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[发明专利]一种类分子筛多孔铜金属有机骨架材料及其制备方法和应用-CN201510968193.4在审
发明人：王春锐;谢冀江;潘其坤;孙福兴;贺鸿明 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种类分子筛多孔铜金属有机骨架材料及其制备方法和应用，属于无机有机杂化多孔材料的技术领域。解决现有的多孔铜金属有机骨架材料所用的配体比较复杂且成本高的问题。该材料结构如式Ⅰ所示，多孔骨架由金属铜与碘以及3，5-吡啶二羧酸配位而成，该化合物结构中同时存在一价和二价的铜离子，经过溶剂交换、加热等活化处理后，可以得到对CO₂气体吸附具有较强作用力的金属活性位点本发明还提供一种类分子筛多孔铜金属有机骨架材料的制备方法。本发明还提供类分子筛多孔铜金属有机骨架材料在吸附N₂和CO₂气体上的应用。本发明提供的类分子筛多孔铜金属有机骨架材料具有很好的热稳定性，所用配体简单，成本相对较低。
种类分子筛多孔金属有机骨架材料及其制备方法应用

[发明专利]一种原子层沉积金属/金属氧化物限域制备燃料电池Pt合金催化剂的方法-CN202310032966.2在审
发明人：程年才;吴威 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：该方法包括：预先在碳载体上制备Pt颗粒；将催化剂置于原子层沉积系统，控制沉积循环次数在Pt颗粒周围沉积厚度精确控制的过渡金属/金属氧化物保护层以产生限域作用；对样品高温热处理进行合金化；酸处理去除多余过渡金属后获得超小尺寸本发明能够在原子尺度上精确控制沉积于Pt颗粒周围金属/金属氧化物的厚度，适宜厚度的保护层既可提供足够的金属元素用于形成合金，同时能够抑制颗粒在高温热处理过程中的迁移长大，利于合金颗粒保持小尺寸和高分散；合金的形成能够产生有效的电子效应，提升整体催化剂的催化活性；本发明能够通过调控金属前驱体种类控制制备出的合金种类，且在不同载体上均能实现保护作用，应用范围广。
一种原子沉积金属氧化物制备燃料电池 pt 合金催化剂方法

[发明专利]一种具有多类酶催化活性的二元、三元和/或多元金属硒化物及其制备方法和应用-CN202310813956.2在审
发明人：林晓蓉;冯海钰;叶锡光;李斌;陈忠正;张媛媛 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种具有多类酶催化活性的二元、三元和/或多元金属硒化物及其制备方法和应用。该方法以二元系硒化铜为交换前体，加入一种或多种金属盐，通过阳离子交换反应制备得到同时具有类过氧化物酶、类谷胱甘肽过氧化物酶、类氧化酶和类多酚氧化酶等多种类酶催化活性及催化活性强的二元、三元和/或多元金属硒化物本发明不仅创新了二元、三元和/或多元金属硒化物的制备方法，所建立的金属硒化物方法操作简单、绿色、便捷，同时所制备的金属硒化物具有多种类酶催化活性，可为多功能金属硒化物纳米酶的开发提供新思路和新方法，拓展其在纳米酶领域的应用范围
一种具有多类酶催化活性二元三元多元金属硒化物及其制备方法应用

[发明专利]覆膜复合金属氧化物的制造方法-CN202110032337.0有效
发明人：朱立文;李宜芳 -专利权人：东莞华科电子有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：本发明提供一种覆膜复合金属氧化物的制造方法。该制造方法通过选用可溶于溶剂的金属盐，将多元醇加入含有该金属盐与复合金属氧化物的混合浆料中，再通过加热步骤来得到该覆膜复合金属氧化物。本发明无需先产出特定形式的金属络合物或溶胶，从而可降低生产成本，并可制得多种种类的覆膜复合金属氧化物。
复合金属氧化物制造方法

[实用新型]管式橡胶检测器-CN201220088783.X有效
发明人：苍飞飞;张翠翠;吕佳萍;周乃东 -专利权人：北京橡胶工业研究设计院
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型包括试样递送装置，试样加热装置以及裂解气体处置装置，可以用于检测橡胶塑料制品中的生胶和树脂种类以及含有率、炭黑及填料种类及含量、金属盐等成分的目的。
橡胶检测器

[实用新型]一种木结构空间桁架连接节点-CN202320874662.6有效
发明人：陈元鼎 -专利权人：中南建筑设计院股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： E04B1/19 文献下载
摘要：本申请提供一种木结构空间桁架连接节点，其包括销轴和两片金属叶片；两片金属叶片之间通过销轴铰接。该装置结构简单，操作便捷高效，可以适应于各种角度各种类型的木结构空间桁架的连接。
一种木结构空间桁架连接节点

[发明专利]赋予物品耐氢性的方法-CN200580018398.0有效
发明人：新苗稔展 -专利权人：株式会社新王磁材
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： C25D5/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供向诸如稀土金属基永磁体的各种类型的物品赋予优异耐氢性的简单且低成本的方法。本发明的赋予物品耐氢性的方法的特征在于，通过脉冲镀在物品的表面上形成金属涂层膜。
赋予物品耐氢性方法

[发明专利]具备多重重金属Cd吸附位点的生物炭的制备方法-CN201910974306.X在审
发明人：赵曼;付善灿;张潇泰;杨扬;刘铮 -专利权人：自然资源部天津海水淡化与综合利用研究所
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备多重重金属Cd吸附位点的生物炭的制备方法。；然后采用表面化学修饰的方法，将原子转移自由基聚合（ATRP）引发位点固定到生物炭上，得到表面富载ATRP引发位点的生物炭；最后选择带有Cd吸附位点的功能单体，通过ATRP可控接枝，得到表面具备多重重金属相对于现有的生物炭接枝方法，该方法制备的生物炭表面重金属吸附位点种类多、数量多，并且可以对吸附位点的种类和数量进行自由调控。
具备多重重金属 cd 吸附生物制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201410242413.0有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910262560.3有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110144189.8有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110144092.7有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110143920.5有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710266365.2有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110144158.2无效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。
半导体器件及其制造方法