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[发明专利]一种硒化锗靶材及其制备方法-CN201910610004.4有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;谢小林 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化锗靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)加热锗块至980～1050℃，保温后，得到锗液；B)加热硒块至230～250℃，保温后，硒块熔化，并滴入所述锗液中，得到混合熔炼液；C)将所述混合熔炼液在980～1050℃下加热30～60min，冷却后，得到硒锗合金；D)将所述硒锗合金进行球磨，得到的硒锗粉末经真空热压烧结，得到硒化锗靶材；步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。本发明采用真空滴落法制备硒锗合金，再通过球磨得到硒锗粉体，然后运用真空热压法制备得到硒化锗靶材，制备出的硒化锗靶材致密度较高，与理论硒含量相差较小。
一种硒化锗靶材及其制备方法

[发明专利]一种锗砷硒碲合金靶材及其制备方法-CN201910526762.8有效
发明人：石红春;刘晓华;朱晨阳;何金江;杨海;雷继锋 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氧大尺寸锗砷硒碲合金靶材及其制备方法，所述合金包括以下各组分及其原子百分比：锗15～25％；砷20～40％；硒30～50％；碲3～10％，上述各原料混合后原子百分比之和为100％；所述制备方法包括将靶材原料蒸馏提纯后按上述配比混合放入石英管中二次熔封后的石英管放入摇摆炉中熔制、退火得到小尺寸铸锭，经热等静压处理将小尺寸铸锭扩散连接制备成大尺寸合金靶坯，靶坯经机械加工成大尺寸锗砷硒碲合金靶材。此方法制备的合金靶材规格为Dia(150～450mm)×Th(5～30mm)，杂质氧含量小于100ppm，相对密度大于99％。
一种锗砷硒碲合金及其制备方法

[发明专利]一种铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法-CN201410392589.4有效
发明人：黄玲;何俊;杨平雄;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，在钠钙玻璃衬底上，先用射频磁控溅射法制备CuZnGe金属预置层，再进行硫化/硒化处理。本发明中磁控溅射采用单质铜靶，单质锌靶和单质锗靶；硫化反应/硒化反应在真空腔室中进行，将溅射所得的层状金属薄膜前驱体和硫粉/硒粉放置于石墨盒中，进行后硫化/后硒化的处理，得到铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层
一种铜锌锗硫铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]一种半导体工业用靶材及其制备方法-CN202111273585.0有效
发明人：雷雨;周志宏;肖世洪;刘芳 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工业用靶材，包括以下重量份原料：锗10‑20份、碲5‑10份、硒4‑10份、改性膨润土分散剂1‑2份、修饰剂1‑6份、稀土剂改性石墨粉1‑3份、硅粉30‑40份。本发明半导体工业用靶材制备中，采用锗、碲、硒等原料配比而成，添加的改性膨润土分散剂、稀土剂改性石墨粉经过修饰剂处理后，作为预处理添加剂应用到产品中可显著改进产品的性能，继而使原料的致密度、收缩度改进。
一种半导体工业用靶材及其制备方法

[发明专利]硒化铟靶材的制备模具及制备方法-CN201910579741.2在审
发明人：白平平;童培云;白向钰;谢小林;赵佳 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化铟靶材的制备模具，模具包括上方开口且中空的外模和上封盖，外模形成一圆筒形的装料空间，上封盖包括与外模盖合的盖面和自盖面向上凸伸的封盖柄，封盖柄上开设有真空抽气孔，模具还包括垫设于外模内的若干石墨纸和支撑片本发明同时提出一种硒化铟靶材的制备方法。该制备模具和制备方法采用热等静压技术制备高密度、低电阻的硒化铟靶材，所制备得到的硒化铟靶材的密度达到99%以上、靶材1cm间的电阻值低于1200Ω/cm，所制备得到的硒化铟靶材适用于半导体镀膜。
靶材硒化铟制备外模制备模具上封盖封盖盖面模具热等静压技术半导体镀膜真空抽气孔上方开口装料低电阻石墨纸圆筒形支撑片中空的电阻盖合凸伸

[发明专利]室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法和作为析氧反应电催化剂的应用-CN202210400383.6有效
发明人：骆兴芳;袁彩雷;胡策;周行;俞挺;郭满满;杨勇;徐铿 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-04-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法和作为析氧反应电催化剂的应用。所述制备方法具体为：提供衬底和靶材，所述靶材为二硒化钒靶和碳靶的混合靶材；在真空环境中，使所述衬底和靶材沿相反方向旋转，并利用准分子激光轰击所述靶材，使得所述靶材中的二硒化钒和碳交替沉积到所述衬底上；在惰性气体氛围中，将沉积了二硒化钒和碳的所述衬底进行退火处理，得到所述室温铁磁二硒化钒纳米颗粒。这种新颖的室温铁磁二硒化钒纳米颗粒在充分暴露边缘催化活性位点的同时保证了较好的导电性，且在外磁场作用下析氧反应性能可以得到大幅提升；其在电解水析氧反应中表现出优异的催化活性、良好的稳定性以及显著的磁场增强析氧反应
室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法作为反应催化剂应用

[发明专利]一种硒砷锗多元合金溅射靶材的制备方法-CN201811502667.6在审
发明人：储茂友;王星明;白雪;刘宇阳;杨磊;桂涛;韩沧;张恒 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒砷锗多元合金溅射靶材制备方法，其包括以下步骤：1)真空熔炼制备As2Se3，GeSe，As2Te3，As2Ge，GeTe二元化合物；2)依据目标成分，选用所述二元化合物辅以各元素单质进行配料；3)采用真空熔炼制备多元合金；4)对所述多元合金进行破碎磨粉；5)以步骤4)所得粉料为原料，通过真空热压制备硒砷锗多元合金溅射靶材。该靶材为制备集成电路薄膜阈值开关以及薄膜相变存储器的重要原材料。
多元合金制备溅射靶材二元化合物真空熔炼集成电路薄膜相变存储器元素单质阈值开关热压制靶材粉料磨粉薄膜破碎

[发明专利]铜铟镓硒靶材金属化层制备方法-CN201510232814.2在审
发明人：吕宏;谢元锋;夏扬 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒靶材金属化层制备方法，在制备铜铟镓硒靶材的同时制备金属化层，属于有色金属加工领域。首先，将石墨垫板置于热压炉模具的下压头上，然后将金属片放在石墨垫板上，放入铜铟镓硒粉料，再放入上压头，将模具放于热压炉中进行热压烧结，在升温的同时加压，进行保温保压，然后冷却至室温；然后，将靶材从热压炉中取出，先加工靶面，然后加工金属化层，根据需要的金属化层的厚度确定加工量。本发明方法得到的铜铟镓硒靶材金属化层易于钎焊；导电、导热性能好；成本低，与靶材制备过程同步，大大降低生产成本。
铜铟镓硒靶材金属化制备方法

[发明专利]一种锗靶材及其制备装置、制备方法-CN202210025574.9在审
发明人：文崇斌;王英洁;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及靶材技术领域，公开了一种锗靶材及其制备装置、制备方法，其制备方法包括以下步骤：将金属锗融化后注入引料区，降温冷凝得到锗块；将上述锗块加入坩埚主体中，并盖上坩埚盖；将所述坩埚主体竖直放入加热装置内；所述加热装置对融料区进行加热，保温后旋转支撑台；下降所述支撑台，将所述坩埚主体移出冷却；取出所述坩埚主体内的锗靶材胚料，并去除锗靶材胚料两端的部分，得到锗靶材。采用本发明制作时，可在一定范围内根据需要制作任意尺寸的靶材，且方便大批量生产。由于坩埚主体设置在支撑台上，制作过程中支撑台驱动坩埚主体旋转，从而去除了锗靶材内部的氧气，制作的靶材的致密度大于99％，大大提高了锗靶材的致密度，且成本低。
一种锗靶材及其制备装置方法

[发明专利]太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材及其制备方法-CN200810073549.8有效
发明人：王东生;黄开盛;龙飞;李建军;邹正光 -专利权人：王东生
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材及其制备方法。所述靶材是以铜铟镓硒元素粉为原料，采用固相合成制备CIGS粉，进而采用等静压成型，最后高温烧结制备CIGS靶材。以所述靶材为原料，经一步溅射可获得CIGS薄膜。本发明将四元组分的关键靶材制备工艺由“分步沉积－硒化优化”简化为“一步沉积”，解决了多次换靶、重复沉积的复杂工艺过程，同时解决了后期硒化造成的质量问题，而且组分的调整通过靶材进行，后期的溅射工艺只需保证成膜的质量
太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键及其制备方法

[发明专利]铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法-CN201010542692.4无效
发明人：钟润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法，包含铜铟镓硒硫化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉末以合成溶剂混合，再反应合成为铜铟镓硒硫化合物，再制作为铜铟镓硒靶材，或将作为五元靶材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合，经过高压烧结而完成，以本发明铜铟镓硒靶硫五元材制作铜铟镓硒薄膜，可省略硒化、硫化步骤，以确保制程安全性，且该靶材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀，能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硒硫薄膜。
铜铟镓硒硫五元靶材制作方法

[发明专利]铜铟镓硒靶材及其制备方法和太阳能电池-CN202310173503.8有效
发明人：王海北;李拓夫;牛犁;郑朝振;马浩;张学友 -专利权人：矿冶科技集团有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本申请提供一种铜铟镓硒靶材及其制备方法和太阳能电池，涉及材料领域。铜铟镓硒靶材的制备方法，包括：采用气雾化法制备CuInGa三元合金粉，将所述CuInGa三元合金粉与Se粉混合，然后依次进行低温烧结和高温烧结得到铜铟镓硒粉末，将所述铜铟镓硒粉末采用热等静压法制备得到铜铟镓硒靶材铜铟镓硒靶材，使用所述的铜铟镓硒靶材的制备方法制得。太阳能电池，其原料包括所述的铜铟镓硒靶材。该制备方法得到的CIGS靶材致密度好、能够避免大范围的偏析、成分配比精准；可以一步溅射直接得到CIGS薄膜太阳能电池吸收层，省略溅射后的硒化步骤，缩短了工艺流程、节省了成本，提升了CIGS吸收层的质量。
铜铟镓硒靶材及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法-CN202210573235.4有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域，该方法包括以下步骤：S1：将硒化铟粉、银粉和有机溶剂置于球磨罐中进行真空球磨，所得球磨物料进行烘干，得掺杂硒化铟粉体；S2：将S1所得掺杂硒化铟粉体置于模具中min，温度为650～750℃，压力为35～40MPa，时间为120～150min；S4：将真空热压炉内压力降至10MPa以下，再将真空热压炉内温度降至室温，将模具从真空热压炉内取出，撤除模具，即得掺杂硒化铟靶材采用上述方法制备的掺杂硒化铟靶材，相对密度较高，靶材表面距离1cm间的电阻率小于1.5MΩ/cm，氧含量低，组分均匀。
一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法

[发明专利]一种硒化镉靶材及其制备方法-CN201910554310.0有效
发明人：范文涛;朱刘;胡智向 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化镉靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将硒粉和镉粉混匀，得到混合粉末；B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到硒化镉靶材；所述热压烧结包括：b1)将所述混合粉末加热至240～350℃，保温1～3h；b2)然后保压升温至600本发明将硒粉和镉粉混匀后，直接进行热压烧结即可制得硒化镉靶材。本发明中的热压烧结无需在真空条件下进行，即使在真空条件下进行，也是可以实现本发明的效果。制得的硒化镉靶材纯度和密度均较高。
一种硒化镉靶材及其制备方法

[发明专利]硒化铟靶材的装模方法、制备方法-CN202211611681.6在审
发明人：欧海玲;马国成;童培云;谢小林;沈文兴 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B28B1/04 文献下载
摘要：本发明属于薄膜太阳能溅射靶材领域，公开了一种硒化铟靶材的装模方法和制备方法。将装模完成的包套放入炉内，边加热边通过除气管对包套进行抽真空除气，当包套内真空度达到要求后，停止加热、除气，封闭除气管；将除气完成的包套放入热等静压烧结炉中，进行抽真空、加压、升温烧结、降温及压力回收；出炉，去除包套，得硒化铟靶材通过本发明制备方法制造出来的硒化铟靶材为单片产品，且一个包套可处理多片产品，去除包套后，只需进行平面磨及外圆加工即可，无需分割，可缩短机加时间，且可减少因靶材分割造成的原料损耗。所得硒化铟靶材致密度≥99%，电阻率≤1MΩ/cm。
硒化铟靶材方法制备

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