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[发明专利]高频天线基板用磁-介电复合体及其制造方法-CN201580063279.0有效
发明人：金真培;左容昊;金钟烈;林孝铃 -专利权人： LG电子株式会社;汉阳大学校艾丽卡产学协力团
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频天线基板用磁‑介电复合体及其制造方法，所述复合体包含：多孔绝缘介电基板，所述多孔绝缘介电基板包含上表面、下表面和侧表面，并且具有贯穿所述上表面和所述下表面的多个孔；和设置在所述孔内的软磁材料纳米线，其中所述软磁材料纳米线被所述绝缘介电基板包围以便彼此分离。本发明通过具有如下结构而控制介电常数并且能够最小化涡电流损耗：在所述绝缘介电基板的孔内设置所述软磁材料纳米线并且所述软磁材料纳米线被所述绝缘介电基板包围从而彼此分离。
高频天线基板用磁电复合体及其制造方法

[发明专利]电滤波器元件和电变流器-CN201980034858.0在审
发明人： W.基恩勒;K.斯帕诺斯;H.雅各布斯;D.伯格 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：用于对交流电干扰进行滤波的电滤波器元件（1）。该电滤波器元件（1）包括两个介电电路板基板（11，12），所述两个介电电路板基板具有布置在所述电路板基板之间的磁芯（13）。该磁芯（13）具有无材料的内部区域（13a），在该内部区域中在两个介电电路板基板（11，12）之间设置有电连接元件（21‑24）。此外，也可以在所述磁芯（13）的外部区域中在两个介电电路板基板（11，12）之间设置电连接元件（31，32）。
滤波器元件变流器

[发明专利]一种叠层复合磁介基板材料及其制备方法-CN202210920417.4在审
发明人：苏桦;杨钊;荆玉兰;唐晓莉;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，涉及一种叠层复合磁介基板材料及其制备方法。本发明通过将铁氧体陶瓷膜片和介电陶瓷膜片按比例交替堆叠构成叠层结构，采用叠层复合的方式，在磁性层中形成连续不开气隙的磁路，使得磁导率几乎不受影响，因此本发明叠层复合磁介基板材料的磁导率可达到采用铁氧体磁性材料的磁导率乘上磁性层总厚度与基板总厚度之比，大大高于传统采用粉体混合得到磁介复合材料的磁导率，给调控磁介基板材料的磁性和介电性能提供了更大的实施空间。本发明的叠层复合磁介基板材料，其适用频率可覆盖1MHz～5GHz，并可通过灵活调控复合材料的磁介电性能来实现具体的应用频率调控；且提供了简单易行成熟的制备工艺。
一种复合磁介基板材料及制备方法

[实用新型]基板结构-CN202320310124.4有效
发明人：陈禹伸 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板结构。所述基板结构包括主体及电感组件。主体具有法线方向。电感组件设置于主体中且至少部分贯穿主体。电感组件包括软磁部、介电部及线圈部。软磁部沿着主体的法线方向设置于主体中。介电部设置于主体中，并包覆软磁部。线圈部设置于主体中，并环绕介电部。
板结

[发明专利]一种基于磁振子和电振子的微带馈电平面圆极化天线-CN202210460720.0有效
发明人：徐光辉;王超;李民权;黄志祥;杨利霞;吴先良 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁振子和电振子的微带馈电平面圆极化天线，包括第一介质基板(1)、第二介质基板(2)及金属层(5)，第一介质基板(1)、金属层(5)以及第二介质基板(2)从上到下层叠设置，第一介质基板(1)的上表面平铺一个等效电振子，金属层(5)中间切去一块形成缝隙(6)，该缝隙(6)作为等效磁振子，等效电振子通过金属化通孔(8)与等效磁振子的边缘接触，第二介质基板(2)下表面设置一个微带馈线(4)
一种基于磁振子电振子微带馈电平面极化天线

[发明专利]一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板-CN202011431352.4在审
发明人：殷卫峰;张江陵;李莎;霍翠;张记明;刘锐 -专利权人：陕西生益科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板，所述所述磁介电树脂组合物包括：树脂，尖晶石型磁性填料；所述的尖晶石型磁性填料包含Fe、Zn和M1元素，M1为选自Ni、Mg、Mn中的至少一种本发明的磁介电树脂组合物的磁导率高、磁损耗小，满足磁介电基板的性能要求。
一种磁介电树脂组合包含层压板及其印刷电路板

[发明专利]一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板-CN202011431389.7在审
发明人：殷卫峰;霍翠;刘潜发;张江陵;李莎;刘锐 -专利权人：陕西生益科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板，所述磁介电树脂组合物包括树脂，尖晶石型磁性填料和平面六角磁性填料；所述尖晶石型磁性填料和平面六角磁性填料的总量占磁介电树脂组合物的重量百分比为通过尖晶石型磁性填料和平面六角磁性填料二者配合，协同作用，能够使得磁介电树脂组合物具有高截止频率、低介电损耗角正切和低磁损耗角正切，满足磁介电基板的性能要求。
一种磁介电树脂组合包含层压板及其印刷电路板

[发明专利]磁介电基板、电路材料和具有其的组件-CN201580052765.2在审
发明人：克里斯季·潘采;卡尔·什普伦托尔;穆拉利·塞瑟马达范 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：磁介电基板包括第一介电层；与第一介电层间隔开的第二介电层；以及布置在第一介电层和第二介电层之间并与第一介电层和第二介电层密切接触的至少一个磁性增强层。
磁介电基板电路材料具有组件

[发明专利]间隔物辅助的离子束蚀刻自旋扭矩转移磁阻随机存取存储器-CN201880020122.3在审
发明人：杨毅;沈冬娜;王郁仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：提供磁穿隧接面堆叠于基板上，包括底电极、钉扎层、穿隧阻障层、自由层、与顶电极。图案化磁穿隧接面堆叠以形成磁穿隧接面装置，其中侧壁损伤形成于磁穿隧接面装置的侧壁上。形成介电间隔物层于磁穿隧接面装置上。蚀刻移除水平表面上的介电间隔物，其中部分蚀刻侧壁上的介电间隔物。保留的介电间隔物覆盖钉扎层与底电极。由自由层移除介电间隔物，或者自由层上的介电间隔物较薄而钉扎层与底电极上的介电间隔物较厚。之后施加水平蚀刻至磁穿隧接面装置，以由自由层移除侧壁损伤，其中介电间隔物保护钉扎层与底电极免于蚀刻。
介电间隔物穿隧蚀刻接面底电极钉扎层自由层移除侧壁损伤侧壁堆叠磁阻随机存取存储器自旋扭矩转移水平表面图案化磁顶电极辅助的间隔物离子束阻障层基板施加保留覆盖

[发明专利]动态随机存储器元件包-CN201010193682.4无效
发明人：赖锜 -专利权人：北极光股份有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明是一种动态随机存储器元件包，包括基板、晶体管、及磁电容。基板为半导体材料构成，具有主体表面，而晶体管形成于主体表面上，磁电容则形成于晶体管上方的金属层上。磁电容包含：一第一磁层、一形成于第一磁层之上的介电层，以及形成于介电层之上的一第二磁层，其中介电层由一非导体材料所形成，而第一磁层与该第二磁层由一CoNiFe合金所形成。
动态随机存储器元件

[发明专利]感应耦合等离子体反应器-CN201510079762.X有效
发明人：崔大圭 -专利权人：吉恩株式会社
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的感应耦合等离子体反应器包括具有搭载被处理基板的基板支撑台的真空腔；向真空腔内部供给气体的气体喷头；设于真空腔上部的介电窗；及设于介电窗上部的射频天线。气体喷头及基板支撑台与真空腔内部的等离子体电容耦合，射频天线与真空腔内部的等离子体感应耦合。等离子体反应器包括磁芯，该磁芯的磁束出入口朝向真空腔内部，并且该磁芯以沿着射频天线将其覆盖的方式设于介电窗上部。射频天线由磁芯覆盖，可集中更强的磁束，最大限度抑制磁束的损失。
感应耦合等离子体反应器

[发明专利]感应耦合等离子体反应器-CN200710105100.0有效
发明人：崔大圭 -专利权人：新动力等离子体株式会社
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明的感应耦合等离子体反应器包括：具有搭载被处理基板的基板支撑台的真空腔；向真空腔内部供给气体的气体喷头；设于真空腔上部的介电窗；及设于介电窗上部的射频天线。气体喷头及基板支撑台与真空腔内部的等离子体电容耦合，射频天线与真空腔内部的等离子体感应耦合。等离子体反应器包括磁芯，该磁芯的磁束出入口朝向真空腔内部，并且该磁芯以沿着射频天线将其覆盖的方式设于介电窗上部。射频天线由磁芯覆盖，可集中更强的磁束，最大限度抑制磁束的损失。
感应耦合等离子体反应器

[发明专利]芯片基板及其制作工艺、基因测序芯片及基因测序方法-CN201710330831.9有效
发明人：耿越;庞凤春;蔡佩芝;古乐 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C12Q1/6837 文献下载
摘要：本发明提供了芯片基板及其制作工艺、基因测序芯片及基因测序方法。所述芯片基板包括：基板；形成于所述基板上的阵列下板电极；图案化形成的绝缘层，所述绝缘层覆盖相邻两下板电极之间的间隙，并部分覆盖所述相邻两下板电极；形成于所述下板电极上及所述绝缘层之间的电容介电层；图案化形成的阵列上板电极及阵列测试点，所述上板电极部分覆盖所述电容介电层，所述测试点通过引线贯穿所述绝缘层的引线孔与所述下板电极连接；磁珠，所述磁珠设置于所述上板电极未覆盖所述电容介电层的区域并与所述电容介电层接触，用于接收含有DNA的样本本发明提供的芯片基板将测序过程中的化学信号转变为电信号，无需对各种碱基进行如荧光探针等特殊标记，试剂成本低；芯片结构简单，工艺复杂程度较低，有利于基因测序在医学等领域的普及和推广。
芯片及其制作工艺基因方法

[发明专利]一种包覆式高频磁介材料及其制备方法-CN202111196848.2有效
发明人：武剑;李颉;梁峥;韩雪宁;张颖;卢冰;刘颖力 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01F1/03 文献下载
摘要：一种包覆式高频磁介材料，属于电子材料领域。所述磁介材料为Ba3Co2Fe24O41‑xScMnO3六角晶型磁介复合材料；其中，x＝0.02～0.10。本发明提供的一种包覆式高频磁介材料，为核壳式包覆结构，内部为溶胶凝胶法制备的ScMnO3高频纳米介电材料，外部为水热法制备的高频Ba3磁介复合材料为包覆结构，有效降低了不同材料的晶界效应对磁介损耗的影响，保证了在高频下良好的磁特性和介电特性，可用作微带天线的基板材料。
一种包覆式高频材料及其制备方法

[实用新型]存储器装置-CN202221530088.4有效
发明人：朱奕丞;林仲德;郑凯文;蔡瀚霆;蔡荣赞;戴宝羿;黄建桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：所述存储器装置包括含有具金属线的金属间介电层的基板、位于基板上方的介电层、穿过介电层并与金属线接触的底部电极通孔、位于底部电极通孔上方的底部电极、位于底部电极上方的磁穿隧接面(MTJ)元件以及位于MTJ
存储器装置

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