专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2504405个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种叠层有机电致发光器件-CN200910091404.5无效
  • 李林森;关敏;曹国华;曾一平;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
  • 2009-08-19 - 2011-03-30 - H01L27/32
  • 本发明公开了一种叠层有机电致发光器件,该器件包括:一透明阳极;一金属阴极;位于该透明阳极和该金属阴极中间的至少两个电致发光单元,每个电致发光单元至少包括一有机空穴传输层、一有机发光层和一有机电子传输层;位于两个电致发光单元中间的电荷产生单元,用于连接两个电致发光单元,包括金属掺杂的有机层和过渡金属氧化物掺杂的有机层,该过渡金属氧化物掺杂的有机层比该金属掺杂的有机层更靠近该电致发光单元中的有机空穴传输层本发明提供的这种叠层有机电致发光器件,分别用金属和过渡金属氧化物掺杂同一种有机电子传输材料的结构作为叠层有机电致发光器件的电荷产生单元,可应用于有机平板全色显示和固体照明领域。
  • 一种有机电致发光器件
  • [发明专利]有机发光二极管及其制造方法-CN201010281439.8有效
  • 周卓辉;曾国晏 - 周卓辉
  • 2010-09-13 - 2012-04-04 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法,该有机发光二极管包括第一电极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极。第一空穴传输层设于第一电极上,第二空穴传输层设于第一空穴传输层上。第一发光层设于第二空穴传输层上,且第一发光层在最低未占据轨域的能阶小于第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶。电子传输层设于第一发光层上,电子注入层设于电子传输层上,而第二电极则设于电子注入层上。其中,第一空穴传输层的厚度大于第二空穴传输层的厚度。
  • 有机发光二极管及其制造方法
  • [发明专利]一种转印图案化自组装绝缘材料制备微纳QLED的方法-CN202210781660.2在审
  • 孟汀涛;李福山;郑文晨;郑悦婷;钟涛;郭太良 - 福州大学
  • 2022-07-05 - 2022-10-11 - H01L51/56
  • 本发明公开了一种转印图案化自组装绝缘材料制备微纳QLED的方法,在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化绝缘材料、发光层、电子传输层、金属阴极,所述图案化绝缘材料的制备方法为:先制备带图案化柱状的PDMS印章;再将起固定在亚相表面上,并放置玻璃基板,通过LB膜拉膜机自组装生成图案化的绝缘材料LB膜;并提出水面,对其进行80℃退火;最后将含有图案化绝缘材料的玻璃基板贴合到空穴传输层上,依次按压、分离,使图案化的绝缘材料被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微纳级别,从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元
  • 一种图案组装绝缘材料制备qled方法
  • [发明专利]一种聚合物太阳能电池及其制备方法-CN201310233900.6有效
  • 刘贤豪;李秀贞;于正森;侯丽新 - 中国乐凯集团有限公司
  • 2013-06-13 - 2013-09-25 - H01L51/42
  • 一种聚合物太阳能电池及其制备方法,所述电池包括透明阳极、空穴传输层、光活性层和金属阴极,所述空穴传输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层,第一空穴传输层设置在透明阳极的表面,第一空穴传输层中掺杂有金属纳米材料;第二空穴传输层设置在第一空穴传输层表面;所述光活性层中掺杂有金属纳米材料。本发明使第一空穴传输层中裸露的金属纳米材料被覆盖,与电池的光活性层形成良好的欧姆接触,避免了因金属纳米材料的引入影响电池的电学性质,保证了电池的开路电压和填充因子不降低,同时光电转换效率提高了10%以上
  • 一种聚合物太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202010973442.X有效
  • 张天朔 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2020-09-16 - 2023-10-10 - H10K50/115
  • 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,量子点发光二极管包括:阳极,阴极,设在阳极与阴极之间的量子点发光层,设在阳极与量子点发光层之间的空穴功能层;空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层,空穴注入层靠近阳极,空穴传输层靠近量子点发光层,空穴注入层材料为MoO3空穴传输层材料为钯氧化物和铂氧化物中的一种或多种;或者,空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层以及缓冲层,空穴注入层靠近阳极,缓冲层靠近量子点发光层,空穴传输层设在空穴注入层和缓冲层之间,空穴注入层材料为MoO3空穴传输层材料为镍氧化物,缓冲层材料为Al空穴功能层,有利于QLED稳定。
  • 一种量子发光二极管及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top