专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种原位加工空心纳米腔的方法-CN201911281434.2有效
  • 吴幸;理解放 - 华东师范大学
  • 2019-12-13 - 2023-03-10 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种原位加工空心纳米腔的制备方法,该方法包括:采用喷碳仪对将要观察的纳米线沉积一层碳膜;利用scotch胶带粘住纳米线上下表面,反复粘贴,将含碳膜的纳米线上下表面碳膜去除;制得的纳米线在光学显微镜下用微机械装置转移到铜网或微栅上;将微栅或铜网装入样品杆,调节电子束聚焦到纳米线;电子束辐照的同时,对纳米线进行原位加热,使纳米线发生各向异性升华,完成碳层包裹的空心纳米腔。本发明能够在透射电子显微镜中进行纳米材料的精准加工。原位加工空心纳米腔的方法省去聚焦离子束的加工和样品的转移,减少了杂质的引入,极大扩展了纳米材料快速高效、无破坏性的精准纳米加工。
  • 一种原位加工空心纳米方法
  • [发明专利]一种铑碲合金空心纳米管的制备方法-CN201710222650.4有效
  • 谢水奋;王伟;许清池;杨文 - 厦门大学;厦门大学深圳研究院
  • 2017-04-07 - 2019-02-15 - B22F9/24
  • 一种铑碲合金空心纳米管的制备方法,涉及纳米管。提供方法简单易行,可大量制备晶态良好、原子利用率高、高稳定性的一维铑碲中空纳米管状材料的一种铑碲合金空心纳米管的制备方法。制备碲纳米线;制备RhTe合金纳米管;将得到的RhTe合金纳米管经过NaOH处理,即得高Rh含量的铑碲合金空心纳米管。利用湿部化学的方法,以结构稳定、可大量制备的超细Te纳米线为牺牲模板,经过置换过程后得到形貌规则的RhTe空心纳米管状材料。通过改变金属前驱体盐氯铑酸钠十二水合物的投料量以置换反应机理过程来调控合成不同厚度、高纵横比RhTe空心纳米管。
  • 一种合金空心纳米制备方法
  • [发明专利]二氧化锆纳米空心线、其制备方法、隔热毡-CN202111583841.6在审
  • 武令豪;张世超;孙现凯;孙浩然;陈玉峰;艾兵 - 中国建筑材料科学研究总院有限公司
  • 2021-12-22 - 2022-05-06 - C01G25/02
  • 本发明是关于一种二氧化锆纳米空心线、其制备方法、隔热毡。所述方法包括:将十六烷基三甲基溴化铵溶于盐酸溶液中,搅拌至透明溶液;向其中加入过硫酸铵,搅拌至白色悬浮液;向其中加入吡咯单体,搅拌得聚吡咯纳米线;将其干燥,热解,得碳纳米线;将其加入去离子水中,与钇盐和锆盐混合,超声处理,搅拌,得氧化钇稳定的氧化锆水热合成混合液;将其置于反应釜中加热反应,得到氧化锆包覆的碳纳米线材料;煅烧,得二氧化锆空心纳米线。所解决的技术问题是如何制备管径为20~100nm的二氧化锆纳米空心线,使其具有较高的比表面积(>1.2m2/g);超低的体积密度(<0.14g/cm3),应用该二氧化锆纳米空心线制备的隔热毡隔热效果好,从而更加适于实用。
  • 氧化锆纳米空心制备方法隔热
  • [发明专利]基于金银纳米线光波导的新型探针的制备方法-CN201010189999.0有效
  • 方蔚瑞;黄映洲;徐红星 - 中国科学院物理研究所
  • 2010-05-25 - 2010-11-10 - B82B3/00
  • 本发明公开了一种基于金银纳米线光波导的新型探针的制备方法,该方法利用光纤与金银光波导的直接耦合制备针尖,用溶胶-凝胶法合成金或者银纳米线,用空心光纤腐蚀或者用熔融法拉锥使其尖端直径约1微米左右用微操注射器将金银纳米线一端吸入管中后将光纤管与金银纳米线结合出熔融结合当从光纤一端导入激光时,光从光纤传播至金银纳米线处,激发处金银纳米线上传播的表面等离子体,表面等离子体传播到纳米线尖端时变成光的形式耦合出来。基于光纤的探针可以用来作为扫面近场显微镜的探针。如果微操作器来对细胞手术,或者激发细胞内的信号等,可以用毛细管拉锥后融合纳米线
  • 基于金银纳米波导新型探针制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201510089794.8有效
  • 禹国宾;林静 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-02-27 - 2019-01-22 - H01L21/336
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置,所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有若干悬置的第一纳米线,以及位于所述第一纳米线两端的侧墙,在所述侧墙外侧的半导体衬底上形成有源极区域、漏极区域;形成环绕第一纳米线整个外表面的外延层;在所述半导体衬底上形成沿所述第一纳米线的径向方向环绕所述外延层的一部分的栅极结构;对所述源极区域、漏极区域进行掺杂,以分别形成源极、漏极;去除所述侧墙;刻蚀去除所述第一纳米线,保留所述外延层,以形成第二纳米线。根据本发明的制作方法形成的全环栅纳米线场效应晶体管,具有空心纳米线结构,可减小漏电流、提高电子迁移率,进而提高器件的整体性能和可靠性。
  • 一种半导体器件及其制作方法电子装置

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