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[发明专利]一种多晶碳化硅薄膜的生长方法-CN201510960178.5在审
发明人：张宇锋;胡启涛;林南英;李晓军 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种多晶碳化硅薄膜的生长方法，涉及碳化硅薄膜。提供可有效减少碳化硅薄膜内部的杂质和缺陷，避免薄膜中因为较大的张应力造成薄膜破裂现象，显著提高碳化硅薄膜质量的一种多晶碳化硅薄膜的生长方法。将清洗后的衬底送入磁控溅射仪溅射，溅射结束后降温，形成非晶碳化硅薄膜样品，退火后即得多晶碳化硅薄膜。采用磁控溅射设备在掺铝氧化锌衬底上制备多晶碳化硅薄膜样品，通过控制生长参数，得到尺寸均匀碳化硅薄膜，制备过程简单、工艺稳定、重复性好、无需使用有毒或危险气体，而且制得的多晶碳化硅薄膜沉积速率高、致密性好
一种多晶碳化硅薄膜生长方法

[发明专利]一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法-CN201110222123.6无效
发明人：张文广;徐强;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法，在衬底上淀积一层低K值介电层，在低K值介电层上刻蚀形成多个沟槽，在沟槽中填充金属铜，再进行化学机械平坦化，然后形成第一碳化硅薄膜覆盖所述金属铜和所述低K值介电层，所述第一碳化硅薄膜为多层第二碳化硅薄膜依次相互堆叠形成；每一层第二碳化硅薄膜的制备过程中，先用含氮反应气体淀积形成第二碳化硅薄膜，再用等离子体去除所述第二碳化硅薄膜中的氮元素；然后在去除了氮元素的第二碳化硅薄膜上继续淀积形成新的第二碳化硅薄膜，再用等离子体去除所述新的第二碳化硅薄膜中的氮元素；重复上述第二碳化硅薄膜的形成步骤和去除氮元素的步骤，直至形成多层第二碳化硅薄膜堆叠的厚度达到第一厚度。
一种避免中毒碳化硅薄膜制备新方法

[发明专利]一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法-CN201911311171.5在审
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C25D11/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后将碳化硅片超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片作阳极、石墨片作阴极，保持碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置不变，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑30min，在碳化硅片表面形成碳化硅纳米结构薄膜层；调整碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置，在所述蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑60s，使碳化硅片表面的碳化硅纳米结构薄膜剥离至碳化硅纳米结构薄膜脱落本发明提供的一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，制备过程容易、剥离程序简单、实验重复性好。
一种碳化硅纳米结构薄膜制备剥离方法

[发明专利]一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法-CN202210051840.5有效
发明人：王蓉;沈典宇;皮孝东;李佳君;王芸霞;刘小平;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
一种提高碳化硅薄膜少子寿命方法

[发明专利]一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法-CN202210089355.7有效
发明人：欧欣;伊艾伦;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及信息功能材料制备领域，特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行退火处理，沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆；在第一碳化硅晶圆上外延生长第一纯度的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第三键合介质层；将所述第一键合结构和硅衬底键合形成第二键合结构；面向所述第二碳化硅晶圆切割至所述第一键合介质层，去除所述第二碳化硅晶圆和所述第一碳化硅晶圆，暴露所述碳化硅外延层，得到硅基碳化硅薄膜材料。本发明解决了碳化硅薄膜制备技术中单晶质量差、无法通过传统薄膜沉积异质外延、薄膜均匀性差的技术问题。
一种碳化硅薄膜材料制备方法

[发明专利]碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法-CN202110186694.2有效
发明人：李翔;丛茂杰;谢志平;阚志国;刘煊杰 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法。缓冲层包括至少两层碳化硅薄膜层，并且至少对下层的碳化硅薄膜层其顶表面进行预定离子掺杂，以在碳化硅薄膜层的顶表面上形成参数不同的阻隔面，以用于阻隔延伸至碳化硅薄膜层中的位错缺陷，避免位错缺陷在碳化硅薄膜层中进一步向上传播
碳化硅衬底缓冲及其形成方法

[发明专利]一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器-CN202111249926.0有效
发明人：欧欣;石航宁;张师斌;游天桂;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与氮化铝薄膜形成复合压电器件层；在复合压电器件层上制作上电极，上电极设置在氮化铝薄膜上。在支撑衬底上通过离子束剥离和键合的方法形成碳化硅单晶薄膜层，得到与AlN更匹配的SiC作为外延模板，大大提高了外延AlN薄膜的晶体质量，从而提高器件性能与可靠性。
一种氮化碳化硅复合声波谐振器制备方法

[发明专利]一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法-CN202210072526.5在审
发明人：张东生;姚栋嘉;李江涛;王征;魏庆渤;吴恒 -专利权人：巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅涂层石墨基座，包括呈圆盘片状的石墨基座，石墨基座表面沉积碳化硅薄膜，在碳化硅薄膜外沉积石墨烯薄膜或难熔金属碳化物层；或者石墨基座表面沉积难熔金属碳化物层；还包括沉积在难熔金属碳化物层表面或者沉积在石墨烯薄膜表面碳化硅涂层；通过在石墨基座表面沉积石墨烯薄膜或者难熔金属碳化物层，从而大大提高基体表面的比表面积，从而在基体表面形成了更多的形核位点，在沉积碳化硅涂层时，减轻了碳化硅晶粒聚集程度，使碳化硅涂层的晶粒分布更加均匀致密，提高了碳化硅涂层石墨基座的抗热震性能及耐腐蚀性能；本发明还涉及一种碳化硅涂层石墨基座制备方法。
一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法

[发明专利]掺氮的碳化硅薄膜的形成方法-CN200910201179.6有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种掺氮的碳化硅薄膜的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掺氮的碳化硅薄膜，形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体包括：四甲基硅烷和氨气；形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体还包括氮气。本发明形成的掺氮的碳化硅薄膜反射率差异值范围小，性质均匀性好。
碳化硅薄膜形成方法

[发明专利]一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法-CN201811347796.2有效
发明人：欧欣;伊艾伦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H‑SiC单晶薄膜；将所述4H‑SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构。本发明的制备方法得到的集成薄膜结构不存在结晶质量差的问题。
一种硅基异质集成 sic 外延薄膜结构制备方法

[发明专利]一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法-CN202111562838.6在审
发明人：盛况;冉飞荣;任娜;王珩宇 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明公开一种掺杂碳化硅薄膜表面制备电极实现掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，该方法通过在碳化硅薄膜表面形成独立的欧姆接触电极，探针通过电极测试薄膜的方阻，解决了掺杂碳化硅薄膜与金属探针难以形成欧姆接触的问题
一种掺杂碳化硅薄膜测试方法

[发明专利]一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法-CN201810865340.9在审
发明人：杨金山;闫静怡;董绍明;周海军;胡建宝 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法，所述碳化硅纳米线宏观有序体的制备方法包括：将碳化硅纳米线分散于溶剂中，再加入分散剂、粘结剂和增塑剂混合，得到碳化硅纳米线浆料；采用流延法将碳化硅纳米线浆料制成无序碳化硅纳米线薄膜；采取机械拉伸法处理无序碳化硅纳米线薄膜，得到所述碳化硅纳米线宏观有序体。
碳化硅纳米线制备宏观浆料薄膜机械拉伸法分散剂流延法增塑剂粘结剂溶剂

[发明专利]外延用图形化衬底及其制作方法-CN201611243584.0在审
发明人：徐俞;王建峰;徐科 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延用图形化衬底，包括碳化硅层，所述碳化硅层的表面覆盖有图形化的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜在与碳化硅层表面原子台阶所对应的位置具有窗口。本发明还提供了一种外延用图形化衬底的制作方法，包括如下步骤提供一衬底，所述衬底表面为碳化硅材料；对所述碳化硅材料实施退火使硅析出，从而在碳化硅材料的表面获得石墨烯薄膜；刻蚀石墨烯薄膜，使上述石墨烯薄膜在与碳化硅层表面原子台阶所对应的位置形成窗口
外延图形衬底及其制作方法

[发明专利]一种多孔碳化硅薄膜的制备方法-CN201911393517.0在审
发明人：黄其煜;王舒瑭 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔碳化硅薄膜的制备方法，属于微纳加工领域。本发明提供了一种多孔碳化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：使用电化学刻蚀对碳化硅晶片进行阳极氧化，得到多孔碳化硅薄膜。本发明可通过改变电化学刻蚀过程中的外加电压、电流、频率、占空比等参数，能够实现对多孔碳化硅薄膜纳米形貌以及厚度的控制。实施例的数据表明，本发明制得的多孔碳化硅薄膜的的厚度为100纳米～300微米，纳米孔直径为0.5～50纳米，实现了多孔碳化硅薄膜的可控制备。
一种多孔碳化硅薄膜制备方法

[发明专利]一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法-CN202210839290.3在审
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;刘帅;熊慧凡;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，具体为一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法，基于PECVD沉积薄膜法在所述碳化硅晶圆的至少一侧表面形成对应的非晶硅薄膜，利用PECVD的退火过程中，非晶硅薄膜中的氢原子逸出到碳化硅晶圆对应的表面上，对所述碳化硅晶圆对应表面的碳空位缺陷进行钝化；并利用非晶硅薄膜的晶格常数与碳化硅晶圆的晶格常数比较接近，可以很好地与碳化硅晶圆表面的悬挂键成键，减少所述碳化硅晶圆表面的悬挂键数量，消除碳空位缺陷即钝化碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷，从而提高所述碳化硅晶圆至少一侧表面的寿命。
一种提高碳化硅表面寿命方法

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