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[发明专利]一种用于3寸多晶硅生长的装置及方法-CN201110055703.0无效
发明人：柳祝平;黄小卫 -专利权人：元亮科技有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B28/10 文献下载
摘要：一种用于3寸多晶硅生长装置及其方法，包括石英制成的隔板、上下传动机构、驱动电机。下种之前，启动驱动电机，将隔板下降到接近硅液面处预热；待隔板温度与硅液温度接近后，再将隔板下降到硅液面上，隔板上端高出硅液5mm，稳定后下种；等径生长过程中，随着晶体的提拉，硅液逐渐消耗，隔板将与硅液同时下降以尽量保持隔板上端始终高出硅液面5mm；拉晶结束后，将隔板提拉出硅液面。隔板为空心圆柱形，下端开有若干孔隙，以维持硅液混合均匀。
一种用于多晶生长装置方法

[发明专利]一种硅液溢流检测设备及方法-CN201810594099.0在审
发明人：张涛;肖贵云;黄晶晶;白枭龙 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅液溢流检测设备及方法，其中该检测设备包括：金属丝；与金属丝的下端相连、用于判断是否与铸锭炉中的硅液面相接触的液面探测装置；设置在铸锭炉的上方、用于缠绕金属丝，并在驱动装置的驱动下调节金属丝的长度的缠绕部本申请公开的上述技术方案，利用缠绕部缠绕金属丝，当需要探测硅液面的高度时，金属丝会带动与其下端相连的液面探测装置向下移动，液面探测装置会判断其是否与硅液面接触，若发生接触，则记录金属丝的长度，通过探测时金属丝长度的变化来探测硅液面位置的变化，也即通过金属丝长度的变化来判断硅液是否溢流，从而提高硅液溢流检测的及时性，减少因硅液溢流而造成的经济损伤，降低安全事故发生的概率。
金属丝硅液液面探测装置缠绕溢流检测设备探测硅液面铸锭炉下端溢流安全事故检测设备面相接触驱动装置向下移动溢流检测损伤驱动概率记录申请

[实用新型]一种硅液溢流检测设备-CN201820899904.6有效
发明人：张涛;肖贵云;黄晶晶;白枭龙 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅液溢流检测设备，该检测设备包括：金属丝；与金属丝的下端相连、用于判断是否与铸锭炉中的硅液面相接触的液面探测装置；设置在铸锭炉的上方、用于缠绕金属丝，并在驱动装置的驱动下调节金属丝的长度的缠绕部本申请公开的上述技术方案，利用缠绕部缠绕金属丝，当需要探测硅液面的高度时，金属丝会带动与其下端相连的液面探测装置向下移动，液面探测装置会判断其是否与硅液面接触，若发生接触，则记录金属丝的长度，通过探测时金属丝长度的变化来探测硅液面位置的变化，也即通过金属丝长度的变化来判断硅液是否溢流，从而提高硅液溢流检测的及时性，减少因硅液溢流而造成的经济损伤，降低安全事故发生的概率。
金属丝硅液液面探测装置缠绕溢流检测设备探测硅液面铸锭炉下端溢流本实用新型安全事故检测设备面相接触驱动装置向下移动溢流检测损伤驱动概率记录申请

[发明专利]一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺-CN201910215680.1在审
发明人：钟峥;谭忠芳 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明为一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺。一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺，包括：(1)装料：将原料放入置于单晶炉内的石英坩埚内；(2)加热：在低真空下，加热原料至熔融；(3)熔接：液面平稳后，将硅芯籽晶下降，侵入液面进行熔接；(4)拉晶：降低液面温度，缓慢提拉硅芯籽晶，使硅液随着硅芯籽晶提升逐步凝固，形成硅芯；(5)长晶；(6)收尾：当硅芯生长至所需长度后，快速提升硅芯籽晶，使硅芯与液面连接处断开，获取硅芯。本发明所述的一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺，可提高硅芯生产效率，其拉制原料可采用市面上普通的多晶硅块，同时不需要金刚线切割，人员需求、生产成本、环保成本远远低于现有技术。
一种多晶还原炉用硅芯制作工艺

[发明专利]拉制单晶硅棒前的除杂工艺-CN202211661032.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉制单晶硅棒前的除杂工艺。拉制单晶硅棒前的除杂工艺包括如下步骤：步骤一、将硅料放入坩埚内，加热使硅料熔融，得到硅熔体；步骤二、调整坩埚内的热场温度至引颈温度，待硅熔体的液面稳定之后依次进行引晶步骤和放肩步骤，之后将肩部与硅熔体的液面分离；步骤三、调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，使硅熔体内部的杂质富集于液面位置；步骤四、将肩部放入硅熔体中，使肩部的部分位于液面以下，静置使杂质富集于肩部上，之后将富集杂质的肩部与液面分离；以及步骤五上述拉制单晶硅棒前的除杂工艺的工艺简单，通过调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，能够让杂质向硅熔体表面富集，易于除去杂质。
拉制单晶硅杂工

[发明专利]一种直拉法引晶方法-CN201811308065.7在审
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法引晶方法，包括步骤：提供一硅熔体和一籽晶，所述硅熔体的液面处于第一液面位置；将所述籽晶浸入所述硅熔体中，并将所述籽晶向上提拉并旋转以从所述硅熔体的液面上引出细晶；在所述引出细晶的过程中，当所述细晶的长度达到预定值时，将所述硅熔体的液面提升至第二液面位置，所述第二液面位置高于所述第一液面位置。
一种直拉法引晶方法

[实用新型]一种清洗硅料设备及其补液装置-CN201720759085.0有效
发明人：刘文涛;王齐 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗硅料设备的补液装置，用于对硅料清洗池内补液，其包括至少两个储液池，并且至少有两个储液池盛放不同的清洗液；配液池能够与储液池和硅料清洗池均连通；检测装置检测硅料清洗池液面高度，并在硅料清洗池液面达到预设液面时，通过处理器控制储液池与配液池的导通，以将储液池中的物料通过配液池输送至硅料清洗池内进行补液。本申请中采用机械部件和控制装置实现对补液，而不需要人工搬运清洗液，从而降低了操作者的劳动强度。
一种清洗设备及其补液装置

[发明专利]单晶炉硅溶液液面位置检测方法、装置及调整系统-CN201610322084.X在审
发明人：时刚;武海军;张灵鸽;赵辉 -专利权人：西安创联新能源设备有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉硅溶液液面位置检测方法、装置及对应的调整系统，其中该方法包括：向信号输入端输入电压信号，其中信号输入端的下端面始终位于硅溶液液面的下方；通过检测第一测量端和第二测量端的电压信号，获取第一测量端和第二测量端的电压信号检测状态；根据电压信号检测状态，生成用于指示硅溶液液面是否处于合理位置的检测结果。本发明利用硅溶液的导电性，在向信号输入端输入电压信号后，通过获取第一测量端和第二测量端的电压信号检测状态，自动并精确检测硅溶液液面位置，从而精确判断硅溶液液面是否处于合理位置，并进一步对坩埚位置进行相应调整，使硅溶液液面始终保持在合理位置。
单晶炉硅溶液液面位置检测方法装置调整系统

[实用新型]一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构-CN202320219592.0有效
发明人：任永生;王正省;马文会;雷云;魏奎先;吕国强;伍继君;李绍元;曾毅;祖钰博 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本实用新型设计公开了一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构，包括：水冷屏、高纯硅环，所述的水冷屏的下方安装有高纯硅环，高纯硅环与水冷屏下端通过钨丝绳连接；以减小液面晃动，同时起到隔离自由熔体表面杂质移向成晶界面的作用本实用新型的功能是该结构目的在于利用拉单晶时较低的液面温度，在将具有一定纯度和结构的硅环置于液面上时，不会被熔化，在不进行提拉时，硅环也不会生长单晶，与硅熔体保持平衡状态；且高纯硅环可有效减小液面波动，阻隔连续加料时颗粒硅移向生长界面，与石英挡板相比，较大程度减小氧原子的输入，减小对硅熔体的污染。
一种高纯减小直拉单晶炉液面波动结构

[实用新型]一种单晶炉中液口距实时监控装置及具备其的单晶炉-CN202121510041.7有效
发明人：黎志欣;胡动力 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉中液口距实时监控装置及具备其的单晶炉，单晶炉包括主室，主室内设置有承载硅熔体的坩埚，硅熔体包含有硅熔体表面，硅熔体表面上方有晶棒，坩埚上方设置到导流筒，导流筒围绕晶棒设置，硅熔体、导流筒与晶棒限定出第一空间，液口距实时监控装置包括：液面测量装置，液面测量装置设置在第一空间的正上方，液面测量装置测量得到液面测量装置与硅熔体表面之间的第一距离；控制装置，控制装置与液面测量装置相连，控制装置实时记录所述第一距离，并根据第二预设距离，计算得到液口距。由此通过精确测量第一距离，在根据预设的第二距离，精确计算出液口距，实现液口距的在线实时监控。
一种单晶炉中液口距实时监控装置具备单晶炉

[实用新型]硅液面位置控制装置-CN201020623322.9有效
发明人：汤旋 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种硅液面位置控制装置，该控制装置安装在单晶炉上的观测窗口上，包括：激光发射器、激光接收器和控制回路，激光发射器可调节的设置在单晶炉上的第一观测窗口；激光接收器用于接收激光发射器的光束显示硅液面的变化本实用新型实施例中的装置通过激光接收器接收到的激光发射器发射出的光束角度的变化进而得知硅液面距离热屏位置的变化，然后控制回路根据检测到的信号，控制马达的工作状态进而实现实时调控坩埚的跟随比，使得坩埚始终保持在最佳的生长状态
液面位置控制装置

[发明专利]一种控制直拉单晶液面距的方法-CN202310558556.1在审
发明人：孙晨光;孔凯斌;周宏邦;贾海洋;王淼;张强;王彦君;娄中士;侯明超;刘伟 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种控制直拉单晶液面距的方法，包括：进入稳温工序时，调节液位检测装置至预设液面距高度；进行硅溶液表面位置探测：判断液位检测装置是否与硅溶液液面接触，若是，则控制坩埚下降，否则，控制坩埚上升；重复上述步骤，直至停炉工序，停止液面距控制。本发明的有益效果是根据液位检测装置是否与硅溶液表面接触来控制坩埚上升或下降，使得实际液面距与预设液面距相适应，在拉晶过程中实时调节实际液面距与预设液面距之间的关系，使得实际液面距与预设液面距保持动态平衡，使得实际液面距满足拉晶工艺要求，保证液面距按照工艺要求准确控制，保证直拉单晶尤其是IC级半导体单晶对温度梯度的要求。
一种控制直拉单晶液面方法

[发明专利]一种液面自动补偿方法-CN202111001722.5有效
发明人：杨金海;徐永根;沈凯杰 -专利权人：浙江晶阳机电股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生产技术领域，涉及一种液面自动补偿方法，本发明包括：S1：坩埚内盛装硅液，所述坩埚的硅液液面上方设有水冷热屏，所述水冷热屏上方设有成像装置，所述坩埚下方设有升降装置；S2：所述成像装置发射光线经过水冷热屏屏口在硅液液面上形成观测点一，观测点一在硅液液面上形成观测线一，同时水冷热屏屏口在硅液液面镜面投影下形成投影点，投影点在硅液液面上形成观测线二，所述成像装置距离硅液液面距离为h，所述成像装置距离水冷热屏屏口距离为d，满足：d11/h11＝d/(h+h11)，d12/h11＝d/(h‑h11)；S3：根据S2步骤中公式求解液口距h11的值。S4：将S3步骤中求解的液口距h11与预设最佳液面位置比较，根据比较结果通过升降装置升降补偿，调节精确且操作简单。
一种液面自动补偿方法

[发明专利]一种直拉单晶生产过程中的除杂方法-CN201210162057.2无效
发明人：余思明;程佑富 -专利权人：浙江锦锋光伏科技有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉单晶生产过程中的除杂方法，该方法主要是在单晶炉内快速吊起硅晶体，使硅晶体下端离开液面并在硅晶体的底部形成内凹面；然后将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面，使硅熔液液面的不可熔杂质逐渐吸附在硅晶体上采用本发明，因为硅晶体的内凹面会带着一部分惰性气体进入硅熔液，气体鼓向硅晶体的四周并冒泡，带走硅晶体底部及周围的热量，形成更低的局部温度，不可熔杂质便会逐渐吸附在硅晶体上，这样，能最大限度地将不可熔杂质通过吸附后除去，大大提高了硅的纯度，促进了硅单晶生长，提高了硅单晶的产品质量。
一种直拉单晶生产过程中的方法

[发明专利]一种多晶硅溶液液面距定位方法-CN201510482493.1在审
发明人：王保胜;何紫平;孙喜良;郭振宇;马卫康;翟胜涛;苏金玉 -专利权人：特变电工新疆新能源股份有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅溶液液面距定位方法，包括：密封单晶炉的主炉室和副炉室，对单晶炉的主炉室和副炉室抽真空，并加热坩埚内的多晶硅，在密封单晶炉的主炉室和副炉室之前，所述方法还包括：确定导流筒的下沿的位置；坩埚内的多晶硅完全熔化后，所述方法还包括：下降籽晶，并根据导流筒的下沿的位置和预设的液面距m控制籽晶下降的距离；其中，液面距m是指坩埚内多晶硅溶液液面与导流筒的下沿之间的距离；该方法可以准确定位多晶硅溶液液面距，使得多晶硅溶液液面距的定位不再依赖操作员的经验进行，提高准确性和可靠性，从而固化拉晶工艺；此外，该方法操作简单，实用性强，适用范围广泛。
一种多晶溶液液面定位方法

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