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[发明专利]铝碳化硅材料的制备方法及制备得到的铝碳化硅材料-CN201910057950.0有效
发明人：陈迎龙;肖浩;杨盛良 -专利权人：湖南浩威特科技发展有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝碳化硅材料的制备方法及制备得到的铝碳化硅材料，铝碳化硅材料的制备方法，将被铝浸湿的碳化硅与铝合金熔液混合，搅拌，装入模具中，加压成型，获得铝碳化硅材料。本发明的铝碳化硅材料的制备方法，将被铝浸湿的碳化硅与铝合金熔液混合，使得在与铝合金熔液混合之前，碳化硅颗粒被铝充分润湿，再通过搅拌铸造法将被铝浸湿的碳化硅材料采用铝合金熔液进行稀释，制备获得铝碳化硅材料由于碳化硅表面包裹铝，使得碳化硅颗粒被充分润湿，再将其加入到铝合金熔液中时就更加容易与铝合金熔液溶合，即相同体积的铝合金熔液中可以溶更多的碳化硅，提高铝碳化硅材料中碳化硅含量。
铝碳化硅铝合金熔液制备碳化硅浸湿润湿碳化硅颗粒搅拌铸造法碳化硅表面碳化硅材料反应进程加压成型溶合稀释模具装入

[发明专利]一种碳化硅板材材料及其制备方法-CN201711315069.3在审
发明人：刘运群 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅板材材料及其制备方法，碳化硅板材材料组成为碳化硅粗料、碳化硅细料、纤维素、水溶液和甘油；其中，碳化硅粗料50‑70份，碳化硅细料30‑50份，纤维素1.5‑3份，水溶液10‑15份采用本发明方法制备的碳化硅板材材料，组成结构/制备工艺简单，相比现有碳化硅板材材料能够节约成本。调节碳化硅粗料和碳化硅细料的配比，同时加入纤维素增加整个配方的粘结性，加入甘油提高润滑力和润湿力，水溶液含量适当提高有利于浇模，促进板材成型，综合作用促进碳化硅板材材料性能的提升。最终通过合理的配比和组成，能够解决碳化硅板材材料制成的板材强度和密度较低的问题，提高碳化硅板材材料的利用率。
一种碳化硅板材材料及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅圆管材料及其制备方法-CN201711314954.X在审
发明人：刘运群 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅圆管材料及其制备方法，碳化硅圆管材料的组成为碳化硅粗料、碳化硅细料、纤维素、水溶液和甘油；其中，碳化硅粗料50‑70份，碳化硅细料30‑50份，纤维素1.5‑3份，水溶液7‑10份采用本发明方法制备的碳化硅圆管材料，组成结构、制备工艺简单，相比现有碳化硅圆管材料能够节约成本。调节碳化硅粗料和碳化硅细料的配比，同时加入纤维素增加整个配方的粘结性，加入甘油提高润滑力和润湿力，都能够促进碳化硅圆管材料性能的提升。最终通过合理的配比和组成，能够解决碳化硅圆管材料制成的钢管强度和密度较低的问题，提高碳化硅圆管材料的利用率。
一种碳化硅圆管材料及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅半导体材料及其制备工艺-CN202310289997.6在审
发明人：沈文舒;李庆喜;武刚;吕岩松 -专利权人：长春工程学院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体材料及其制备工艺，属于碳化硅半导体技术领域，该碳化硅半导体材料以重量计包括碳化硅微粉、石英砂、煤焦、木屑和钛；本发明中，该碳化硅半导体材料含有太空金属钛，使钛和碳化硅充分耦合，即能保证碳化硅半导体材料的轻量化，且保证碳化硅半导体材料的结构强度，避免使用时碳化硅半导体材料出现碰撞损坏的现象，提高碳化硅半导体材料的使用寿命；该碳化硅半导体材料的制备工艺中，涂层为富硅抗反射涂层，193nm波长下n=1.63～1.65，k=0.15～0.22，满足光刻工艺要求，硅含量大于40wt%，涂层耐PGMEA、PGME溶剂，使制得的碳化硅半导体材料的耐腐蚀性能、绝缘性能、电学性能满足使用需求。
一种碳化硅半导体材料及其制备工艺

[发明专利]一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法-CN202010419518.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨鹏谦科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明解决了目前制备碳化硅石墨烯衬底外延材料时存在的缺陷问题。本发明提供了一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，包括碳化硅基层的生长，碳化硅‑石墨烯层的生长，利用衬底制备专用设备对碳化硅‑石墨烯复合层进行加工，获得碳化硅石墨烯外延晶体材料，切割后得到的碳化硅晶体再次生长石墨烯，再次经过加工后得到碳化硅石墨烯衬底外延材料，依次反复操作，即可获得工业化碳化硅石墨烯衬底外延材料。
一种碳化硅石墨衬底外延材料制备方法

[发明专利]一种碳化硅光伏器件-CN202011602490.4在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种碳化硅光伏器件，所述碳化硅光伏器件包括碳化硅基体和钝化层；所述碳化硅基体包括具有中间带的碳化硅光吸收材料；所述钝化层位于所述碳化硅基体的一侧表面，包括本征碳化硅。本发明提供的上述碳化硅光伏器件除电极与正面功能层外，采用全碳化硅材料，利用碳化硅材料的高导热系数，消除了背面钝化与背面热阻的矛盾，在获得较高器件效率的同时，可以获得较高的器件导热效率。
一种碳化硅器件

[发明专利]一种高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法-CN202111281754.5在审
发明人：吴宝林;侯振华;吴迪 -专利权人：江西信达航科新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法，包括以下步骤：前驱体的制备、表面复合氧化镧粒子的碳化硅纤维的制备、表面复合氧化镧晶须的碳化硅纤维的制备、高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷的制备。本发明还提供了上述方法制得的高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料。本发明提供的碳化硅纤维增强陶瓷复合材料，通过在碳化硅陶瓷中分散碳化硅纤维大大提高了材料的韧性，在碳化硅纤维表面复合氧化镧晶须，降低了碳化硅纤维的介电参数，同时在碳化硅陶瓷中分散氧化硅等材料，进一步降低了碳化硅陶瓷的介电参数
一种绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法-CN202210113833.3在审
发明人：闫春泽;王长顺;刘桂宙;杨潇;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于铝基碳化硅复合材料相关技术领域，其公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法，步骤如下：(1)将碳化硅复合材料坯体进行固化，以获得多孔碳化硅/碳坯体；(2)将多孔碳化硅/碳坯体进行反应烧结；(3)将多孔碳化硅坯体进行碳化硅增密处理，使得多孔碳化硅坯体的孔隙率在预定范围内，以获得多孔碳化硅预制体；(4)将多孔碳化硅预制体进行溶胶凝胶界面改性；(5)将改性后的多孔碳化硅预制体进行铝合金浸渗，多孔碳化硅预制体内部的孔隙被铝合金液填充，以获得预定铝合金体积分数的铝基碳化硅复合材料。通过此方法可以获得碳化硅‑铝体积分数可调、结构复杂度可控、尺寸大小符合需求的铝基碳化硅构件，具有广泛的应用前景。
一种碳化硅复合材料及其制备方法

[发明专利]一种利用黏土矿物制备碳化硅纳米材料、含碳化硅纳米复合材料的方法及应用-CN201911212346.7有效
发明人：朱润良;陈情泽;杜静;何宏平;朱建喜;何秋芝;杨奕煊;魏洪燕 -专利权人：中国科学院广州地球化学研究所
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C01B32/963 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用黏土矿物制备碳化硅纳米材料、含碳化硅纳米复合材料的方法及应用。该方法包括：将黏土矿物‑碳复合物在还原剂的作用下发生还原反应，制得所述碳化硅纳米材料、含碳化硅纳米复合材料。本发明制备的碳化硅纳米材料、含碳化硅纳米复合材料具有大比表面积和多级孔结构，通过调节有机前驱体中碳的含量能得到碳化硅纳米材料和含有碳化硅的纳米复合材料。此外，改变有机黏土矿物类型可调控碳化硅纳米材料和含碳化硅纳米复合材料的形貌。该方法所用原料丰富，价格低廉，制备过程简单可控，易于大规模制备；产物的成分可调，形貌可控，可满足多种应用需求。
一种利用黏土矿物制备碳化硅纳米材料复合材料方法应用

[发明专利]碳化硅纤维增强碳化硅复合材料制备方法-CN200610031189.6有效
发明人：周新贵;张长瑞;王军;张洪刚;李效东;刘荣军;曹英斌;于海蛟 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种碳化硅纤维增强碳化硅复合材料制备方法，其步骤为：1)碳化硅纤维表面SiC涂层；2)碳化硅纤维增强碳化硅复合材料预制件热模压成型；3)有机先驱体浸渍裂解法制备碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。本发明提供了一种以聚碳硅烷为先驱体，以国产连续碳化硅纤维为增强相，首先采用化学气相沉积工艺在碳化硅纤维表面上制备碳化硅涂层，然后采用先驱体浸渍裂解工艺制备碳化硅纤维增强碳化硅(SiC_f/SiC)复合材料，最后在复合材料表面制备整体防氧化涂层的复合工艺方法，该方法制备的SiC_f/SiC复合材料力学性能优异、抗氧化性能大大提高，同时具有设备要求简单，制备周期短的特点
碳化硅纤维增强复合材料制备方法

[发明专利]形成包括碳化硅材料的设备的方法以及相关的微电子装置和系统-CN202210867045.3在审
发明人： V·亚达夫;S·博尔萨里;郭松 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及形成包括碳化硅材料的设备的方法以及相关的微电子装置和系统。一种形成半导体装置的方法包括在图案化材料上形成碳化硅材料。所述碳化硅材料经受等离子体以使所述碳化硅材料的水平部分暴露于所述等离子体。选择性地去除所述碳化硅材料的所述水平部分，且去除所述图案化材料以形成所述碳化硅材料的图案。
形成包括碳化硅材料设备方法以及相关微电子装置系统

[发明专利]一种碳化硅同质外延材料的制备方法-CN202110042520.9在审
发明人：周长健;潘尧波;唐军 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅同质外延材料的制备方法，包括以下步骤：将碳化硅衬底放入反应室内，并将所述反应室抽真空；将所述反应室升温至刻蚀温度，对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层；将所述反应室的温度调节至碳化硅外延层的生长温度，在所述碳化硅缓冲层上生长所述碳化硅外延层；待所述反应室降温后，获得所述碳化硅同质外延材料；其中，所述刻蚀温度为所述碳化硅缓冲层的生长温度，且所述刻蚀温度大于所述碳化硅外延层的生长温度采用本发明的制备方法制备的碳化硅同质外延材料的层错密度大大降低，从而提高了碳化硅器件的良率。
一种碳化硅同质外延材料制备方法

[发明专利]碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料及其制备方法-CN201510371113.7有效
发明人：余金山;周新贵;王洪磊;曾穗娟;殷刘彦;杨备;杨会永 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： D06M11/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料及其制备方法。该碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料包括碳化硅纤维基体和碳化硅纳米线，碳化硅纳米线原位生长且均匀分布于碳化硅纤维基体表面和内部，碳化硅纳米线之间相互缠绕成网状结构。本发明的碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料，引入的碳化硅纳米线含量高、分布均匀且与碳化硅纤维结合良好，其制备方法具有制备工艺简单，设备要求低，制备周期短，制备过程中对环境无污染等优点。
碳化硅纳米原位增强纤维材料及其制备方法

[发明专利]一种高性能低游离硅含量反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法-CN202210674933.3在审
发明人：周雅斌;黄毅华;沙闻浩;刘营营 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种高性能低游离硅含量反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅陶瓷材料的原材料包括碳化硅微粉，所述碳化硅微粉的粒径为0.1‑100μm，其中粒径为0.1‑10μm占所述碳化硅微粉总重量的30％，粒径为10‑100μm占所述碳化硅微粉总重量的70％；所述碳化硅陶瓷材料的抗弯强度≥220MPa，弹性模量≥280Gpa，所述碳化硅陶瓷材料中的残余游离硅含量不大于25wt％。本发明还提供一种由该碳化硅陶瓷材料制成的深海用无人滑翔机耐压舱壳体。
一种性能游离含量反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种碳/碳化硅双连续相复合材料及其制备方法-CN202011076751.3有效
发明人：廖寄乔;李军;邓华峰;龚智;李丙菊;石磊;刘学文;王跃军 -专利权人：湖南金博碳素股份有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳/碳化硅双连续相复合材料及其制备方法。所述复合材料由重结晶碳化硅以及热解碳组成，其中重结晶碳化硅在复合材料的质量分数为80～83％：热解碳在复合材料中的质量分数为：17～20％，所述复合材料的孔隙率≤5％。制备方法为将碳化硅粉与造孔剂、成型剂混合获得混合料，混合料经压制成型获得碳化硅生坯，碳化硅生坯经干燥、烧结获得孔隙率为25％～35％碳化硅坯体，将碳化硅坯体经化学气相沉积热解碳，即获得碳/碳化硅双连续相复合材料所得碳/碳化硅双连续相复合材料具有良好高温力学性能，且抗热震性好、抗侵蚀性能优异。
一种碳化硅双连复合材料及其制备方法

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