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[发明专利]一种碳/碳-碳化硅复合材料的制备方法-CN202310190752.8在审
发明人：张福勤 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳/碳‑碳化硅复合材料的制备方法，在碳纤维预制体编织过程中，引入陶瓷混合粉，获得含陶瓷混合粉的碳纤维预制体，然后于碳纤维预制体表面化学气相沉积热解碳层获得碳/碳‑碳化硅复合材料坯体，然后将碳/碳‑碳化硅复合材料坯体进行先驱体浸渍裂解碳化硅获得碳/碳‑碳化硅复合材料多孔体、再将碳/碳‑碳化硅复合材料多孔体进行化学气相沉积热解碳增密，最后再进行反应熔渗硅，即得碳/碳‑碳化硅复合材料，所述陶瓷混合粉由碳化硅粉、碳化钼粉组成。本发明先驱体浸渍裂解碳化硅的结构为多孔结构，降低反应熔渗后复合材料中游离硅的含量；在预制体中编织碳化硅/碳化钼混合粉，减少周期，提升材料的耐磨性能。
一种碳化硅复合材料制备方法

[发明专利]芯片及其制备方法-CN202011450019.8在审
发明人：李凯;袁述 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1、将碳化硅棒切割为多个碳化硅衬底片，每个所述碳化硅衬底片的厚度小于第一设定值；S2、在所述碳化硅衬底片的至少一侧设置辅助层，得到复合片，所述复合片的总厚度大于第二设定值，所述第二设定值大于所述第一设定值；S3、对所述复合片进行加工，得到芯片；S4、去除所述芯片上的所述辅助层。本发明实施例的芯片的制备方法，通过将碳化硅晶锭切割成多个薄衬底片，并在每个薄衬底片上设置辅助层，得到复合片，防止薄衬底片在加工过程破碎，最后再将复合片加工得到碳化硅芯片后，去除辅助层，得到厚度较薄的碳化硅芯片
芯片及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310737349.2在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，在预设深度形成缺陷层，得到离子注入后的第一碳化硅衬底；对离子注入后的第一碳化硅衬底的表面进行反型掺杂，在表面形成第一绝缘层，得到反型掺杂后的第一碳化硅衬底；获取第二碳化硅衬底；将第二碳化硅衬底与反型掺杂后的第一碳化硅衬底进行直接键合，得到第一复合衬底；沿缺陷层对第一复合衬底进行剥离，得到第二复合衬底；对第二复合衬底的表面进行绝缘处理，得到处理后的第二复合衬底；基于处理后的第二复合衬底的制备得到氮化镓HEMT器件。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法-CN202210610312.9有效
发明人：闫春泽;刘桂宙;王长顺;欧阳震;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法。所述方法包括：将表面包覆有聚碳硅烷的碳化硅粉末作为打印粉末，采用增材制造技术根据梯度多孔的三维结构打印碳化硅素坯；碳化硅素坯中碳化硅的体积分数沿着Z轴方向线性变化；将碳化硅素坯进行高温裂解处理得到碳化硅陶瓷体；然后对碳化硅陶瓷体进行预氧化处理；再采用液态铝合金填充碳化硅陶瓷体得到铝基碳化硅镜坯；在铝基碳化硅镜坯的一表面上沉积SiC致密层，所述表面为碳化硅的体积分数最大的一面；对SiC致密层表面进行抛光处理，得到高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜。
一种比分梯度碳化硅复合材料反射及其制备方法

[实用新型]碳化硅耐磨防腐复合管-CN201520022916.7有效
发明人：谢春兵;谢新兵;李畔玲;张浩;李泽 -专利权人：山东博润工业技术股份有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： F16L57/06 文献下载
摘要：本实用新型属于耐磨管道领域，特别涉及一种碳化硅耐磨防腐复合管，包括铠装层，铠装层采用金属管材，铠装层内部设置防腐隔离层，防腐隔离层内部设置耐磨层，铠装层端部设置连接法兰，耐磨层为分段式碳化硅陶瓷管，相邻碳化硅陶瓷管之间采用耐磨胶复合物进行填充和粘贴碳化硅复合管采用耐磨碳化硅陶瓷管为内衬，可以大大提高复合管道使用寿命，同时利用防腐管材的隔离和连续性，保证了铠装层不受介质的侵蚀；在铠装层的支撑下完全满足强度要求；适用于输送含固冲刷、腐蚀的介质。
碳化硅耐磨防腐复合管

[发明专利]一种二维碳化硅纤维布增强陶瓷基复合材料过滤管-CN201910040372.X有效
发明人：余盛杰;李喜英;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：一种碳化硅纤维织物增强陶瓷基复合材料过滤管，其特征在于，包括二维碳化硅纤维布铺层缝合织物，复合界面，陶瓷基体，复合界面层在碳化硅纤维表面与陶瓷基体之间；在厚度方向上，铺层结构从二维斜纹布过渡到二维平纹布，外层为平纹碳化硅纤维布，内部为斜纹碳化硅纤维布，二维布铺层总数15~20层，平纹布层数为1~3层，斜纹布层数为7~14层；复合材料过滤管孔隙率为35~40%，其中碳化硅纤维布铺层缝合织物体积分数为40%陶瓷基复合材料过滤管管壁厚度为5~10mm。本发明具有的优点：1、碳化硅纤维高强高模，提高复合材料高温抗氧化性能；2、梯度孔隙结构纤维织物提高过滤管透气性；3、内部孔径分布具有可设计性，可取代表面陶瓷过滤膜，提高材料的可靠性。
一种二维碳化硅纤维增强陶瓷复合材料过滤

[发明专利]一种碳化硅复合材料的吸波陶瓷及其制备方法-CN201110053460.7有效
发明人：程海峰;刘海韬;王军;周永江;郑文伟 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅复合材料的吸波陶瓷及其制备方法，该吸波陶瓷为一包括匹配层、损耗层、介质层和反射层的多功能层叠加型结构，匹配层、损耗层以及介质层均由连续碳化硅纤维增强碳化硅基复合材料构成，反射层由连续碳纤维增强碳化硅基复合材料构成，连续碳化硅纤维及连续碳纤维均具有不同的电阻率。
一种碳化硅复合材料陶瓷及其制备方法

[发明专利]铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置-CN201410200847.4有效
发明人：白书欣;熊德赣;李顺;赵恂;张虹;万红 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置。该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表层；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳化硅上材料表层同步集成具有良好激光焊接特性的喷射沉积铝硅层。由于喷射沉积得到的铝硅材料层氧含量≤1000×10^-6，硅相粒径小且彼此深度连接形成网状，提高了所得复合材料的激光焊接焊缝的稳定性，使其能满足微电路组件外壳材料的要求。
铝硅碳化硅复合材料及其制备方法电子封装装置

[发明专利]铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置-CN201410200713.2有效
发明人：白书欣;熊德赣;李顺;赵恂;张虹;万红 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置。该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表层；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳化硅材料表层同步集成具有良好激光焊接特性的喷射沉积铝硅层。由于喷射沉积得到的铝硅材料层氧含量≤1000×10^-6，硅相粒径小且彼此深度连接形成网状，提高了所得复合材料的激光焊接焊缝的稳定性，使其能满足微电路组件外壳材料的要求。
铝硅碳化硅复合材料及其制备方法电子封装装置

[发明专利]铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置-CN201410200865.2有效
发明人：白书欣;熊德赣;李顺;赵恂;张虹;万红 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置，该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表面；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳化硅材料表面同步集成具有良好激光焊接特性的喷射沉积铝硅层。由于喷射沉积得到的铝硅材料层氧含量≤1000×10^-6，硅相粒径小且彼此深度连接形成网状，提高了所得复合材料的激光焊接焊缝的稳定性，使其能满足微电路组件壳体材料的要求。
铝硅碳化硅复合材料及其制备方法电子封装装置

[发明专利]一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体-CN201910674058.7有效
发明人：郭少聪;王军;陈小芳;周维;蔡凯;黄晓升;崔孟华 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体。所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。保护层与籽晶的粘附力高，能有效地保护籽晶背面，抑制背向蒸发，提高碳化硅晶体质量。
一种碳化硅籽晶及其处理方法晶体

[实用新型]一种具有碳化硅纤维增强结构的钛铝基复合板-CN201920087686.0有效
发明人：叶校瑛;张丹丹;李广华;张冉;周琦 -专利权人：唐山工业职业技术学院
申请日： 2019-01-20 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种具有碳化硅纤维增强结构的钛铝基复合板，至少包括复合层；所述复合层包括按次序依次铺叠且相互固定连接的钛（Ti）箔层Ⅰ、铝（Al）箔层Ⅰ、碳化硅(SiC)纤维层、铝（Al）箔层Ⅱ和钛（Ti）箔层Ⅱ，本实用新型利用碳化硅（SiC）纤维层显著增强在高温下的钛铝（TiAl）基复合板的力学性能。
箔层复合板复合层碳化硅纤维层本实用新型碳化硅纤维力学性能增强结构钛铝基铺叠钛铝

[发明专利]石墨烯复合碳化硅分散浆料-CN202210957944.2有效
发明人：陈宇红;张秀玲;海万秀;戚武彬;徐照芸;刘利盟;陆有军 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/577 文献下载
摘要：本发明公开了石墨烯复合碳化硅分散浆料的制备方法，包括以下步骤：首先利用超声分散方法分散石墨烯，获得石墨烯分散液，然后利用超声分散配合加热机械搅拌的方式，使得石墨烯以N层的形式包裹在纳米或亚微米碳化硅表面，形成石墨烯复合碳化硅分散浆料；所述N为大于1小于等于5的自然数。本发明中提供的石墨烯复合碳化硅分散浆料的制备方法，使石墨烯良好地分散在碳化硅表面，防止石墨烯的团聚的同时避免了碳化硅粉体的团聚，提高石墨烯复合碳化硅的烧结性能。
石墨复合碳化硅分散浆料

[发明专利]一种硅酸钇改性碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法-CN201811202000.4有效
发明人：宋环君;于艺;刘伟;王鹏;杨冰洋;金鑫;张宝鹏;于新民;刘俊鹏 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸钇改性碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法。所述方法包括：(1)在碳化硅纤维预制体的表面依次制备一层硅酸钇界面层和一层碳化硅界面层，制得硅酸钇改性碳化硅纤维预制体；(2)用碳前驱体溶液浸渍步骤(1)制得的硅酸钇改性碳化硅纤维预制体，然后将浸渍后的硅酸钇改性碳化硅纤维预制体依次经过固化步骤和裂解步骤；(3)至少重复步骤(2)一次，制得多孔碳化硅纤维预制体；和(4)将步骤(3)制得的多孔碳化硅纤维预制体进行液硅熔渗反应，制得硅酸钇改性SiC/SiC复合材料。本发明制得的硅酸钇改性SiC/SiC复合材料具有优异的抗氧化性能、耐温性能以及抗水蒸气腐蚀性能等，综合性能优异。
一种硅酸改性碳化硅纤维增强复合材料及其制备方法

[发明专利]碳化硅功率器件的制作方法-CN202210995589.8在审
发明人：陈俭 -专利权人：上海瞻芯电子科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率器件的制作方法，包括：在硅晶圆上生长第一介质层；将硅晶圆与碳化硅晶圆进行键合处理，形成复合晶圆，复合晶圆从正面到背面依次包括硅晶圆、第一介质层和碳化硅晶圆；将硅晶圆进行减薄处理后，得到复合晶圆的第一导电层；对第一导电层进行加工，从而得到第二导电层；以第二导电层为栅极材料，加工得到碳化硅功率器件的栅极。本发明可以非常有效地提高碳化硅功率器件的电子迁移率，降低开启电阻。
碳化硅功率器件制作方法