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[发明专利]无机EL蓝色发光体及其制造方法、以及发光装置-CN200910008065.X无效
发明人：伊藤俊一;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：在无机EL蓝色发光体的制造中，至少混合硫化物发光体及稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS：注意，M为稀土金属)，并在600℃以上且1000℃以下的温度下对所获得的混合物进行焙烧来可以在所述硫化物发光体中包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)。
无机 el 蓝色发光体及其制造方法以及发光装置

[发明专利]一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法-CN202211404269.7在审
发明人：张秀梅;杨国锋;霍新霞;陈国庆;谷燕 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。通过在二维半导体性过渡金属硫属化合物二元合金薄膜CVD生长过程中引入VB族过渡金属元素(如V，Nb或Ta)掺杂，调控VB族与VIB族过渡金属元素之间的比例，生成一种在空气中更稳定的二维金属性过渡金属硫属化合物三元合金薄膜这种制备方法能有效解决二维金属性二元合金薄膜制备过程中由于VB族过渡金属氧化物源粉饱和蒸气压低而导致的源粉蒸气不足问题，变二元薄膜生长为三元薄膜生长，利用VIB族过渡金属元素氧化物饱和蒸气压高的特点，保证金属性三元合金薄膜生长过程中源粉蒸气的充足，从而实现一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜材料的轻松制备。
一种金属性过渡金属化合物薄膜制备方法

[发明专利]二元和三元金属硫属化物材料及其制造和使用方法-CN200910149773.5有效
发明人：萧满超;杨柳 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及二元和三元金属硫属化物材料及其制造和使用方法。具体地，本发明公开了使用化学气相沉积(CVD)方法、原子层沉积(CVD)方法或湿溶液方法合成金属硫属化物。有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应生成金属硫属化物。该化学方法被用来沉积用于相变存储器和光电设备的锗-锑-碲(GeSbTe)和锗-锑-硒(GeSbSe)膜或其它碲和硒基金属化合物。
二元三元金属硫属化物材料及其制造使用方法

[发明专利]二元和三元金属硫属化物材料及其制备和使用方法-CN201210195351.3有效
发明人：萧满超;雷新建;杨柳 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种二元和三元金属硫属化物材料及其制备和使用方法。本发明公开了使用化学气相沉积(CVD)法、原子层沉积(CVD)法或湿溶液法合成金属硫属化物。有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应生成金属硫属化物。该化学方法被用来沉积用于相变存储器和光伏设备的锗-锑-碲(GeSbTe)和锗-锑-硒(GeSbSe)膜或其它碲和硒基金属化合物。
二元三元金属硫属化物材料及其制备使用方法

[发明专利]二维金属硫属化合物复合异质结的近红外探测器及其制备-CN202310555742.X在审
发明人：李渊;张娜;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，公开了一种二维金属硫属化合物复合异质结的近红外探测器及其制备，该近红外探测器自下而上包括衬底、功能层及电极层，其中，所述功能层为二维金属硫属化合物基材料，在平行于表面的横向方向以及垂直于表面的纵向方向均存在异质结本发明通过设计基于二维金属硫属化合物的横向‑纵向复合异质结，相应得到的近红外探测器可以有效抑制暗电流、促进光生载流子的分离、丰富载流子传输路径，从而大幅提高近红外探测器的探测性能。
二维金属化合物复合异质结红外探测器及其制备

[发明专利]油性介质中分散稳定的纳米硫属化合物的合成方法-CN01124442.9无效
发明人：欧忠文;刘维民;徐滨士;丁培道;马世宁 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2001-07-31 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： C10M161/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在油性介质中原位合成分散稳定的纳米硫属化合物的合成方法。本发明通过分子设计先合成以含氮基团为锚固基团的超分散稳定剂，然后在超分散稳定剂、油溶性金属盐存在下，在油性介质中通入硫化氢气体来合成分散稳定的纳米硫属化合物。本方法合成的纳米硫属化合物不仅颗粒均匀、细小、分散性好、稳定性高，且工艺操作简单、成本低廉、无需特殊工艺设备、易于工业推广。
油性介质分散稳定纳米化合物合成方法

[发明专利]二硫属化合物的剥离、功能化修饰以及智能复合凝胶的制备方法-CN201511001805.9在审
发明人：雷周玥;武培怡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，具体为一种过渡金属二硫属化合物的剥离、功能化修饰以及双重响应智能复合凝胶的制备方法。本发明涉及通过温敏功能化的聚离子液体水溶液超声剥离过渡金属二硫属化合物粉末，可以直接得到有聚合物修饰的过渡金属二硫属化合物的纳米片层水溶液；再加入交联剂可以进一步制备具有温度和近红外双重响应的智能凝胶，
二硫属化合物剥离功能修饰以及智能复合凝胶制备方法

[发明专利]硫代二酮哌嗪类化合物及其制备方法和用途-CN201410042650.2有效
发明人：王斌贵;孟令红;黄才国;李晓明 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C07D513/22 文献下载
摘要：本发明涉及微生物代谢产物技术，具体的说是硫代二酮哌嗪类化合物及其制备方法和用途。硫代二酮哌嗪类化合物为式I所示的化合物1或化合物2，由青霉属真菌Penicillium brocae经发酵制备获得。经实验表明此类化合物具有抗肿瘤活性，可作为细胞增殖抑制剂或抗肿瘤制剂。式I。
硫代二酮哌嗪类化合物及其制备方法用途

[发明专利]一种硫属化合物/金属氧化物核壳纳米柱阵列的制备方法-CN201510332316.5在审
发明人：王金斌;张苗;钟向丽;田自然;宋宏甲 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属化合物/金属氧化物核壳纳米柱阵列的制备方法，包含如下步骤：(1)将可溶性金属盐溶于去离子水中配制成金属盐溶液；(2)向其中加入缓释型硫或硒源得到硫属化合物的弱电离前驱体溶液；(3)向上述弱电离前驱体溶液中滴加保护剂；(4)制备金属氧化物纳米柱阵列，并将其浸入上述加入保护剂的弱电离前驱体溶液中；(5)将上述固-液系统置于超声水浴环境中，利用超声波诱导上述前驱体溶液产生高速微射流冲击金属氧化物纳米柱；(6)取出样品，用去离子水冲洗，放于干燥箱中干燥得到硫属化合物/金属氧化物核壳纳米柱阵列结构。
一种化合物金属氧化物纳米阵列制备方法

[发明专利]用于橡胶制品制造的可固化聚合物胶乳组合物-CN201680091584.5有效
发明人： G·辛普森;A·艾伯德拉尼;T·H·恩格 -专利权人：昕特玛私人有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C08L9/04 文献下载
摘要：可由以下方法获得的可固化聚合物胶乳组合物：(a)使包含以下组分的单体混合物在水性反应介质中进行自由基乳液聚合以形成原料聚合物胶乳：i.至少一种共轭二烯；ii.至少一种烯属不饱和腈；iii.任选的至少一种烯属不饱和酸；以及iv.任选的至少一种与化合物(i)‑(iii)中的任一种不同的其他烯属不饱和化合物，(b)允许获得的原料聚合物胶乳在至少一种硫代羰基官能化合物的存在下熟化，其中基于步骤(a)中进行自由基乳液聚合的单体总量，至少一种硫代羰基官能化合物以至少0.05wt％的量存在；以及(c)任选地配混熟化的聚合物胶乳与一种或多种交联剂。分别地制备这种可固化聚合物胶乳组合物或由其制备的橡胶制品的方法。可固化聚合物胶乳组合物用于制造蘸塑制品或用于涂覆和浸渍基材的用途。硫代羰基官能化合物作为添加剂用于增强衍生自可固化聚合物胶乳组合物的橡胶制品的柔性而并不实质上损害拉伸强度和/或断裂力的用途，相对于采用相同的方式从没有加入硫代羰基官能化合物的相应可固化组合物获得的橡胶制品
用于橡胶制品制造固化聚合物胶乳组合

[发明专利]系列碱金属镁基硫属（硒属）化合物及其非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202111349453.1在审
发明人：俞洪伟;杨鹏程;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及碱金属镁基硫属(硒属)化合物及碱金属镁基硫属(硒属)非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物和晶体化学通式均为AMg3Ga3<化合物采用在真空条件下固相反应法制备粉末纯样，碱金属镁基硫属(硒属)晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长。
系列碱金属镁基硫属硒属化合物及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]系列碱土金属镁基硫属（硒属）化合物及其非线性光学晶体及其制备方法及其用途-CN202111400480.7在审
发明人：俞洪伟;陈佳乐;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及碱土金属镁基硫属(硒属)化合物及碱土金属镁基硫属(硒属)非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物和晶体化学式通式均为AMg6Ga硫属(硒属)化合物采用真空高温固相反应法合成，碱土金属镁基硫属(硒属)晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
系列碱土金属镁基硫属硒属化合物及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种基于磁热效应的交变磁场探测装置-CN202111088161.7在审
发明人：彭彦莉 -专利权人：彭彦莉
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明涉及交变磁场探测领域，具体提供了一种基于磁热效应的交变磁场探测装置，凹槽设置在基底的表面，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部分别设置在凹槽的两端，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧。应用时，将本发明置于待测空间的交变磁场内，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现交变磁场探测。
一种基于热效应磁场探测装置

[发明专利]一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途-CN201510835965.7有效
发明人：刘毅;刘畅;侯佩佩;郑雪绒;沈亚英 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途。以钡盐、金属铜、二元固溶体Sb2Q3(Q＝S,Se)和单质Q为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应2‑7天，得到四元硫属化合物半导体材料。采用本发明得到的四元硫属化合物，BaCuSbS3可得到纯相，BaCuSbSe3产率可达到～70％，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法用途

[发明专利]一种取代的苯硫醚类化合物及其应用-CN202010690160.9有效
发明人：徐利保;吴鸿飞;常秀辉;于海波;宋玉泉;徐靖博;郭春晓;程学明;孙宁宁 -专利权人：沈阳中化农药化工研发有限公司;江苏扬农化工股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C07C323/62 文献下载
摘要：本发明属农用杀螨剂领域，具体地涉及一种取代的苯硫醚类化合物及其应用。取代的苯硫醚类化合物如通式I所示；式中各取代基团的定义见说明书。通式I化合物具有优异的杀螨活性，可用于防治各种螨害。
一种取代苯硫醚类化合物及其应用