“离子注入改性”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1031031个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]微型刀具上制备复合硬质涂层的方法及微型刀具-CN201110167175.8无效
发明人：罗春峰;陈成;屈建国 -专利权人：深圳市金洲精工科技股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型刀具上制备复合硬质涂层的方法及微型刀具，微型刀具上制备复合硬质涂层的方法包括以下步骤：对微型刀具待加工表面进行涂层前预处理；对微型刀具待加工表面进行金属离子注入处理；对微型刀具待加工表面进行硬质涂层沉积处理本发明由于在对微型刀具待加工表面进行硬质涂层沉积处理前先进行金属离子注入处理，通过离子注入机产生的载能离子束对刀具表面进行离子注入，从而改变微型刀具待加工表面材料的物理化学性能，提高了后续硬质涂层沉积处理中硬质涂层与微型刀具的结合力，又能避免微型刀具刃口被烧伤；使得涂层后的微型刀具的加工性能更为优越，使用寿命更长，成功实现微型刀具表面改性。
微型刀具制备复合硬质涂层方法

[发明专利]一种监控Ge离子注入质量的方法-CN201710146467.0有效
发明人：王梦慧;张立;赖朝荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控Ge离子注入质量的方法，首先提供一测试样本，其次选择与被监控Ge离子相同原子质量的As离子代替Ge离子,保持其余注入条件不变，对测试样本进行离子注入，然后待高温退火后，量测离子注入层的方块电阻，根据方块电阻的量测值结果，对与被监控Ge离子相同原子质量的As离子注入质量进行判断，等效于对被监控Ge离子注入质量进行判断。由于原子质量相同，导致其在离子注入机中通过磁场分析仪路径和加速路径也相同，从而，在其余注入条件相同的时候，离子注入的深度和角度也应该等同。因此，可以采用监控灵敏度更高的Rs监控方法对Ge离子注入质量进行监控，满足先进工艺对Ge离子注入质量的监测需求。
一种监控 ge 离子注入质量方法

[发明专利]半导体结构、晶体管结构的制备方法及半导体处理设备-CN201810509730.2在审
发明人：刘铁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明一种基于低温离子注入的半导体结构、晶体管制备及半导体处理设备，半导体结构制备包括：提供待处理结构，定义具有离子注入面的离子注入层区；对待处理结构进行降温处理，自离子注入面进行离子注入，在离子注入的过程中，离子注入层区转换成恢复损伤结晶层区和晶格破坏非晶层区，降温处理减缓离子注入层区内部的自退火效应，减小恢复损伤结晶层区区域的大小；进行退火处理，晶格破坏非晶层区转换成重结晶层区，恢复损伤结晶层区转换成结晶缺陷层区本发明通过对待处理结构进行离子注入的过程中同时对其进行降温，在低温条件下进行离子注入，减缓了离子注入过程中的自退火效应，从而减少退火后的EOR缺陷，减少结漏电流，减少电子器件的功耗。
离子结晶层离子注入层处理结构半导体结构损伤降温处理非晶层自退火晶格制备半导体处理设备离子注入过程退火结晶缺陷层离子注入面恢复低温离子低温条件电子器件结漏电流退火处理转换成重转换晶体管功耗减小

[发明专利]多次离子注入的方法-CN201310066357.5有效
发明人：李志国 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提出一种多次离子注入的方法，在多次离子注入时通过限制相邻离子注入的排队时间降低每次离子注入后光阻收缩变形的程度，使所述光阻能够保护所述隔离层，进而防止离子注入区域不断扩大，避免注入的离子渗透入隔离层造成半导体器件失效
多次离子注入方法

[发明专利]一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法-CN201711352850.8有效
发明人：张全飞 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法，应用在离子注入工艺中，包括以下步骤：获取问题晶圆当前的离子注入量与第二检测值之间的比值；提供一测试晶圆，根据比值于测试晶圆上注入离子形成一与问题晶圆等效的测试晶圆；终止对测试晶圆的注入，离子注入设备根据对测试晶圆的离子注入过程形成一新的晶圆注入记录；离子注入设备根据新的晶圆注入记录对问题晶圆执行离子注入，最终使问题晶圆完成离子完全注入。其技术方案的有益效果在于，克服了现有技术中当离子注入设备出现异常故障(比如系统软件坏死)，离子设备无法获得关于问题晶圆的注入记录即获得问题晶圆补救方法的问题。
一种丢失离子注入记录补救方法

[发明专利]带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机-CN202111115246.X在审
发明人：马欣新 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机，涉及等离子体源离子注入机。为了解决单真空室等离子体源离子注入机生产效率低的问题。本发明带准备室直线传递工件等离子体源离子注入机由准备室、注入室和工件转换室构成；或带准备室交叉传递工件等离子体源离子注入机由准备室、注入室和工件转换室构成；本发明设置专门的注入室始终保持高真空状态，可忽略预抽背底真空的时间，双室离子注入机能够大幅度缩短生产周期，准备室和注入室结构基本相同，在需要超长时间离子注入的场合，可单独使用。本发明适用于离子注入。
准备直线交叉传递工件等离子体离子注入

[发明专利]一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法-CN201410662340.0有效
发明人：庄彤;丁明建;李杰成;李锦添;杨俊峰 -专利权人：广州天极电子科技有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01C17/075 文献下载
摘要：本发明公开一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法，将需要注入氮离子的氮化钽薄膜电阻放置于离子注入设备的工件放置区，将离子注入设备抽真空达到1.0×10‑4‑1.0×10‑5Pa之间，向离子注入设备中充入纯度大于等于99.99%的高纯氮气，使离子注入腔体的真空度维持在0.1‑10Pa之间，启动注入电源，氮气电离，氮离子进入氮化钽薄膜，即完成注入，关闭离子注入电源，腔体继续充入氮气直到1.01×105Pa，打开腔体，取出薄膜电阻器；该离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法通过离子注入调控N原子的含量，从而达到控制氮化钽薄膜电阻器电阻值的目的。
一种离子注入调控氮化薄膜电阻阻值方法

[发明专利]基底处理装置及离子注入器的调整方法-CN202111563376.X在审
发明人：温炫博;陈松辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本公开提供一种基底处理装置及离子注入器的调整方法。该基底处理装置包含一离子注入器以及一处理器，该处理器与该离子注入器相关联。该离子注入器经配置以使用一离子束将多个离子注入到一基底中。该处理器经配置以监控该离子束的一初始注入轮廓并调整该离子注入器，以依据该初始离子轮廓以及一预期离子轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束。
基底处理装置离子注入调整方法

[发明专利]离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法-CN201410098578.5有效
发明人：国子明;王毅;郭国超;姚雷;郝志 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法，其中，所述离子注入机的工艺能力的监控方法包括提供一裸片晶圆；在裸片晶圆上依次沉积氧化层和多晶硅层；对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆；测试测试晶圆的电阻值，并判断该电阻值是否符合控制要求；其中，进行离子注入时对离子注入机的聚焦电压进行了设置。在本发明提供的离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法中，通过在裸片晶圆上依次形成氧化层和多晶硅层，并对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆，测试测试晶圆的电阻值能够对离子注入机的工艺能力实现有效地监控，而在离子注入时通过调节聚焦电压提高多晶硅栅极离子注入工艺的稳定性亦是本发明的内容之一。
离子注入工艺能力监控方法

[发明专利]用于离子注入过程的错误检测及控制方法以及执行该方法的系统-CN200480037144.9有效
发明人： E·小科斯;P·M·考恩;R·J·马克尔;T·谢 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明系大致有关用于离子注入程序的错误检测及控制方法，以及执行该方法之一种系统。在一实施例中，该方法包含：执行离子注入工具(10)的调整程序，该调整程序产生该离子注入工具(10)的至少一个工具参数；根据自该调整程序产生的该工具参数而选择或产生欲在该离子注入工具(10)中执行的离子注入程序的错误检测模型；以及使用所选择的或所产生的该错误检测模型来监视在该离子注入工具(10)中执行的离子注入程序。在另一实施例中，该方法包含：执行离子注入工具(10)的调整程序，该调整程序产生该离子注入工具(10)的至少一个工具参数；以及根据在该离子注入工具(10)中执行的离子注入程序所施加过的至少一个衬底中形成的各注入区的历史性度量数据
用于离子注入过程错误检测控制方法以及执行系统

[发明专利]离子注入方法及离子注入机-CN201911062928.1有效
发明人：周真真;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入方法，包括步骤：步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上；步骤二、采用点状离子束流对晶圆进行离子注入，包括分步骤：步骤21、点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流；步骤22、对晶圆进行旋转，采用扫描离子束流对旋转的晶圆进行离子注入从而在晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。本发明能实现对离子注入分布进行精确控制以及提高离子注入的均匀性。
离子注入方法

[发明专利]离子注入角度监控方法-CN201310630276.3有效
发明人：胡荣;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入角度监控方法，包含提供一晶片；利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；进行数据测量，建立电阻值—注入角度特征曲线，并确定监控参考角度，将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。本发明能够对离子注入过程中晶片的偏转角度进行准确的监控。
离子注入角度监控方法

[发明专利]微波等离子体源离子注入装置-CN92111983.6无效
发明人：郭华聪 -专利权人：四川大学
申请日： 1992-11-16 - 公布日： 1994-05-25 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：微波等离子体源离子注入装置，是一种用于离子注入材料表面改性的设备。它由靶室[1]、真空系统[2]、供气系统[3]和一组或多组工作源[4，5，6，7]组成。每组工作源包括一个或多个微波等离子体源[4]和(或)一个或多个材料溅射源[5，6，7]，微波等离子体源用横磁瓶电子回旋微波等离子体源；材料溅射源可以用磁控溅射源[5]、微波等离子体溅射源[6]或真空电弧装置在工作真空度10-2—10-3Pa时，工件上接直流、交流或脉冲高压电源[8，14，15]，装置可进行离子注入、离子束动态混合，在工件表面形成优良的保护涂层。
微波等离子体离子注入装置

[发明专利]源漏极离子注入的方法-CN200910047440.1有效
发明人：周地宝 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了源漏极离子注入的方法：对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，且第一次比第二次离子注入的更深，第一次比第二次离子注入的浓度小；然后，使用碳离子对源漏极区域进行离子注入，所述碳离子注入的深度介于第一次离子注入和第二次离子注入的深度之间本发明实施例的源漏极离子注入的方法，在现有的IMP1和IMP2完成后，增加了一个碳离子注入的步骤，并控制将碳离子注入到IMP1和IMP2之间的深度，使得碳离子在退火过程中能够有效抑制IMP2层中的高浓度离子向
源漏极离子注入方法

[发明专利]离子注入跑片装置及离子注入跑片方法-CN201810398127.1在审
发明人：钱锋;宋银海;贾银海;姚飞;宋经纬;廖运华 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了离子注入跑片装置及离子注入跑片方法。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区、垂直输送缓冲区、单个水平传送区及垂直输送储存区。离子注入跑片方法包括如下步骤：将硅片置于拖盘上隔板的下方，其中一排离子注入孔正对硅片的第一位置；将托盘运送至一真空腔中，在真空腔中运送托盘至第一离子处；将第一离子通过隔板的第一排离子注入孔注入至硅片的第一位置；隔板相对所述托盘移动位置，以使第二排离子注入孔正对硅片的第二位置；将第二离子通过隔板的第二排离子注入孔注入至硅片的第二位置；将托盘移出所述真空腔。本发明所述离子注入跑片装置，离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。
离子硅片离子注入孔隔板托盘真空腔垂直输送第二位置第一位置正对运送水平传送托盘移动缓冲区储存区传送区上隔板拖盘移出制作