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[发明专利]使用掺杂硼的SiGe层的层转移-CN201180008430.2有效
发明人： S·贝德尔;金志焕;D·因斯;D·萨达纳;K·弗吉尔;J·维奇康蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。
使用掺杂 sige 转移

[发明专利]一种硅掺杂氮化硼/石墨烯的PN结型紫外探测器制备方法-CN201810113459.0有效
发明人：慈立杰;彭瑞芹;王旭天;张琳 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了硅掺杂氮化硼与石墨烯构建PN结的紫外探测器及制备方法，包括硅掺杂氮化硼纳米颗粒层和石墨烯层，所述硅掺杂氮化硼纳米颗粒层作为紫外吸收层，所述硅掺杂氮化硼纳米颗粒层和石墨烯层之间形成异质结，硅掺杂氮化硼纳米颗粒层中的硅掺杂氮化硼是氮化硼掺杂硅单质形成的n型半导体氮化硼材料。本发明对氮化硼材料进行硅掺杂，形成n型半导体氮化硼材料，结合石墨烯本征p型的特质，形成PN结型紫外探测器。该结构设计简单，能够充分发挥氮化硼材料的本征紫外吸收特点，另一方面利用石墨烯极高的载流子迁移率，两者结合可以有效提高器件速度。
硅掺杂氮化硼氮化硼材料纳米颗粒层石墨烯紫外探测器石墨烯层本征制备载流子迁移率紫外吸收层紫外吸收掺杂硅氮化硼硅掺杂异质结单质构建

[发明专利]一种硼掺杂发射极的制备方法-CN202210824735.0有效
发明人：全成;刘荣林;童卫红;杜哲仁;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种硼掺杂发射极的制备方法，包括：对n型硅片进行清洗和制绒处理；在硅片正面的绒面制备硼掺杂的非晶硅层；进行退火处理，以在硅片正面依次形成硼掺杂发射极和多晶硅层，再降温并通氧，使多晶硅层正面形成硼硅玻璃层，硅片背面形成二氧化硅层；去除二氧化硅层，抛光使硅片的背面形成平坦形貌；去除硼硅玻璃层和多晶硅层，以使硼掺杂发射极露出，且硼掺杂发射极的正表面的硼掺杂浓度不小于其硼掺杂浓度最大值的该方法将硼掺杂的非晶硅层作为硼掺杂发射极的掺杂源和牺牲层，实现区别于传统制备方法的硼掺杂ECV曲线，进而实现更低表面复合和更优界面金属电极接触，并实现更低的体区复合。
一种掺杂发射极制备方法

[发明专利]掺杂硼的精制硅的制造方法-CN200910003897.2无效
发明人：惠智裕;田渊宏 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明提供一种掺杂硼的精制硅的制造方法，其是用金属铝还原卤化硅而得到还原硅，并从该还原硅、以较少的能量制造掺杂硼的硅(精制硅)的方法。本发明的制造方法的特征在于，用金属铝还原卤化硅而得到还原硅，加热熔融得到的还原硅，掺杂硼，然后在铸模内，在一个方向上设置树脂温度梯度的状态下使其凝结，由此进行精制。优选在酸洗还原硅之后加热熔融，掺杂硼。在减压下加热熔融还原硅之后，掺杂硼。在加热熔融还原硅之后使其在一个方向上凝结，精制，然后加热熔融，掺杂硼。
掺杂精制制造方法

[发明专利]在基板中提供硼掺杂区域的方法以及使用该基板的太阳能电池-CN201480004649.9有效
发明人：小松祐次;J·安克尔;P·C·巴顿;I·G·罗密杰恩 -专利权人：荷兰能源建设基金中心
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：在硅基板(1)中提供硼掺杂区域(8、8a、8b)的方法，包括以下步骤(a)在基板(1)的第一表面(2)上沉积硼掺杂源(6)；(b)将基板(1)退火，使硼从硼掺杂源(6)扩散进入第一表面(2)，从而得到硼掺杂区域；(c)从第一表面(2)的至少部分移除所述硼掺杂源(6)；(d)在第一表面(2)上沉积未掺杂的硅氧化物(10)；(e)将基板(1)退火，以通过未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低所述硼掺杂区域(8、8a)内的硼波峰浓度所述硅氧化物(10)作为硼吸收者以获得所需浓度的硼掺杂区域(8)。
基板中提供掺杂区域方法以及使用太阳能电池

[发明专利]一种基于硼浆印刷的TOPCon电池及其制备工艺-CN202310246016.X在审
发明人：朱瑞刚;梁博淳;赵家林;侯锟 -专利权人：新疆中部合盛硅业有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于硼浆印刷的TOPCon电池。所述电池包括硅基层，在所述硅基层的一侧形成硼掺杂层，所述硼掺杂层包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域和第二掺杂区域在硅基层的表面上呈图形化排布；所述第一掺杂区域为硼轻掺杂区域，所述第二掺杂区域为硼重掺杂区域；其中，所述第二掺杂区域为掺杂不同浓度硼的区域。创造性使用不同浓度的硼浆料，达成不同结型的PN结；进而达到提高电池转化效率的目的。
一种基于印刷 topcon 电池及其制备工艺

[发明专利]一种硼硅共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用-CN201811514487.X有效
发明人：唐永炳;胡渊;杨扬;徐梦琦;张文军 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C25B11/052 文献下载
摘要：本发明提供了一种硼硅共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用，其中硼硅共掺杂金刚石电极包括基体以及设于所述基体上的硼硅共掺杂金刚石层。本发明提供的硼硅共掺杂金刚石电极，通过在金刚石层中掺入硼元素，可有效地提高金刚石层的导电性；而硅元素的掺入，可有效地提高金刚石层的催化活性。因此硼硅共掺杂使得金刚石电极的导电性和催化活性有显著增加，进而提高电催化氮气还原生成氨气的产量。本发明还提供了硼硅共掺杂金刚石电极的制备方法，通过简单的工艺便可制备出催化性能优异的硼硅共掺杂金刚石电极，简化了制备步骤，降低了成本。本发明还提供了将硼硅共掺杂金刚石电极应用于电催化还原氮气中的应用事例。
一种硼硅共掺杂金刚石电极及其制备方法应用

[发明专利]软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及制备方法和应用-CN202010153328.2在审
发明人：潘明军;刘柏男;罗飞 -专利权人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及其制备方法和应用。所述硅基负极材料为粉体材料,粉末电导为2.0S/cm‑6.0S/cm；软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料包括：90wt％‑99.49wt％的硅基粉体材料、0.01wt％‑3wt％的掺杂在硅基粉体材料中的掺杂材料和0.5wt％‑7wt％的软碳材料；硅基粉体材料具体为含有电化学活性粉体材料，包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅、改性氧化亚硅、掺杂氧化亚硅、无定型硅合金中的一种或者几种；掺杂材料包括硼化钛、氮化硼、三氯化硼、硼酸、三氧化二硼、四苯硼钠、硼氢化钠、或硼酸钠中的一种或多种；软碳材料包覆在硅基粉体材料外表面,构成所述硼掺杂硅基负极材料的包覆碳层。
软碳包覆掺杂负极材料制备方法应用

[发明专利]激光硼掺杂电池发射极的制备方法、以及电池和制备系统-CN202210957546.0在审
发明人：左国军;周志豪;王强;王科鹏 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了激光硼掺杂电池发射极的制备方法、以及电池和制备系统，其中电池发射极制备方法包括以下步骤：选择硅基体；对硅基体清洗制绒；对硅基体进行硼扩散，得到p+层和硼硅玻璃层；用第一激光装置对栅线位置加工，得到p++区；用第二激光装置对硅基体进行退火；去除硅基体上的硼硅玻璃层；本发明解决了激光一次掺杂实现SE制备的难题，激光对硼扩散后预留的硼硅玻璃进行加工，以硼硅玻璃作为硼源，对硅基体进行掺杂，在栅线位置形成重掺杂区域，电池片金属化后，可以降低接触电阻，增加电池的填充因子，减少栅线下方电子与空穴的复合，提高电池的开路电压；浅掺杂区域减少复合，增加电池片短路电流，最终有效提高电池的转换效率。
激光掺杂电池发射极制备方法以及系统

[发明专利]一种锂离子电池用硼掺杂硅基负极材料-CN201710530314.6在审
发明人：王辉;郭桂略;朱丽丽 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2017-07-01 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种锂离子电池用硼掺杂硅基负极材料，所述硼掺杂硅基负极材料是由硼掺杂纳米硅材料与石墨复配而成，其中硼掺杂纳米硅材料的质量百分比为3‑100%，石墨为余量。本发明通过三氧化二硼在高温烧结的过程中向硅负极材料逐渐扩散，替代部分硅原子，形成替位式掺杂，提高纳米硅材料中空位载流子浓度，从而提高硅材料的本征电子导电率，石墨则缓冲硅材料体积膨胀。
一种锂离子电池掺杂负极材料

[发明专利]一种背接触电池的制备方法及背接触电池-CN202210737855.7有效
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郎芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;吝占胜;张雷;吴萌萌;王钰蕾;张任远;张莉沫;李英叶;张丽娜;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。
一种接触电池制备方法

[发明专利]太阳能电池制备方法以及太阳能电池-CN202111680754.2在审
发明人：张东威 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：其中，提供硅基底后，在硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，并在硅基底正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，以刻蚀掉图形区域内的硼硅玻璃层，再在扩散温度下对经过刻蚀后的硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在硅基底上形成图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度该方法通过沉积在硅基底的正面制备硼硅玻璃层，仅需一步硼扩散即可制备图形区域内第一硼掺杂浓度、图形区域外第二硼掺杂浓度的选择性发射极结构，减少硅基底处于高温环境的时间，提高少子寿命，也避免高温应力作用下的弯曲形变，以及激光去除硼硅玻璃层对硅基底的损伤，提升电池效率。
太阳能电池制备方法以及

[发明专利]一种P型IBC电池的制备方法-CN202111339977.2在审
发明人：张树德;刘玉申;况亚伟;连维飞;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：与现有技术相比，本发明采用双面硼扩散技术正面的P+掺杂硅层可起到表面钝化的作用，背面的P+掺杂硅层可起到提取空穴的作用，两个功能层同时制备一步完成，且无需做边缘绝缘处理，正面和背面的P+掺杂硅层通过边缘连接在一起，不会导致漏电；同时硼扩散生成的硼硅玻璃层可作为阻挡层，使磷掺杂时磷只掺杂入去除硼硅玻璃层的区域，无需额外制备阻挡层；再者，利用磷掺杂浓度比硼掺杂浓度更高的特点，对去除硼硅玻璃层的P+掺杂硅区域进行补偿掺杂，将其转变为N+掺磷硅，从而实现P型IBC电池的制备，制备步骤简单，无需光刻技术，可显著降低电池成本。
一种 ibc 电池制备方法

[发明专利]一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法-CN202111145263.8在审
发明人：焦云峰;叶枫;王建波;李云朋;袁陨来 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以使硼容易的掺杂进硅片中，降低硼掺杂难度。该硼掺杂方法包括以下步骤：提供一硅基底；在硅基底上形成辅助层，辅助层的材料包括二氧化钛；在辅助层上形成含硼浆料层；利用激光将含硼浆料层中的硼杂质穿过辅助层推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。本发明提供的硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。
一种掺杂方法太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种基于切割硅废料制备硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极的方法-CN202010696789.4有效
发明人：李绍元;王雷;马文会;席风硕;张钊;万小涵;魏奎先;陈正杰;于洁;伍继君;谢克强;杨斌;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于切割硅废料制备硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极的方法。本发明将切割硅废料除杂后进行金属辅助刻蚀处理得到纳米金属/多孔硅复合材料，纳米金属/多孔硅复合材料经与硼源混合后高温处理，使硼对硅形成替位式掺杂，再与碳材料复合得到硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极。本发明硅的多孔结构以及碳材料的加入可以缓解硅的体积膨胀，增加循环稳定性，金属粒子在硅基体表面与硅物理复合结合硼在原子尺度上对硅的化学掺杂协同作用，最终实现硅基复合材料本征电导率的提高和电化学活性的改善，从而制备出高充放电比容量及长循环寿命的硼掺杂纳米金属/硅碳复合负极材料。
一种基于切割废料制备掺杂纳米金属多孔复合负极方法

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