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[发明专利]三甲基硅烷的纯化方法-CN201380010463.X有效
发明人：手岛卓也;柴山茂朗;中村阳介;平冈知之 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C07F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于前述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了前述(2)的工序的活性碳，吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。通过该方法，可以抑制活性碳的发热，高效地去除二甲基硅烷等杂质。
甲基硅烷纯化方法

[发明专利]卤代聚硅烷和制备卤代聚硅烷的热方法-CN200980119335.2有效
发明人：克里斯蒂安·鲍赫;斯文·霍尔;赛耶德-加瓦德·莫赫森尼-阿拉;鲁门·德尔特舍维;格尔德·利波尔德;诺伯特·奥尼尔 -专利权人：斯帕恩特私人有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： B01J12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种卤代聚硅烷(以下称聚硅烷)，所述聚硅烷为纯化合物或化合物的混合物，还涉及一种用于制备所述聚硅烷的热方法。所述聚硅烷用在其29Si NMR谱中的特征位移及其Raman谱中的典型的带的强度比来表征。所述聚硅烷(SinXy)具有高比例的支化链和环。制备所述卤代聚硅烷的方法的改进在于允许高生产量(工业产量)和制备特别易溶的聚硅烷。
卤代聚硅烷制备方法

[发明专利]三卤硅烷精制设备-CN201280066745.7有效
发明人：李成圭;申俊浩;李钟求;金性均 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种三卤硅烷精制设备和三卤硅烷精制方法。所述三卤硅烷精制设备可以用于在消耗少量能量的同时由含有三卤硅烷的进料获得高纯度的三卤硅烷。
硅烷精制设备

[发明专利]一种高温液态氯硅烷的输送方法-CN200810147641.4有效
发明人：戴自忠;易忠海 -专利权人：四川永祥多晶硅有限公司
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C01B33/029 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温液态氯硅烷的输送方法，是对于多晶硅生产中的精馏、回收系统塔釜中的液态氯硅烷进行输送，其特征在于：通过蒸汽将处于低位置的液态氯硅烷加热成气态氯硅烷，气态氯硅烷上升，然后通过RO水将气态氯硅烷冷凝成液态氯硅烷，冷凝后的液态氯硅烷位于高位置的罐内，然后通过调节阀和流量计来控制输送液态氯硅烷到下一个塔或罐；本方法采用再沸器和冷凝器的配合代替了屏蔽泵，这样不仅完全解决了汽蚀现象，而且通过氯硅烷的性态变化使得输送也非常方便
一种高温液态硅烷输送方法

[发明专利]含稠环基聚硅烷制备方法-CN200510061319.6有效
发明人：来国桥;李美江;刘志芳;吕素芳;邱化玉;刘勇 -专利权人：杭州师范学院
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C08F283/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含稠环基聚硅烷制备新方法，本发明需要解决的技术问题是，提供一种操作简单、安全，聚硅烷聚合度较高，所得共聚物分离较方便的含稠环基聚硅烷制备新方法。本发明方法，乙烯基硅烷共聚物B在高沸点溶剂α－氯萘中，氮气保护下与稠环基环戊二烯酮A发生加成反应，在聚硅烷的侧链中引入稠环基，得含稠环基聚硅烷产品。本发明的乙烯基硅烷共聚物B还可以通过烷基乙烯基二氯硅烷，烷基苯基二氯硅烷和/或二烷基二氯硅烷聚合而得。
含稠环基聚硅烷制备方法

[实用新型]氯硅烷回收系统-CN201120298860.X有效
发明人：张新;郭勇;王璜;尹志兵 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可回收得到杂质含量较低的氯硅烷的氯硅烷回收系统。该氯硅烷回收系统包括顺序连接的：a、用于收集废弃氯硅烷的第一储液容器；b、用于将收集的氯硅烷液体转变为氯硅烷气体的蒸发器；c、用于对氯硅烷气体进行湿气反应除杂的反应器；d、用于收集反应产物第二储液容器；本申请的氯硅烷回收系统够将生产过程中被污染的和杂质含量高的氯硅烷杂质去除，达到改良西门子法生产多晶硅工艺中氯硅烷原料杂质含量要求。
硅烷回收系统

[发明专利]分离氯代硅烷-CN200680046120.9有效
发明人： D·C·米勒;J·D·瓦恩兰;O·L·弗兰宁甘姆 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C07F7/20 文献下载
摘要：使粗氯代硅烷物流与蒸馏助剂接触，分离含较低沸点的氯代硅烷和较高沸点的氯代硅烷的粗氯代硅烷物流。较低沸点的氯代硅烷从粗氯代硅烷物流中分离，然后使蒸馏助剂与较高沸点的氯代硅烷彼此分离。这些蒸馏助剂增加粗氯代硅烷物流例如甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷的相对挥发度，从而导致在较低的增加和/或固定成本下改进的分离。
分离硅烷

[发明专利]乙硅烷的制备装置-CN201811594055.4在审
发明人：万烨;刘见华;赵雄;严大洲;赵宇;郭树虎 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种乙硅烷的制备装置。该乙硅烷制备装置包括：过滤单元、精馏单元和还原单元，过滤单元设置有多晶硅残液入口和滤液出口；精馏单元设置有滤液入口和氯代乙硅烷出口，滤液入口与滤液入口经滤液输送管路相连通；还原单元设置有加料口，加料口与氯代乙硅烷出口经氯代乙硅烷输送管路相连通以多晶硅残液为原料能够省去氯代乙硅烷的制备，大大降低制备成本。通过过滤单元将多晶硅残液中的固体杂质去除，得到滤液；然后通过蒸馏单元去除滤液中的有机杂质组分，得到氯代乙硅烷；使氯代乙硅烷与还原剂进行还原反应，得到乙硅烷。采用上述乙硅烷制备装置制备乙硅烷具有成本低，工艺流程短及乙硅烷纯度高等优点。
乙硅烷氯代制备装置过滤单元滤液入口多晶硅加料口制备还原单元精馏单元输送管路还原剂残液固体杂质去除残液入口还原反应滤液出口有机杂质蒸馏单元工艺流程去除出口

[发明专利]吸附法提纯硅烷的方法-CN201510413573.1在审
发明人：黄国强;黄友光;王国锋;潘金花 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及吸附法提纯硅烷的方法；在吸附柱中装有吸附剂，粗硅烷通过吸附柱入口加入、经过吸附剂吸附后，高纯硅烷经过采出口采出。吸附柱为一个或多个串联。多个串联吸附柱是由硅烷入口和出口通过管道与吸附柱相连。吸附剂是能吸附硅烷的杂质而不吸附硅烷的物质。吸附剂优选为分子筛、活性炭、硅胶、活性氧化铝和类似的吸附剂等。每个吸附柱中装填单一的吸附剂花落装填混合的吸附剂；本发明吸附提纯硅烷分离提纯硅烷操作工艺简单，设备投资少，得到的硅烷纯度高。提纯后的硅烷纯度达到6N及以上。吸附提纯中吸附剂容易再生，成本低，硅烷易燃易爆，该方法提纯硅烷条件温和，安全性高。
吸附提纯硅烷方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910921640.9在审
发明人：林资敬;林建智;朱峯庆;吴卓斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种脱醇有机硅密封胶及其制备方法-CN202211047598.0在审
发明人：王传云;吴培煌 -专利权人：福建省昌德胶业科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C09J183/04 文献下载
摘要：本发明涉及胶黏剂技术领域，提供一种脱醇有机硅密封胶及其制备方法，包括以下按质量份数比的各原材料组份：α,ω‑二羟基聚硅氧烷（107硅橡胶）100‑150份、交联剂10‑50份、硅烷偶联剂1‑20份、甲基硅油50‑150份，填料0‑100份,所述硅烷偶联剂包括α‑官能团硅烷偶联剂与氨基硅烷偶，α‑官能团硅烷偶联剂包括二乙胺基甲基三乙氧基硅烷，苯胺甲基三乙氧基硅烷，二氯二甲基硅烷；氨基硅烷偶联剂包括γ‑氨丙基三甲氧基硅烷（KH‑540）、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷(KH‑550)、N‑(β‑氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷(KH‑792)等中的一种或几种。
一种有机硅密封胶及其制备方法

[发明专利]一种制备烷基硅烷及三氯化硼回收溶剂联产氯化锂的方法-CN202210978010.7在审
发明人：张潇瀚;马万顺;单九英 -专利权人：河南海川工程设计院有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明涉及电子特气制造技术领域，公开的一种制备烷基硅烷及三氯化硼回收溶剂联产氯化锂方法，采用的制备系统，包括:烷基硅烷合成系统、溶剂回收及氯化锂制备系统、三甲基硅烷和氯化硼制备系统、二甲基硅烷制备系统、甲基硅烷制备系统，烷基硅烷合成系统第一出口端通过管道与溶剂回收及氯化锂制备系统联通，烷基硅烷合成系统第二出口端通过管道与三甲基硅烷及氯化硼制备系统联通，三甲基硅烷及氯化硼制备系统冷凝出口端通过管道与二甲基硅烷制备系统联通，二甲基硅烷制备系统冷凝出口端通过管道与甲基硅烷制备系统联通。
一种制备烷基硅烷氯化回收溶剂联产氯化锂方法

[发明专利]对氯硅烷精馏提纯工序的废气和废液进行处理的方法-CN201310542662.7有效
发明人：曾亚龙;平述煌;闫日春;李仕勇;陆大军;王金;赵生艳;罗平;李涌;辜锋;李俊朝;张云华 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了对氯硅烷精馏提纯工序的废气和废液进行处理的方法，其包括：在氯硅烷精馏提纯工序的精馏塔系统中，将塔顶低沸物杂质含量最高的精馏塔内的高杂质废气排出，并将塔釜高沸物杂质含量最高的精馏塔内的高杂质废液排出；收集未排出高杂质废气的精馏塔内的含氯硅烷废气，并输送至填料式氯硅烷冷凝储存设备；将未排出高杂质废液的精馏塔内的含氯硅烷废液收集至氯硅烷回收罐；将冷凝液输送至该氯硅烷回收罐；将该氯硅烷回收罐中的混合液体泵送至吸附床，获得氯硅烷液体。该方法能够在保障电子级多晶硅生产系统稳定运行的同时，最大限度的回收与利用氯硅烷精馏系统废气废液中的氯硅烷，氯硅烷回收率可达95%以上，且节能降耗、科学环保。
硅烷精馏提纯工序废气废液进行处理方法

[发明专利]分离式硅烷管-CN201110324441.3有效
发明人：尤耀明;代宁;李文虎 -专利权人：无锡绿波新能源设备有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： F16L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种分离式硅烷管，属于硅烷管的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述分离式硅烷管，包括硅烷管；所述硅烷管通过紧固螺栓及紧固螺母紧固安装于固定支架上。本发明硅烷管上设置四个均匀分布的紧固螺栓，硅烷管通过紧固螺栓及紧固螺母紧固安装于固定支架上，固定支架固定安装于设备壳体上，便于将硅烷管与固定支架的分离；固定支架先同设备连接，更换时，只需拆装硅烷管和固定支架的四只紧固螺栓，相对于之前需拆装固定支架与设备上的八个固定螺钉，缩短了一半的工作量；当硅烷管损坏时，只需更换硅烷管即可，节约了之前硅烷管连同安装板一同报废带来的采购成本；结构简单紧凑，安装使用方便，降低使用成本，安全可靠
分离硅烷

[发明专利]用于改善的多晶硅生长的二氯硅烷补偿控制策略-CN201610701107.8有效
发明人：约翰·维克托·布奇;马克·理查德·斯塔乔维克;查尔斯·艾伦·斯蒂比茨 -专利权人：赫姆洛克半导体运营有限责任公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善反应器中的多晶硅生长的方法，所述方法包括：将包含三氯硅烷和二氯硅烷的氯硅烷进料组合物引入到沉积室中，其中所述沉积室包含基材；将所述氯硅烷进料组合物与氢气共混以形成进料组合物；调整进入到所述沉积室中的氯硅烷和氢气的基线流，以实现预定的总流量和预定的氯硅烷进料组合物设定点；将压力施加到所述沉积室并且将能量施加到所述沉积室中的所述基材以形成多晶硅；测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的量并且从存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的目标值确定偏移值；通过与所述二氯硅烷偏移值成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点；以及将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上。
用于改善多晶生长硅烷补偿控制策略