专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种离子稳定传输装置-CN202320300656.X有效
  • 潘洋 - 江苏谱策科学仪器有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-08-08 - H01J37/147
  • 本实用新型公开了一种离子稳定传输装置,属于离子传输装置领域,包括离子传输组件,离子传输组件包括第一传输和中间传输,中间传输的另一端与第二传输连接,中间传输的内部设置有加厚层,中间传输的两端分别连接有衔接盘A和衔接盘B,中间传输的内部还设置有缓冲件,本实用新型解决了离子传输在对离子进行传输的过程中,耐冲击性能不是很好,容易产生损坏,影响离子的稳定传输的问题,通过设置的定位柱、定位孔、螺栓、螺纹孔、第一传输、第二传输、中间传输和加厚层,在中间传输的内部增设有增厚的加厚层,可以增加中间传输的整体厚度,提高了中间传输的耐冲击性能,避免中间传输受损而影响离子的稳定输送。
  • 一种离子稳定传输装置
  • [发明专利]用于产生等离子体与离子间反应的质谱装置及方法-CN201310099524.6有效
  • 贾滨;徐国宾;杨芃原 - 复旦大学
  • 2013-03-26 - 2013-07-24 - H01J49/04
  • 本发明提供了一种用于产生等离子体与离子间反应的装置,该装置至少包括:常压下工作的质谱离子源(如ESI、APCI等);常压电离气室,气室设有辅助气通路和废气、废液排出口;玻璃或陶瓷等绝缘材料制成的可离子传输;加在离子传输管外表面,用于激发等离子体的射频电极及电源;以及放置于离子传输后的质谱仪。本发明采用玻璃等绝缘材料作为离子传输,并通过射频电源激发离子传输中的待测离子和辅助气体,使其发生等离子体-离子反应。相较现有技术,该装置利用离子传输中的低真空环境,可以激发空气或其他反应气体,产生高密度等离子体,发生离子-等离子体反应,供后续质谱分析。
  • 用于产生等离子体离子反应装置方法
  • [实用新型]质谱离子传输管外延长接口装置-CN200920108393.2无效
  • 罗海;刘佳;邱波 - 北京大学
  • 2009-06-04 - 2010-05-12 - H01J49/02
  • 一种质谱离子传输管外延长接口装置,含有接口部件、离子迁移、密封垫圈和螺帽。接口部件后端内孔的形状与离子传输前端吻合,可以焊接在原离子传输管上。接口部件有中心通孔,前端外径有螺纹,通过该螺纹配合螺帽将离子迁移与接口部件连接。离子迁移插入接口部件部分有前后密封垫圈以实现有效密封。本实用新型的有益效果是:可以在不改变离子传输管材料和结构的同时,把进样口延长,为离子源的搭建赢得足够的空间,同时可以将远离质谱大气压进样口产生的气相离子有效地传输到质谱中。而且离子迁移能够方便地拆卸更换,便于清洗等保养处理,也有利于考察不同材质,不同长短,和远端口具有不同形状的离子迁移对收集离子信号的影响。
  • 离子传输外延接口装置
  • [发明专利]一种气流驱动的大气压质谱分析装置及方法-CN202110453414.X有效
  • 霍新明;余泉;唐飞;王晓浩 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2021-04-26 - 2021-11-23 - H01J49/06
  • 一种气流驱动的大气压质谱分析装置,包括气体发生装置、离子传输离子源模块以及离子检测器,气体发生装置产生层流驱动气体,离子源模块产生的离子由层流驱动气体驱动在离子传输管内轴向传输离子传输管内设置有沿360度圆周对称分布的四个射频电极,离子经过射频电极时,利用高频高压射频四极场实现离子径向振动,与低频低压辅助交流信号共振的离子打到射频电极上而湮灭,非共振离子通过离子传输离子检测器设置在离子传输的出口处用于接收离子,产生离子流陷波,得到质谱图。本发明可以在非真空条件下实现离子质谱分析,摆脱质谱对真空泵的需求,实现质谱仪进一步小型化。
  • 一种气流驱动大气压谱分析装置方法
  • [发明专利]无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构及其控制方法-CN201410838435.3在审
  • 郭同辉;旷章曲 - 北京思比科微电子技术股份有限公司
  • 2015-08-04 - 2015-07-29 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构及其控制方法,包括置于半导体基体中的光电二极、电荷传输晶体、漂浮有源区,还包括第一P型离子区、第二P型离子区、N型离子区;第一P型离子区和N型离子区位于电荷传输晶体的沟道区,两者相互接触,并且第一P型离子区在靠近光电二极的一侧与光电二极管上部的Pin型P+层接触,N型离子区在靠近漂浮有源区的一侧与漂浮有源区的N+区接触;第二P型离子区位于N型离子区和漂浮有源区的底部;光电二极在电荷传输晶体沟道处的边界为第一P型离子区与所述N型离子区的接触处。配合像素中的电荷传输晶体栅极控制方法,进行光电电荷转移操作时,电荷传输晶体沟道与光电二极之间无势垒和势谷,不会产生图像拖尾现象。
  • 图像cmos图像传感器像素结构及其控制方法
  • [实用新型]无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构-CN201420854026.8有效
  • 郭同辉;旷章曲 - 北京思比科微电子技术股份有限公司
  • 2014-12-29 - 2015-04-22 - H01L27/146
  • 本实用新型公开了一种无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极、电荷传输晶体、漂浮有源区,还包括第一P型离子区、第二P型离子区、N型离子区;第一P型离子区和N型离子区位于电荷传输晶体的沟道区,两者相互接触,并且第一P型离子区在靠近光电二极的一侧与光电二极管上部的Pin型P+层接触,N型离子区在靠近漂浮有源区的一侧与漂浮有源区的N+区接触;第二P型离子区位于N型离子区和漂浮有源区的底部;光电二极在电荷传输晶体沟道处的边界为第一P型离子区与所述N型离子区的接触处。配合像素中的电荷传输晶体栅极控制方法,进行光电电荷转移操作时,电荷传输晶体沟道与光电二极之间无势垒和势谷,不会产生图像拖尾现象。
  • 图像cmos图像传感器像素结构
  • [发明专利]一种危废垃圾等离子处理设备及其处理方法-CN202111340115.1在审
  • 孙洪涛 - 北京盈基油气储运技术服务有限公司
  • 2021-11-12 - 2022-02-01 - B09B3/40
  • 本发明公开了一种危废垃圾等离子处理设备及其处理方法,涉及垃圾处理技术领域。该一种危废垃圾等离子处理设备及其处理方法,包括框架装置,框架装置包括底座,底座的上表面前侧固定连接有立柱一,立柱一的数量为两个,两个立柱一的上端固定连接有等离子体处理器,等离子体处理器的上侧前端贯穿固定连接有入料口,等离子体处理器的后方设置有传输装置,传输装置包括传输传输的后端右侧开设有翻转槽,翻转槽呈现半环形,翻转槽贯穿传输传输的内部设置有转柱,转柱的外侧固定连接有输送板,输送板的外侧与传输的内侧壁接触,输送板呈现螺旋状,该一种危废垃圾等离子处理设备及其处理方法达到辅助净化合成气的作用。
  • 一种垃圾等离子处理设备及其方法

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