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[发明专利]一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法-CN201810415270.7有效
发明人：杨为家;何鑫;刘铭全;刘俊杰;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，所述Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线。本发明的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中包裹金属纳米线来增强器件的性能，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸；通过在ZnO层中包裹金属纳米线，可以提高ZnO阻变存贮器的相应速率，赋予阻变存贮器良好的稳定性。
一种 ag 纳米增强 zno 存贮器及其制备方法

[发明专利]一种耐弱酸腐蚀的多孔氧化物薄膜的制备方法-CN201811487086.X有效
发明人：杨为家;王诺媛;刘艳怡;刘俊杰;刘铭全;何鑫;陈梅 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜技术领域，尤其是一种耐弱酸腐蚀的多孔氧化物薄膜的制备方法，本发明以醋酸盐为原料，以氯化锌、聚乙二醇为造孔剂，乙二醇为溶剂，通过高温烧结，以及采用弱酸腐蚀进一步造孔，最终得到耐弱酸腐蚀的多孔氧化物薄膜；本发明制备设备成熟，工艺简单，制备成本低；在烧结过程中，醋酸盐分解成耐弱酸的金属氧化物、水和二氧化碳，ZnCl2与醋酸根或者聚乙二醇一起反应，分解成ZnO、氯化氢、水、二氧化碳，氯化氢、水、二氧化碳挥发出来形成孔洞；由于ZnCl2速率较快，因而形成了长度较短的纳米柱；本发明制备晶须增强多孔ZnO薄膜，晶须是单晶ZnO纳米柱，具有优异的性能，可广泛应用于气敏探测器和光催化降解等领域。
一种弱酸腐蚀多孔氧化物薄膜制备方法

[发明专利]一种网格状纳米线及其制备方法-CN201810521042.8有效
发明人：杨为家;何鑫;梁萍;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;陈廷宇 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种网格状纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)设计网格图案，并按照网格图案制成掩膜板；(2)采用PECVD或者磁控溅射法在衬底上制备一层厚度为20‑300nm的SiO2薄膜；(3)在SiO2薄膜上旋涂光刻胶，使用步骤(1)中制备好的掩膜板进行曝光处理，在SiO2薄膜上获得生长网格状纳米线所需的网格图案，得到曝光处理后的SiO2薄膜；(4)采用RIE或者ICP刻蚀所述曝光处理后的SiO2薄膜，刻蚀直至衬底，得到刻蚀后的衬底，从而在衬底上获得生长网格状纳米线所需的网格图案；(5)在刻蚀后的衬底的网格状模板上利用水热法生长网格状纳米线；(6)将网格状纳米线从衬底上剥离出来，从而获得网格状纳米线。
一种网格纳米及其制备方法

[发明专利]ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器-CN201810700070.6有效
发明人：杨为家;何鑫;刘铭全;徐维;王诺媛;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎;陈振杰 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米柱阵列、ZnO纳米晶及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米柱阵列，所述Si纳米柱阵列表面分布有ZnO纳米晶，所述Si纳米柱阵列的顶部还设置有电极材料；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO纳米晶的分布均匀性，提并利用Si纳米柱阵列的特殊光学特性及ZnO纳米晶的局域表面敏感性提高传感器的灵敏度和整体性能。
zno 纳米增强 si 阵列敏感材料及其制备方法传感器

[发明专利]ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器-CN201810701499.7有效
发明人：杨为家;何鑫;沈耿哲;江嘉怡;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;劳锦棠 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米/微米柱阵列、ZnO薄膜、Pt纳米粒子及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米/微米柱阵列，所述Si纳米/微米柱阵列表面包裹有ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面负载有金属纳米粒子，所述Si纳米/微米柱阵列的顶部还设置有电极材料；所述金属纳米粒子为Pt、Au、Ag、Ni、Fe纳米粒子中的至少一种；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米/微米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO和金属纳米粒子的分散效果，利用Si纳米/微米柱阵列的特殊光学特性及金属纳米粒子的局域表面等离子体增强效应提高传感器的灵敏度和整体性能。
zno si 纳米微米阵列敏感材料及其制备方法传感器

[发明专利]一种ZnO纳米花及其制备方法-CN201810840827.1有效
发明人：杨为家;沈耿哲;何鑫;刘均炎;张弛;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;胡林顺 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO纳米花及其制备方法。所述ZnO纳米花经过醋酸锌、碳酸锌混合溶液的制备，醋酸锌、碳酸锌混合薄膜的制备以及高温烧结三步制备完成。本发明所述ZnO纳米花呈现三维网络结构，可以在多种大尺寸衬底上实现可控生长，衬底包括玻璃、Si、蓝宝石、金属，有利于降低生产成本，而且制造设备简单，工艺成熟，方便规模化生产，本发明所述ZnO纳米花适用范围广，有望在光电探测器、气敏探测器和太阳能电池等领域发挥积极作用。
一种 zno 纳米及其制备方法

[发明专利]传播路径水平分布的ZnO/碳纳米线敏感材料及其制备方法和高敏度传感器-CN201810701062.3有效
发明人：杨为家;何鑫;刘均炎;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;沈耿哲;江嘉怡;赵思柔 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种传播路径水平分布的ZnO/碳纳米线敏感材料，包括网状碳纳米线及依次设置在该碳纳米线表面的ZnO薄膜、ZnO纳米晶和电极材料，还公开了该敏感材料的制备方法、以及由该敏感材料制备得到的高敏度传感器。本发明采用平面式网状传播路径，缩短了信号的传播路程，有利于提高器件的响应灵敏度，而且以网状碳纳米线作为ZnO的载体，方便调控ZnO的聚集形态，提高其分布均匀性，同时工艺简单，可控性好，降低了工艺复杂程度和生产成本。
传播路径水平分布 zno 纳米敏感材料及其制备方法高敏度传感器

[发明专利]一种褶皱状立体多孔ZnO薄膜及其制备方法-CN201811072745.3有效
发明人：杨为家;刘俊杰;刘铭全;何鑫;刘志豪;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种褶皱状立体多孔ZnO薄膜及其制备方法。所述褶皱状立体多孔ZnO薄膜经过醋酸锌、聚乙二醇、乙醇按0.05‑0.6g:0.05‑0.6g:10‑150mL的比例混合制备混合溶液，醋酸锌和聚乙二醇混合薄膜的制备以及混合薄膜的高温烧结处理三步制备完成。本发明所述褶皱状立体多孔ZnO薄膜可以在多种基板上生长，基板包括玻璃、硅片、蓝宝石、金属，有利于降低生产成本，而且工艺成熟，方便规模化生产。本发明所述褶皱状立体多孔ZnO薄膜适用范围广，有望在气敏探测器和光催化降解等领域发挥积极作用。
一种褶皱立体多孔 zno 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种网格状ZnO螺旋式多孔空心纳米线传感器的制备方法-CN201810558838.0有效
发明人：杨为家;何鑫;刘均炎;蒋庭辉;梁萍;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;方智仁 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种网格状ZnO螺旋式多孔空心纳米线传感器的制备方法，该方法以纺丝液为原料，先在ITO导电玻璃上使用静电纺丝制备前驱体，再将前驱体转移至电阻炉中煅烧获得网格状ZnO螺旋式多孔空心纳米线，然后在网格状ZnO螺旋式多孔空心纳米线四周涂覆Ag或者Au电极或者导电胶，并引出导线，即可获得结构完成的气敏传感器，该方法可控性好，工艺简单，成本低而且获得的传感器灵敏度高。
一种网格 zno 螺旋式多孔空心纳米传感器制备方法

[发明专利]一种螺旋状超长金属线/带的制备方法-CN201810415754.1有效
发明人：杨为家;何鑫;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;沈耿哲 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋状超长金属线/带的制备方法，包括以下步骤：1)在衬底上旋涂光刻胶；2)用掩膜板进行曝光显影，在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域；3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜；4)在真空炉中退火，使金属薄膜结晶，并与衬底键合在一起；5)反向剥离，除去光刻胶和多余的金属薄膜，在衬底上获得螺旋状的超长线/带，6)除去衬底，得到螺旋状的超长线/带；其中，所述线/带的宽度为微米级或纳米级。本发明利用掩膜板制备超长的金属线/带，有序性好，其长度可达几米甚至数十米，可以像电缆一样盘卷起来；该制备方法简单，适用于多种金属，适合产业化生产。
一种螺旋状超长金属线制备方法

[发明专利]金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法-CN201810415268.X有效
发明人：杨为家;何鑫;王诺媛;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法，包括以下步骤：1)在图形化衬底上形成一层金属薄膜，快速升温至750‑1200℃，退火1‑10min，即可在图形化衬底上形成金属纳米粒子；2)转移至MOCVD生长室中，生长缓冲层；3)生长u型GaN、n型GaN、InGaN/GaN量子阱、AlGaN电子阻挡层和p型GaN，即可获得金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED。本发明利用金属纳米粒子作为掩膜，提高缓冲层的横向外延过生长，降低位错密度，达到提高磊晶的效果；使用金属纳米粒子，有利于减小缓冲层的厚度；Au或Ag纳米粒子对光具有较好的反射特性，将有源层发出来的光和LED表面反射回来的光发射出去，提高了LED器件的出光效率。
金属纳米粒子修饰图形衬底 led 制备方法

[发明专利]基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜及其制备方法-CN201810415769.8有效
发明人：杨为家;何鑫;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层，可以有效改善电流分布的均匀性，电流密度比ITO提高10％以上；与ITO相比，Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小，成本也显著降低；基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好，具备一定的光子晶体的功能，有利于提高LED的正面出光效率。
基于晶体 ag 纳米网格 al 掺杂 zno 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器及其制备方法-CN201810840948.6有效
发明人：杨为家;沈耿哲;何鑫;梁萍;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;陈毅湛 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器及其制备方法。经过制备混合溶液、多层薄膜、高温烧结、金属纳米粒子、电极等步骤制备所述基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器。本发明所述制备方法适用范围广，可以在多种大尺寸衬底上实现基于ZnO纳米网格的紫外光电探测器的制备，有利于降低生产成本，而且制造设备简单，工艺成熟，方便规模化生产，另外，本发明所述的紫外光电探测器光电响应性能优良。
一种基于 zno 纳米网格紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于掺杂SnO2-CN201810530230.7有效
发明人：杨为家;何鑫;张弛;刘均炎;沈耿哲;吴健豪;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺杂SnO2纳米导电网络的透明柔性压力传感器、及其制备方法，该传感器，包括由下至上依次排列的第一PDMS薄膜层、掺杂SnO2纳米导电网络层、电极、以及第二PDMS薄膜层，具体包括以下步骤：S1)、制备掺杂SnO2纳米导电网络前驱体；S2)、制备掺杂SnO2纳米导电网络；S3)、涂覆第一PDMS薄膜层；S4)、剥离衬底；S5)镀电极；S6)制备第二PDMS薄膜层；本发明所需的设备成熟，工艺简单，方便规模化生产；本发明所使用的衬底可以多次反复使用，有利于降低生产成本；掺杂SnO2纳米导电网络具有较好的透明性，有利于提高器件的透明性；掺杂SnO2纳米导电网络不怕氧化，导电性能可以长时间保持稳定不变，有利于提高器件的稳定性和寿命。
一种基于掺杂 sno base sub

[发明专利]一种ZnO纳米材料、及其制备方法-CN201810673754.1有效
发明人：杨为家;何鑫;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;刘均炎;沈耿哲;张弛;赵丽特 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO纳米材料、及其制备方法，该材料包括衬底层、以及设置在衬底层上的由ZnO纳米线堆垛而成的纳米墙、以及由纳米墙组成的纳米网格，具体包括以下步骤：1)、利用醋酸锌、造孔剂、掺杂剂制备前驱体混合溶液；2)、利用前驱体混合溶液制备前驱体薄膜；3)、高温烧结得到ZnO纳米材料；本发明制备设备成熟，工艺简单，方便规模化生产；通过准确控制烧结温度，以及利用醋酸锌、造孔剂分解成水和二氧化碳，从微球中分离出来，帮助形成孔道和纳米线；在500℃保温阶段，前驱体会完全分解掉，并促进ZnO纳米线结晶，从而获得结晶状态良好的ZnO纳米材料，制备的微球的尺寸可控，孔道分布均匀；本发明制备ZnO纳米材料适用范围广。
一种 zno 纳米材料及其制备方法

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