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- [发明专利]一种高比容多孔电极箔及其制备方法-CN202111660104.1在审
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宋洪洲
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浙江洪量新材科技有限公司
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2021-12-30
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2022-05-17
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H01G9/048
- 本发明公开了一种高比容多孔电极箔及其制备方法,该多孔电极箔包括铝箔基材和形成于铝箔基材至少一面上的复合氧化膜,复合氧化膜的原料包括:铝粉、铝硅合金粉末和介电常数大于6.5的阀金属氧化物粉末。由于铝硅合金的共晶温度为577℃左右,当热处理超过此温度点时,铝硅合金即开始转变为熔融态,从而促进阀金属氧化物粉末、铝粉与铝箔基材表面的熔接,确保阀金属氧化物粉末和铝粉能牢牢地固溶在铝箔基材上,使得多孔电极箔的结构更加稳定高效;当烧结铝箔经阳极氧化后,阀金属氧化物粉末会掺杂在阳极氧化生成的三氧化二铝膜层中,使形成的复合氧化膜的ε/K值显著增高,最终达到了提升多孔电极箔比容的目的。
- 一种比容多孔电极及其制备方法
- [发明专利]镁-铝-磷-硅-氧化物分子筛的制备方法-CN85103228.1无效
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布伦特;维尔;弗拉尼金
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联合碳化公司
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1985-04-27
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1991-01-23
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C01B33/26
- 该分子筛具有MgO2-2、AlO2-、PO2+和SiO2四面体氧化物单元的三维微孔骨架结构。这些新型的碳-铝-磷-硅分子筛具有离子交换、吸附和催化性能。可广泛用作吸附剂和催化剂。这种新型组合物具有MgO2-2、AlO2-、PO2+、和SiO2四面体单元的结晶骨架结构,其无水状态的化学组成经验式为mR(MgwAlxPySiz)O2式中“R”代表晶体内微孔体系中的至少一种有机模板剂;“m”代表每摩尔(MgwAlxPySiz)O2的“R”的摩尔量,其值为0至大约0.3;“w”、“x”、“y”和“z”分别代表作为四面体氧化物存在的镁、铝、磷和硅的摩尔分数。
- 氧化物分子筛制备方法
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