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[发明专利]一种金属硅的造渣酸洗除硼方法-CN201110040875.0无效
发明人：罗学涛;黄平平;李锦堂;吴浩;张蓉;傅翠梨 -专利权人：厦门大学
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种金属硅的造渣酸洗除硼方法。涉及多晶硅的提纯方法，提供一种金属硅的造渣酸洗除硼方法。将造渣剂预熔并装入加料仓中，将金属硅料装入熔炼坩埚中，抽真空后充氩气；加热融化金属硅料，将预熔的造渣剂加入融化后的液态金属硅料中；反应结束后将液态金属硅料倒入模具中，冷却即得硅锭，将所得硅锭破碎、研磨，过筛得到硅粉，所得硅粉用乙醇浸泡去油，再用水清洗干净；将所得硅粉依次用盐酸溶液、硫酸和硝酸混合液、氢氟酸混合液、盐酸溶液浸泡洗涤至少1次，酸洗后的硅粉再用清水冲洗干净，即得除硼后的金属硅。将金属硅中的硼含量从8ppmw降低到0.3ppmw以下，满足太阳能级多晶硅的要求。
一种金属硅造渣酸洗方法

[发明专利]一种金属电极的制备方法-CN202110532761.1在审
发明人：王旭阳;李雪征;李俊慧;冯亚丽;郭育梅;贾赫 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属电极的制备方法，包括：在铌酸锂衬底上沉积金属种子层；在所述金属种子层上沉积硅层，所述硅层的厚度大于10μm；在所述硅层上制作掩膜图形，所述掩膜图形所暴露的位置为金属电极的位置；在所述掩膜图形所暴露的位置处进行刻蚀得到硅凹槽，所述硅凹槽处暴露出金属种子层；使用电极金属填充所述硅凹槽，得到金属电极。本申请中的方案通过硅刻蚀的方式得到金属填充的硅凹槽，在硅凹槽内制备金属电极，由于硅层厚度大于10μm，因此通过本申请方法制备得到的金属电极的厚度能够大于10μm，同时金属电极的高宽比可以大于3。采用本申请制备得到的金属电极可极大提高铌酸锂电光调制器的带宽。
一种金属电极制备方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱金属杂质的方法-CN201110268620.X无效
发明人：孔繁敏;安利明;孙湘航;王新元;司继良;徐民 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱金属杂质的方法，其特征包括以下工艺步骤：（1）选择原材料为粒径是5～100mm的金属硅，金属硅的纯度为99％以上，其中金属杂质含量为700ppm；（2）开启高真空感应炉的真空系统；（3）将占石墨坩埚容量1/10的金属硅装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；4）待此硅料熔化后使硅液温度保持在1560～1600℃，投入剩余的金属硅至炉内的石墨坩埚中进行熔化成为硅熔体；（5）当硅熔体达到坩埚容积的3/4容积时，启动定向拉棒装置，通过定向拉制脱除硅中的金属杂质，成为硅棒；（6）将硅棒的尾部杂质聚集的部分切除，得到脱金属杂质提纯后的多晶硅。
一种太阳能级多晶金属杂质方法

[发明专利]覆盖有硅的金属微粒、覆盖有硅化合物的金属微粒及其制造方法-CN202211120369.7在审
发明人：榎村真一;本田大介 -专利权人： M技术株式会社
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及覆盖有硅的金属微粒、覆盖有硅化合物的金属微粒及其制造方法。具体地，本发明涉及覆盖有硅的金属微粒，其为包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅覆盖而成的覆盖有硅的金属微粒，其特征在于，上述覆盖有硅的金属微粒是将含有该金属微粒前体的前体微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的前体微粒、或含有该金属微粒前体的掺硅前体微粒进行还原处理而得到的。通过控制上述还原处理的条件，特别是能够严密地控制覆盖有硅化合物的金属微粒的粒径，因此，能够针对覆盖有硅化合物的金属微粒的多样化用途和目标特性，与以往相比容易地设计更准确的组合物。
覆盖金属微粒化合物及其制造方法

[发明专利]一种选择性提取和富集多金属资源中有价金属的方法-CN201710613387.1有效
发明人：雷云;马文会;伍继君;李绍元;魏奎先;杨斌 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性提取和富集多金属资源中有价金属的方法，属于金属资源清洁利用技术领域。首先将多金属物料、添加剂和硅物料一起进行火法熔炼提取有价金属，得到硅基合金和废渣；将得到的硅基合金进行富集有价金属，分离后得到有价金属富集物和高纯硅，将废渣进行有价金属含量的测定，重新作为待处理多金属资源物料进行二次提取有价金属或者废弃；高纯硅可返回作为硅物料，或者用于电子或光伏产业用硅原材料。该方法以硅基物料作为提取和富集有价金属的主体，得到的高纯硅既可以作为硅物料重新循环使用，也可用于制备太阳能级或电子级硅的原材料，是一种绿色、高效、低成本的金属资源清洁利用的新技术。
有价金属多金属富集高纯硅硅物料选择性提取硅基合金金属资源废渣有价金属含量电子级硅二次提取光伏产业硅原材料火法熔炼太阳能级清洁低成本富集物硅基可用制备添加剂废弃返回

[发明专利]基于熔盐制备锂离子电池铜包覆硅负极材料的方法及应用-CN202210241923.0有效
发明人：冯金奎;满泉言 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于熔盐制备铜包覆硅材料的方法及应用。该方法包括如下步骤：将硅材料与金属氯化物按一定质量比进行研磨均匀；将上述混合物在氩气氛围中热处理，硅将金属离子置换为金属单质，经稀盐酸浸泡，真空抽滤后得到金属包覆硅材料。本发明的方法简单可控，所制备得到的金属包覆硅材料具有硅、硅金属合金、金属三层结构，硅金属合金和金属可以保持硅材料结构稳定性，构筑稳定的电极电解质界面，而且该包覆层可以加速锂离子传输，在锂离子电池负极的应用极具潜力
基于制备锂离子电池铜包覆硅负极材料方法应用

[发明专利]利用回收的硅细粉冶炼金属硅的方法-CN201210127322.3无效
发明人：羊实;杨建忠 -专利权人：羊实
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种冶炼金属硅的方法，具体涉及一种采用金属硅冶炼过程中环保设备收集的细微粉末冶炼金属硅的方法，属于硅冶炼技术领域。本发明利用回收的硅细粉冶炼金属硅的方法，其特征在于：将回收的硅细粉与碳质还原剂、粘接剂按重量比1:0.3～0.6:0.04～0.1的比例混合，加水混合并制成球团，然后将球团投入到矿热炉中冶炼金属硅。本发明首次提出利用各种回收的硅细粉制作成球团，然后投入到矿热炉中冶炼金属硅，为硅的回收利用提供了一种新的思路，为金属硅的冶炼提供了一种成本低廉的方法，得到的金属硅中Si含量可达98%以上，耗电量比现有技术省
利用回收硅细粉冶炼金属硅方法

[发明专利]新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶及制作方法-CN202110852527.7在审
发明人：孙巍泉;鲁旗;朱琳;傅斌 -专利权人：普乐（合肥）光技术有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明给出了一种新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶，包括硅环和金属内筒，硅环通过绑定材料固定在金属内筒外壁上；所述硅环包括硅环段，所述硅环段包括若干N型硅条，若干N型硅条沿金属内筒外壁呈圆周分布。本新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶的优点是靶材密度高，纯度高，成本低，易于加工。本发明给出了一种加工如上述的新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶的制作方法，包括以下步骤：将硅环段依次设置在金属内筒外侧壁上，N型硅条通过铟绑定在金属内筒外壁上；将两个金属定位卡环固定在金属内筒外侧壁上；N型硅材料卡环固定在金属内筒外侧用N型硅材料切成小块的N型硅条后绑定而成，对于长度方向尺寸大的旋转圆柱靶可以用多段拼接。
新型磁控溅射旋转圆柱型硅靶制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法-CN201710172988.3在审
发明人：刘军;苏同上 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法，在通过金属诱导非晶硅晶化方法将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜时，可以避免需单独制作金属隔离层，同时，也可以避免金属隔离层和金属层的去除工艺，降低将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜的制作成本，简化工艺制作。本申请实施例提供的薄膜晶体管中的多晶硅薄膜的制作方法，包括在衬底基板上形成金属层；在所述金属层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅膜层；通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，其中，所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。
一种薄膜晶体管中的多晶薄膜制作方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法-CN201110268669.5无效
发明人：孔繁敏;王新元;安利明;孙湘航;司继良;陈建玉 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法，采用高真空感应炉，金属硅原料为颗粒状或块料，金属硅原料的纯度为99％，其操作步骤是：（1）开启高真空感应炉的真空系统，使炉室内达到高真空状态；（2）将金属硅原料装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；（3）待第（2）步骤金属硅原料熔化后使金属硅液温度保持在1560～1600℃，需要保持多长时间开启金属硅原料连续送料装置，投入剩余金属硅原料至炉内的石墨坩埚中进行连续脱磷；（4）脱磷后的金属硅熔体容积达到坩埚容积的2/3～3/4时，将金属硅熔体倾入同炉室内的另一坩埚中，自然冷却便得到脱磷多晶硅。
一种太阳能级多晶硅脱磷提纯方法

[发明专利]一种XRF与XRD相结合检测金属硅的方法-CN202211680264.7在审
发明人：张健;张圣鑫;孙皓;陈曦;赵丹 -专利权人：鞍山钢铁冶金炉材科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种XRF与XRD相结合检测金属硅的方法，该方法是通过建立XRF荧光金属硅的工作曲线检测试样中硅的含量，并通过工业硅XRD谱图峰值强度对金属硅中二氧化硅含量进行判断。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用XRF荧光金属硅工作曲线方法缩短了金属硅的检验周期，提升了工作效率。解决了GB/T14849金属硅化学分析方法无法区分金属硅及二氧化硅含量的弊端。
一种 xrf xrd 相结合检测金属硅方法

[发明专利]一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法-CN201410240428.3在审
发明人：王惠娟;潘杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，待检测的硅通孔结构包括：硅通孔、硅衬底、氧化物层、填充金属、第一金属电极以及第二金属电极；硅衬底为重掺杂硅衬底；硅通孔位于硅衬底上；氧化物层位于硅通孔内壁上；填充金属填充在以氧化物层为侧壁的硅通孔内；第一金属电极与填充金属相连，并外露于硅通孔结构的封装外壳，第二金属电极与硅衬底形成欧姆连接，并外露于硅通孔结构的封装外壳，硅通孔结构自身形成本发明通过革新硅通孔结构，在硅通孔的结构基础上形成MOS结构，从而实现高效，简洁的硅通孔绝缘层淀积工艺检测。
一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法

[发明专利]制备无机发光材料的方法-CN201380037385.2有效
发明人： T·沃斯格罗内;H·温克勒;R·派特里;A·本克尔;C·汉佩尔 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明涉及制备具有提高发射效率的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的方法。此外，本发明涉及可通过本发明制备方法得到的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物，和本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物作为转换无机发光材料的用途。此外，本发明还涉及包含本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的发光器件。
制备无机发光材料方法

[发明专利]多晶硅的制造方法-CN200510080160.2有效
发明人：彭尧 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种多晶硅的制造方法。首先，提供基板，并于此基板上形成非晶硅层。接着，于非晶硅层上形成缓冲层，且于缓冲层上涂布金属催化溶液，其中此金属催化溶液包括金属盐类与溶剂。然后，进行烘烤，以移除金属催化溶液内的溶剂，使金属盐类附着于缓冲层表面。接着，进行退火处理，以使金属盐类的金属离子通过缓冲层进入非晶硅层内，并诱导非晶硅层结晶成为多晶硅层。之后，移除缓冲层及其上所残留的金属盐类。此方法可有效地避免多晶硅层内残留过多的金属硅化物或金属原子，进而提升多晶硅层的电性能。
多晶制造方法

[发明专利]节能环保电热煎饼机-CN200810235953.0无效
发明人：闫子玲 -专利权人：闫子玲
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： A21B5/03 文献下载
摘要：节能环保煎饼机的金属滚筒内设置发热效率较高的硅碳硅棒硅碳硅棒的电源连接在全铜电刷上，全铜电刷的电源连接在电源上，电源通过全铜电刷传递到金属滚筒内的硅碳硅棒上，使硅碳硅棒发热产生热量，硅碳硅棒发热产生的热量传到金属滚筒上，使金属滚筒变热而加工煎饼，硅碳硅棒发热产生的热量由保温材料硅酸铝岩棉保护热量不外泄。
节能环保电热煎饼