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[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211646476.3在审
发明人：胡臻;周海;何佳;吴玲琼 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层蚀刻形成沟槽；氧化沟槽，形成绝缘层；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成屏蔽栅；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成夹断区；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成源区；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成栅极；重新形成阻挡层，蚀刻，并进行淀积，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对源区淀积，形成源极金属层；去除所有阻挡层，对碳化硅衬底进行淀积，形成漏极金属层，在不影响器件导通电阻的情况下，通过屏蔽栅结构，将栅源电容减少，可以提高器件开关速度。
一种屏蔽沟槽碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法-CN200810194786.X无效
发明人：陈贵宾;陆卫;王少伟;李志锋;陈效双 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2008-10-20 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p-n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p-n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。
离子注入制备性能碲镉汞方法

[发明专利]薄膜扩散阻挡层-CN201280068500.8有效
发明人： J·C·格兰朗;M·A·普寥洛;B·R·贝格曼;J·J·麦克休 -专利权人：米其林集团总公司;米其林研究和技术股份有限公司;德克萨斯A&M大学体系
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： B05D3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种弹性体基材及其制备方法，所述弹性体基材具有材料扩散阻挡层。在一个实施例中，一种用于在弹性体基材上制备材料扩散阻挡层的方法包括将弹性体基材暴露于阳离子溶液，以在弹性体基材上产生阳离子层。所述方法也包括将所述阳离子层暴露于阴离子溶液，以在阳离子层上产生阴离子层。层包括所述阳离子层和所述阴离子层。所述层包括材料扩散阻挡层。
薄膜扩散阻挡

[实用新型]等离子体垃圾发电厂垃圾库恶臭气体净化处理系统-CN202021411735.0有效
发明人：张仲琪;杨群伟;侯邦超;李强;侯鑫兵 -专利权人：山西晋浙环保科技有限公司;山西晋明通环保科技有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及垃圾电厂垃圾库恶臭气体的处理，具体为等离子体垃圾发电厂垃圾库恶臭气体净化处理系统，包括垃圾库，还包括引风机和反应器单元，反应器单元为一方形箱体，箱体内分布有介质阻挡低温等离子体反应器，方形箱体内还设置有阻挡板，阻挡板上设置有若干个过风孔，每一个介质阻挡低温等离子体反应器都从一个过风孔中穿过。每一个介质阻挡低温等离子体反应器中的陶瓷管中还设置有管内阻挡板。引风机安装在垃圾库上，引风机通过管道和反应器单元连接。本实用新型通过在垃圾库加装介质阻挡低温等离子体反应器和引风机，在垃圾库形成负压，避免恶臭气体的扩散，介质阻挡低温等离子体反应器净化后的空气排入大气，完成垃圾库恶臭气体的治理。
等离子体垃圾发电厂恶臭气体净化处理系统

[发明专利]降解有机物的介质阻挡放电等离子-类芬顿-光催化方法-CN201410309754.5有效
发明人：喻泽斌;王莉;彭振波;胡晓 -专利权人：广西大学
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C02F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了降解有机物的介质阻挡放电等离子-类芬顿-光催化方法，集介质阻挡放电等离子、Fe₃O₄类芬顿和TiO₂光催化于一体，组成介质阻挡放电等离子制备Fe₃O₄-TiO₂催化剂；将Fe₃O₄-TiO₂催化剂加入介质阻挡放电等离子体系中，组成介质阻挡放电等离子-类芬顿-光催化体系，对有机物进行降解。本发明将介质阻挡放电等离子、Fe₃O₄类芬顿和TiO₂光催化技术相结合，将自制的Fe₃O₄-TiO₂催化剂用于质阻挡放电等离子-类芬顿-光催化体系中，利用放电过程中产生剩余H₂O₂、紫外辐射及pH降低等特点，降解有机物，降低能耗
降解有机物介质阻挡放电等离子类芬顿光催化方法

[发明专利]一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法-CN201310570937.8有效
发明人：刘新宇;汤益丹;许恒宇;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上涂敷光刻胶，采用光刻显影技术在刻蚀阻挡层表面形成选择性高温离子区域窗口；从选择性高温离子区域窗口依次对刻蚀阻挡层和高温离子注入掩蔽层进行刻蚀直至碳化硅外延衬底的表面；去除光刻胶及剩余的刻蚀阻挡层，得到侧壁光滑、陡直、可控的厚介质离子注入掩蔽层。本发明精确的对刻蚀面进行角度控制，得到侧壁光滑、陡直的厚介质离子注入掩蔽层，保证了选择性离子注入区域内的均一性良好、可控性强。
一种精确控制碳化硅高温离子注入陡直方法

[发明专利]金属互连线及其形成方法-CN201810950311.2在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：金属互连线的金属扩散阻挡层包括掺锰的钌薄膜层，由于锰离子趋于向膜层的空隙或晶界扩散，从而可有效减少金属扩散阻挡层中空隙和晶界的数量，相应的阻断了金属层中金属离子的扩散通道，有利于提高金属扩散阻挡层对金属离子的阻挡性能
金属互连及其形成方法

[发明专利]等离子介质阻挡放电电路-CN201710200832.1在审
发明人：邹付勇 -专利权人：苏州普拉斯玛精密科技有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子介质阻挡放电电路，包括介质板和高压交流电源驱动电路；所述介质板的一侧表面设有高电压电极，所述介质板的另一侧表面设有接地电极；所述高电压电极与高压交流电源驱动电路的高压输出端连接，所述接地电极与高压交流电源驱动电路的接地端连接本发明等离子介质阻挡放电电路，其可以产生等离子体，可应用在离子工业清洗设备上。
等离子介质阻挡放电电路

[实用新型]等离子介质阻挡放电电路-CN201720322617.4有效
发明人：邹付勇 -专利权人：苏州普斯玛特精密科技有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子介质阻挡放电电路，包括介质板和高压交流电源驱动电路；所述介质板的一侧表面设有高电压电极，所述介质板的另一侧表面设有接地电极；所述高电压电极与高压交流电源驱动电路的高压输出端连接本实用新型等离子介质阻挡放电电路，其可以产生等离子体，可应用在离子工业清洗设备上。
等离子介质阻挡放电电路

[发明专利]金属离子扩散阻挡层-CN02803438.4无效
发明人： M·洛博达 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2002-01-03 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：具有Si_wC_xO_yH_z组成的合金膜的扩散阻挡层与金属布线接触，其中w的值为10－33原子％，优选18－20原子％，
金属离子扩散阻挡

[发明专利]控制CIGS薄膜中钠含量的方法、太阳能电池及结构-CN201510366844.2在审
发明人：田晶;詹姆斯·黄;徐希翔;李建清;何静婧;王溢欢 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种控制CIGS薄膜中钠含量的方法，首先在含钠元素的衬底上形成钠离子阻挡层，阻挡所述衬底中的钠离子扩散到所述CIGS薄膜中；然后在所述钠离子阻挡层上形成可控钠源层，通过控制所述可控钠源层的厚度为所述CIGS薄膜提供含量可控的钠离子。通过本方法，一方面将衬底中的不可控的钠离子进行隔离，阻挡其扩散入CIGS薄膜中，同时提供一可控钠源层，通过可控钠源层中钠离子的扩散精确控制所述CIGS薄膜中钠离子的含量，从而促进CIGS晶粒的生长，进而获得高效的
控制 cigs 薄膜含量方法太阳能电池结构

[发明专利]隔离结构的形成方法-CN201610536767.5有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种隔离结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部；在相邻鳍部之间的衬底上形成初始隔离层，初始隔离层覆盖鳍部；去除第一厚度的初始隔离层形成过渡隔离层；在凸出于过渡隔离层的鳍部侧壁上形成阻挡层；以阻挡层为掩膜对过渡隔离层进行离子掺杂工艺，掺杂离子为刻蚀抑制离子；去除阻挡层；去除阻挡层后，去除第二厚度的过渡隔离层形成隔离结构。本发明在凸出于过渡隔离层的鳍部侧壁上形成阻挡层后，以阻挡层为掩膜对过渡隔离层进行离子掺杂工艺，掺杂离子为刻蚀抑制离子，避免凸出于过渡隔离层的鳍部和过渡隔离层的拐角处，隔离结构具有足部，从而使隔离结构的顶部形貌趋于平面
隔离结构形成方法

[发明专利]一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法-CN202210935428.X在审
发明人：张瑜洁;张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成掩蔽层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成导电区；去除阻挡层，行离子注入，形成夹断区；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及夹断区蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上淀积栅极；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对夹断区进行离子注入，以形成源区；通过金属淀积，分别形成源极金属层、栅极金属层以及漏极金属层，提高器件开关速度，降低导通电阻。
一种对称沟槽碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]基于CIS产品的高深宽比坚膜结构控制关键尺寸的方法-CN202110160065.2在审
发明人：邱元元;郭振强;黄鹏;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CIS产品的高深宽比坚膜结构控制关键尺寸的方法，包括：在晶圆中形成STI隔离结构；在所述晶圆上自下而上形成层间介电层、刻蚀阻挡层、离子注入阻挡层、抗反射介电层；在所述抗反射介电层上形成光刻胶层；曝光显影，形成光刻胶图案；利用所述光刻胶图案刻蚀所述抗反射介电层和所述离子注入阻挡层并停在所述刻蚀阻挡层的表面，形成高深宽比的沟槽；去除所述光刻胶层和所述抗反射介电层；在所述离子注入阻挡层的表面及所述沟槽的侧壁和底部形成线形氧化层；进行离子注入；去除线形氧化层、离子注入阻挡层、刻蚀阻挡层、层间介电层。
基于 cis 产品高深膜结构控制关键尺寸方法

[发明专利]介质阻挡放电离子源、分析仪器及电离方法-CN201811212474.7有效
发明人：林一明;孙文剑 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明供了一种介质阻挡放电离子源，包括介质阻挡放电管以及由第一电极和第二电极组成的电极对，所述介质阻挡放电管的至少一部分设置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述电极对通电后能够对样品进行电离，所述介质阻挡放电管与真空部连通，所述介质阻挡放电管内的气压范围为0.01‑100Pa。本发明提供的介质阻挡放电离子源弥补了现有低气压离子源在该气压范围内的缺陷，提供了一种电离能力强、通用性好且装置简单的低气压离子源。
介质阻挡放电离子源分析仪器电离方法