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[发明专利]用于烃转化的催化剂及其制造方法和使用方法-GE沸石-CN200880020601.1无效
发明人： S·A·斯蒂文森;A·K·罕玛米多娃;D·B·法默;S·F·米歇尔;J·瓦图里 -专利权人：沙特基础工业公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： B01J29/04 文献下载
摘要：所述催化剂为中孔的锗沸石、锗磷铝酸盐(AlPO)或锗硅磷铝酸盐(SAPO)。在所述中孔沸石上且任选地在所述锗磷铝酸盐(AlPO)或锗硅磷铝酸盐(SAPO)上沉积至少一种选自第10族的金属。通过合成具有结合到骨架中的锗的中孔沸石、磷铝酸盐(AlPO)或硅磷铝酸盐(SAPO)并对所述中孔锗沸石、锗磷铝酸盐(AlPO)或锗硅磷铝酸盐(SAPO)进行煅烧来制备所述催化剂。可在所述锗沸石、锗磷铝酸盐(AlPO)或锗硅磷铝酸盐(SAPO)上沉积至少一种金属。
用于转化催化剂及其制造方法使用方法 ge 沸石

[发明专利]硅锗酸盐及其制备方法-CN201910643242.5有效
发明人：付文华;袁志庆;王振东;陶伟川;乔健 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗酸盐及其制备方法，所述硅锗酸盐在煅烧无水态时具有的化学组成为YO2·n M1/pXO2，其中Y为至少包括硅、锗两种元素的四价元素；X为至少一种三价元素；M为至少一种骨架平衡阳离子，其氧化态为p，p＝1‑7，n＝0～0.2。该硅锗酸盐具有独特的X射线衍射图谱，在吸附分离、离子交换、有机物化合物催化转化方面具有良好的应用前景。
硅锗酸盐及其制备方法

[发明专利]硅/锗酸盐荧光粉及其制备方法和应用-CN201410545720.6有效
发明人：刘永福;张建新;蒋俊;江浩川 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅/锗酸盐荧光粉，该硅/锗酸盐荧光粉的化学通式为(Ba_1-xM_x)₉(Lu_2-yCe_{y<本发明的硅/锗酸盐荧光粉原料成本较低，具有较高的实用性；同时，本发明的硅/锗酸盐荧光粉具有较宽的激发光谱、发射光谱以及优良的发光性能，在紫外光或近紫外光的激发下能够发射绿色可见光，可应用于白光LED及场发射显示屏本发明还提供了上述硅/锗酸盐荧光粉的制备方法，制备过程简单，成本低廉，质量可靠，利于工业化生产。}
锗酸盐荧光粉及其制备方法应用

[发明专利]一种提高富锗次氧化锌烟尘锗浸出率的方法-CN201910922237.8有效
发明人：刘克洋;张梅;晋家强;刘贤;陆占清;强振华;闫建英 -专利权人：云南驰宏资源综合利用有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C22B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高富锗次氧化锌烟尘锗浸出率的方法，属于有色金属湿法冶炼技术领域，本发明主要包括浆化、一段浸出、二段浸出、三段浸出和过滤五个步骤，通过调节和控制浆液pH值，选择性先后浸出锌、硅酸盐和锗，使硅酸盐先于锗浸出，且产生的正硅酸以水合硅蛋白形态析出成渣，有效解决了硅酸盐与锗同步溶出、共沉淀对锗收率的影响；浸出矿浆液固分离后，滤液回收锗及锌。本发明方法解决了浸出时硅、锗共沉淀造成锗浸出低的技术问题，使锗浸出率提高15～22%。
一种提高富锗次氧化锌烟尘浸出方法

[发明专利]一种硅锗酸盐分子筛的制备方法-CN201811599276.0有效
发明人：魏莹;王苗;张润铎;郭可;林宇彤;孟祥智;黄鹏飞 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明公开一种硅锗酸盐分子筛的制备方法，离子液体作为反应介质和模板剂，有机碱为辅助结构导向剂。具体步骤如下：(1)将离子液体，含锗和含硅的原料，有机碱和矿化剂混合，加入这几种原料的摩尔比为SiO2:GeO2:有机碱＝0‑1:0‑1:0‑5:0‑5:0‑40，搅拌混合均匀，制得分子筛前体混合物；(2)将步骤(1)得到的前体混合物装入反应釜中，在一定温度下晶化一定时间；(3)冷却至室温，产物抽滤洗涤，干燥，即可得到硅锗酸盐分子筛该合成方法过程简单，操作方便安全，经济环保，本发明可用来合成多种结构的硅锗酸盐分子筛，得到的硅锗酸盐分子筛在催化、吸附、分离等领域有很广泛的应用前景。
一种硅锗酸盐分制备方法

[发明专利]无机磷酸盐陶瓷和涂层-CN201380075676.0有效
发明人：萨梅库马尔·瓦桑特拉·帕特尔 -专利权人： 18纬度有限公司
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C04B22/16 文献下载
摘要：本发明涉及含第IV族元素硅、锗、锡或铅的疏水金属磷酸盐陶瓷，所述第IV族元素硅、锗、锡或铅与至少一个烃共价键合。提供了赋予防水和/或腐蚀防护的方法。
无机磷酸盐陶瓷涂层

[发明专利]一种硅锗酸盐玻璃及其制备方法-CN201711390997.6有效
发明人：黄飞飞;徐时清;张军杰;田颖;华有杰;雷若姗;任广宇 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C03C3/062 文献下载
摘要：一种硅锗酸盐玻璃，在SiO2‑GeO2‑BaO‑Ga2O该硅锗酸盐玻璃具有优良的稳定性能，较好的红外透过性能，以及较低的羟基系数。
一种硅锗酸盐玻璃及其制备方法

[发明专利]二次电池用负极活性物质和二次电池-CN202080094634.1在审
发明人：西东佑辅;上平峻己;关直贵;佐藤阳祐 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：二次电池用负极活性物质具备：包含硅颗粒、及硅酸盐相的硅酸盐复合颗粒。硅酸锂相中分散有硅颗粒，硅颗粒含有选自由锗和铝组成的组中的至少一种的第1元素。
二次电池负极活性物质

[发明专利]高温光学传感材料铒镱共掺无铅氟锗酸盐玻璃及其制备方法-CN201611115573.4有效
发明人：田颖;井绪峰;李兵朋;黄飞飞;徐时清;张军杰 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C03C4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温光学传感材料铒镱共掺无铅氟锗酸盐玻璃，通过向氟锗酸盐玻璃中加入铒镱离子，铒镱离子在氟锗酸盐玻璃中可以实现高掺，可进一步提高泵浦能量利用率和发光效率，在较短的光纤中即可实现高灵敏度的温度传感与以往的掺铒光学玻璃传感材料相比，本发明的铒镱共掺无铅氟锗酸盐玻璃克服了氟化物硫化物玻璃和硅(硼)酸盐玻璃作为光学传感材料所固有的缺点，具有较高的工作上限温度及测温灵敏度，可做成光纤广泛应用于微波加热测温领域
锗酸盐玻璃铒镱光学传感材料测温共掺无铅离子光学玻璃光纤硫化物玻璃能量利用率温度传感器传感材料发光效率高灵敏度工作上限酸盐玻璃微波加热温度传感氟化物灵敏度泵浦掺铒应用

[发明专利]一种硅锌多维光伏材料及其制作方法-CN201711382866.3在审
发明人：张汉钰 -专利权人：张汉钰
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅锌多维光伏电池及其制作方法。电池配方：锌10—50％、硅30—80％、硒酸盐1—20％、锗1—20％组成。电池制备方法：1、制作硅锌多维光伏电池的背电极：将含锌浆料印刷在单晶硅或多晶硅基材的背面和正面后，将印刷后的硅基材置于管式炉或网带炉中烧结扩散，使锌与硅结合为作为硅锌多维光伏电池背电极和栅极的合金层。2、制作硅光电池正面：在硅基材正面刷一层硒酸盐浆料，置于管式炉或网带炉中烧结成成品；或者，在以上成品表面再采用PVD、CVD、Ion implantation等方法再固化一层锗。本发明提供的硅锌多维光伏电池除可全面吸收太阳光谱中的光波外，同时还可大范围吸收包括太赫兹波在内的地球场和宇宙场相关波段的电磁波，提升相关光伏材料的发电性能。
多维硅锌光伏电池光伏材料烧结制作背电极管式炉硅基材网带炉硒酸盐单晶硅印刷成品表面电池制备发电性能硅光电池太赫兹波太阳光谱电磁波光波多晶硅硅结合合金层锌浆料波段基材浆料吸收固化背面配方电池球场扩散宇宙

[发明专利]光传感器设备及其制备方法-CN202080095152.8在审
发明人：勝野元成;工藤義治 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述光传感器设备包括：基板(1‑13)；形成于所述基板(1‑13)上的锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层(1‑2)和p型锗或锗硅层(1‑3)；由p型硅或硅锗层(1‑4)组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面所述制备光传感器设备的方法包括：提供基板(1‑13)；在所述基板(1‑13)上形成锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层(1‑2)和p型锗或锗硅层(1‑3)；形成由p型硅或硅锗层(1‑4)组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面。
传感器设备及其制备方法

[发明专利]一种高热稳定性STW型锗硅酸盐分子筛的制备方法-CN201410453157.X有效
发明人：石磊;张娜 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高热稳定性STW型锗硅酸盐分子筛的制备方法，具体步骤如下：(1)将OSDA：N,N二乙基乙二胺，水，GeO₂混合均匀后加入Si(OC₂HO:HF＝1:0.8:43.4:6-24:3；(2)将步骤(1)制得的前体混合物装入高压反应釜中，150～200℃晶化7～9天，冷却至室温；(3)将冷却后的产物洗涤，干燥，即得到高热稳定性STW型锗硅酸盐分子筛本发明制备方法得到了STW型锗硅酸盐分子筛的纯相；提高了STW型锗硅酸盐分子筛的硅锗比(摩尔比)提高至Si/Ge＝1.25；热稳定性提高至800℃；合成方法简单。
一种高热稳定性 stw 硅酸盐分子筛制备方法

[发明专利]无机涂层和组合物-CN201380075680.7在审
发明人：萨梅库马尔·瓦桑特拉·帕特尔 -专利权人： 18纬度有限公司
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C23C30/00 文献下载
摘要：在另一个方面，提供了一种硅酸盐组合物，其包含至少一种碱土金属；和第IV族元素硅、锗、锡或铅，所述第IV族元素硅、锗、锡或铅与至少一个烃部分共价键合。
无机涂层组合

[发明专利]FDSOI的顶层锗硅层的制作方法-CN202010458335.3在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI的顶层锗硅层的制作方法，包括步骤：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶部硅；步骤二、在顶部硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、对顶层锗硅层进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤31、进行热氧化在顶层锗硅层表面形成顶部氧化层并在顶部氧化层和底部的顶层锗硅层的界面处形成锗凝聚；步骤32、进行热退火将界面处凝聚的锗扩散到整个顶层锗硅层本发明能提升顶层锗硅层的锗浓度，能很好的控制顶层锗硅层的厚度以及能很好的提升顶层锗硅层的工艺质量。
fdsoi 顶层锗硅层制作方法

[发明专利]FDSOI上锗硅鳍体的制作方法-CN202010350253.7在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI上锗硅鳍体的制作方法，包括：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶层硅；步骤二、在顶层硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、形成对顶层锗硅层刻蚀后形成的锗硅鳍体；步骤四、对锗硅鳍体进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤41、进行热氧化在所述锗硅鳍体表面形成第一氧化层并在第一氧化层和锗硅鳍体的界面处形成锗凝聚；步骤42、进行热退火将凝聚的锗扩散到整个锗硅鳍体；步骤43、刻蚀去除第一氧化层。本发明能提升锗硅鳍体的锗浓度，还能同时对锗硅鳍体的宽度和高度进行精细调节。
fdsoi 上锗硅鳍体制作方法

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