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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体发光芯片制造方法-CN201010573087.3无效
发明人：凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-12-04 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光芯片制造方法，包括步骤：1)提供一具有磊晶层的基板，该磊晶层包括在基板上依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，磊晶层具有贯穿第一半导体层、发光层及第二半导体层的缺陷；2)蚀刻第二半导体层表面，磊晶层的缺陷被蚀刻而形成深入发光层的凹槽；3)在第一半导体层及第二半导体层上分别制作电极。
半导体发光芯片制造方法

[实用新型]大面积发光二极管照明装置-CN201521073465.6有效
发明人：蔡秈芸;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 -专利权人：蔡秈芸;李佳珍;彭浩婷;李淑芬
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种大面积发光二极管照明装置，包含一磊晶基板、一发光膜层结构，及至少一电极单元。该磊晶基板尺寸大于或等于1英寸。发光膜层结构包括一设置于该磊晶基板的上的第一型半导体层、一设置于该第一型半导体层上的主动层，及一设置于该主动层上的第二型半导体层。该磊晶基板与该发光膜层结构无须切割，可直接于磊晶基板上呈现大发光面积，借此可简化制程降低成本。
大面积发光二极管照明装置

[发明专利]处理系统、半导体元件及其制造方法-CN202210397631.6在审
发明人：刘威民;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种处理系统、半导体元件及其制造方法，方法包括在半导体基板上流动第一前驱物以形成磊晶区域，磊晶区域包括第一元素及第二元素；将第二前驱物转化为第一自由基及第一离子；将第一自由基与第一离子分离；以及在磊晶区域上流动第一自由基以从磊晶区域移除至少一些第二元素
处理系统半导体元件及其制造方法

[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法-CN201110217796.2有效
发明人：黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;杨顺贵;林雅雯 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，其包括：基板；形成在所述基板上的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；在该磊晶层与该基板之间的若干间隔设置的球形氮化铝，该第一半导体层完全覆盖该若干球形氮化铝本发明通过在第一半导体层与基板之间形成若干间隔设置的球形氮化铝，可提高发光层发出的朝向基板的光线经全反射向上出射的几率，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。
发光二极管晶粒及其制作方法

[发明专利]发光二极管磊晶结构-CN201010502906.5有效
发明人：黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层。所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上。所述布拉格反射层上透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层。所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。本发明的布拉格反射层能反射所述半导体结构层射向所述硅基板的光线，提高所述发光二极管磊晶的发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN201811641502.7在审
发明人：秦艺 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及其制造方法，所述显示面板，包括：一第一基板；多个微型发光二极管，设置于所述第一基板上，且每一所述微型发光二极管与所述第一基板电性连接，其中每一所述微型发光二极管包括：磊晶叠层；第一电极，设置于所述磊晶叠层的出光面且具有下表面，所述下表面与所述磊晶叠层的第一半导体层的上表面接触；以及第二电极，具有上表面，所述上表面与所述磊晶叠层的第二半导体层的下表面接触；以及一第二基板，电性连接于每一所述微型发光二极管，且每一所述微型发光二极管位于所述第一基板与所述第二基板之间。
微型发光二极管第一基板叠层磊晶显示面板上表面下表面半导体层第二基板电性连接第二电极第一电极出光面制造申请

[发明专利]沟渠式肖特基二极管-CN201410400117.9在审
发明人：叶昇平 -专利权人：强茂股份有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种沟渠式肖特基二极管，包含：一基板、一n型的磊晶层、一金属层、数个氧化层、一连接该基板的第一电极，以及一连接该磊晶层的第二电极。该磊晶层位于该基板上，并包括数个沟槽。所述氧化层分别位于所述沟槽并且分别位于每一金属填槽部与该磊晶层之间。通过所述沟槽填入具有高功函数的金属层材料，使本发明具有较佳的顺向偏压特性。
沟渠式肖特基二极管

[发明专利]沟渠式肖特基二极管-CN201410401583.9有效
发明人：叶昇平 -专利权人：强茂股份有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种沟渠式肖特基二极管，包含：一基板、一n型的磊晶层、数个p型的半导体层、数个氧化层、一连接该基板的第一电极，以及一连接该磊晶层的第二电极。该磊晶层位于该基板上，并包括数个沟槽。所述氧化层分别位于所述沟槽并且分别位于每一半导体层与该磊晶层之间。通过所述沟槽填入具有高功函数的p型半导体层，使本发明具有较佳的顺向偏压特性。
沟渠式肖特基二极管

[发明专利]脊状光波导半导体发光元件的制作方法-CN99100262.8有效
发明人：何晋国;邱建嘉;郑振雄;陈泽润 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 1999-01-25 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种脊状光波导半导体发光元件的制作方法，包括下列步骤1、在一第一型半导体基板上形成依序第一型磊晶层与至少一第二型磊晶层，并使第二型磊晶层形成为脊状光波导；2、在其上形成具有重载子浓度的第一型半导体；3、在第一型半导体上形成金属层；脊状光波导的外侧载子浓度高于其内部的载子浓度；第一及第二型磊晶层间形成有发光活性层；第一型磊晶层可包括一束缚层及夹覆层；第二型磊晶层可包括束缚层、夹覆层、转移层及覆盖层。
脊状光波导半导体发光元件制作方法

[发明专利]发光二极管的制造方法-CN201010235211.5无效
发明人：洪梓健;沈佳辉 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的制造方法，包括下列步骤：提供一第一基板；在所述第一基板上生成一研磨阻止层，该研磨阻止层的硬度大于第一基板的硬度；在所述研磨阻止层上生长一发光二极管磊晶层；在所述发光二极管磊晶层上接合一第二基板；研磨掉所述第一基板。所述发光二极管制造方法中由于所述研磨阻止层的移除速度相对第一基板会急速下降，可精确的控制研磨深度，有效的保护磊晶层不受破坏，从而提高发光二极管良品率。
发光二极管制造方法

[发明专利]化合物半导体磊芯片及其制造方法-CN200810187928.X有效
发明人：林健峯 -专利权人：宏远有限公司
申请日： 2008-12-23 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种化合物半导体磊芯片及其制造方法，首先在一金属基板上沉积一硅第一缓冲层，接着在其上沉积一化合物半导体第二缓冲层，接着在该化合物半导体第二缓冲层上沉积一化合物半导体第三缓冲层，再在该化合物半导体第三缓冲层上磊晶一化合物半导体第一磊晶层，然后施以第一次热处理程序，接着在该化合物半导体第一磊晶层上磊晶一化合物半导体第二磊晶层，然后再施以第二次热处理程序，由此得到良好晶体质量的化合物半导体磊芯片。
化合物半导体芯片及其制造方法

[发明专利]表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片的制造方法-CN201110042987.X无效
发明人：林加斌;许资彬 -专利权人：强茂电子(无锡)有限公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片的制造方法，包含以下步骤：第一步，N型半导体材料掺杂形成基板；第二步，限流层以间隔方式形成在该基板表面，相邻限流层的间形成间隙；第三步，磊晶半导体层填满各限流层之间的间隙且覆盖于部分限流层的表面，该磊晶层之间形成有沟槽，各沟槽向下延伸至未被磊晶层覆盖的限流层的顶部；第四步，介电层覆盖于磊晶半导体层的表面；第五步，金属层延伸覆盖于介电层表面，且填充于沟槽内部，于沟槽内部的该金属层与磊晶半导体层侧壁的间形成肖特基接触
表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片制造方法

[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法-CN201010618792.0无效
发明人：黄世晟;凃博闵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒及其制作方法，该制作方法包括在一基板上形成图案化磊晶阻挡层；在图案化磊晶阻挡层上生长n型半导体层，在n型半导体层未完全覆盖图案化磊晶阻挡层时停止生长该n型半导体层；将图案化磊晶阻挡层去除，在原图案化磊晶阻挡层的位置遗留下孔洞；继续在孔洞上生长n型半导体层直至该n型半导体层完全覆盖所述第一组孔洞；在该n型半导体层上形成发光结构。
发光二极管晶粒及其制作方法

[发明专利]微型发光二极管显示装置-CN202110959950.7在审
发明人：陈彦烨;孙圣渊 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种微型发光二极管显示装置，包括一线路基板、一磊晶结构层、一金属导电层、一光转换层以及一遮光结构。磊晶结构层包括面向线路基板的一第一表面、远离线路基板的一第二表面、以及彼此间隔配置的多个微型发光二极管单元，该些微型发光二极管单元与线路基板电性连接。金属导电层设置于第二表面且直接接触磊晶结构层，金属导电层的各光转换区域分别对应于该些微型发光二极管单元的其中之一。光转换层设置于部分的该些光转换区域内。遮光结构不覆盖该些光转换区域。其中，在垂直线路基板的接合表面的方向上，金属导电层的厚度大于磊晶结构层的厚度。
微型发光二极管显示装置

[发明专利]GaAs基超薄芯片的制作方法-CN201210176151.3有效
发明人：陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 -专利权人：东莞洲磊电子有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻；在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。
gaas 超薄芯片制作方法

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