;本实用新型的多次性雷击电压保护器避免了继续造成后端的电器产品损坏,使电器产品获得保护。
  • 多次雷击电压保护
  • [发明专利]具有保护功能的电源插座组件-CN202111163182.0在审
  • 许荣辉;许博桦;陈启健 - 胜德国际研发股份有限公司
  • 2021-09-30 - 2023-03-17 - H01R13/514
  • 本发明公开一种具有保护功能的电源插座组件,其包括插座本体、至少一个电源输出插孔、取电装置、至少一个保护模块、微控制器组件以及侦测电路。至少一个保护模块包括壳体、内存组件及保护电路。保护电路包括串接的吸收组件与温度保险丝。吸收组件吸收由外部电源输入的一,内存组件记录吸收组件所承载的次数。当一由外部电源进入电源插座组件内时,吸收组件吸收该并且,侦测电路输出一信号至微控制器组件,微控制器组件将吸收组件所承载的次数写入内存组件中。
  • 具有保护功能电源插座组件
  • [实用新型]一种吸收器-CN200420037651.X无效
  • 李宏;邬杨波;施仕君 - 宁波大学
  • 2004-07-16 - 2005-07-13 - H01L49/00
  • 本实用新型公开了一种吸收器,包括一个玻璃管壳,玻璃管壳中密封设置有两个电极和一个芯片,芯片夹持在两个电极中间,电极上连接有引线,玻璃管壳内设置有充满气体的气体室,特点是芯片由对称的多层半导体和绝缘体构成,它的结构设置为:绝缘体—N+半导体—N型半导体—N+半导体—绝缘体,绝缘体与电极相接触,优点是响应速度快、冲击击穿电压低、无光敏效应、体积小、绝缘电阻高等特点外,还具有对称的芯片结构,可保证吸收器二个方向的直流击穿电压基本对称,同时该结构的N+半导体可以使吸收器的直流击穿电压更加稳定,而这种吸收器用常规的半导体工艺和硅材料制造,制造成本大幅下降。
  • 一种吸收

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