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[发明专利]具有碳化硅/硅涂层的炭/陶反应器内衬层及其制备方法-CN202010725455.5有效
发明人：张永辉;程皓;赵杉;白鸽;康文杰;康媛媛 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有碳化硅/硅涂层的炭/陶反应器内衬层，包括炭/陶复合材料反应器内衬层以及覆盖在炭/陶复合材料反应器内衬层表面的碳化硅/硅涂层，碳化硅/硅涂层由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成；本发明还公开了一种具有碳化硅/硅涂层的炭/陶反应器内衬层的制备方法，该方法包括：一、炭纤维预制体增密；二、加工得炭/炭复合材料反应器内衬层；三、炭/炭复合材料反应器内衬层液相渗硅得炭/陶复合材料反应器内衬层；四、喷涂形成碳化硅/硅涂层。本发明通过设置碳化硅/硅涂层，避免了硅颗粒对反应器内衬层的磨损；本发明采用等离子喷涂法，提高了碳化硅/硅涂层与炭/陶反应器内衬层的结合强度。
具有碳化硅涂层反应器内衬及其制备方法

[发明专利]一种自粘结性焦制备硅碳负极材料的生产工艺及装置-CN202210889736.3在审
发明人：和凤祥;蔡新辉;郭明聪;刘书林;陈雪;马畅;屈滨;胡博;王海洋;王守凯;张功多 -专利权人：中钢集团鞍山热能研究院有限公司;中钢热能金灿新能源科技（湖州）有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种自粘结性焦制备硅碳负极材料的生产工艺及装置，包括如下步骤：1)硅炭负极前驱体制备，硅粉与石墨在混料机中混合均匀；2)自粘结性焦制备，以沥青为原料，在焦化塔内制备得到挥发分处于一定范围的焦，破碎至一定粒度；3)硅炭负极材料制备，自粘结性焦与硅炭负极前驱体按一定比例混合均匀，置于炭化炉中进行炭化，形成硅炭负极材料。本发明制备的自粘结性焦在与硅炭负极前驱体混合及炭化过程中，不用另加粘结剂，即可实现粘结和包覆，解决了现有方法制备过程中粘结剂和硅炭前驱体两相混合不均匀、炭包覆硅不密实的问题，所得硅炭材料振实密度与压实密度高，加工性能好，可逆比容量高，循环性能优异。
一种粘结制备负极材料生产工艺装置

[实用新型]一种铜镍二硅的热处理装置-CN202222833059.1有效
发明人：王涛;王梅;韩晓敏;李国维 -专利权人：陕西省军工（集团）陕铜有限责任公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C21D9/573 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜镍二硅的热处理装置，涉及铜镍二硅加工技术领域。该铜镍二硅的热处理装置，包括安装板、加热机构和安装组件，安装板顶部固定安装有安装箱；加热机构设于安装箱的内侧，加热机构包括转动杆和安装轮，安装板的内侧转动安装有多组转动杆，转动杆的外壁上固定安装有安装轮该铜镍二硅的热处理装置，能够通过控制电机的启动，带动两组齿轮啮合传动作用，带动放置杆转动，使放置轮转动对铜镍二硅材料进行入料和出料，降低对铜镍二硅的拉伸，能够通过控制风机的启动，使出风筒对铜镍二硅材料吹出风，对铜镍二硅材料的外壁进行干燥，防止铜镍二硅材料外壁城建税附着水珠对铜镍二硅造成腐蚀。
一种铜镍二硅热处理装置

[发明专利]一种柔性复合透光封装材料-CN202310235170.7在审
发明人：白保英;梁国娟;白华斌;李远海;唐富强 -专利权人：深圳市缘冠新技术有限公司;深圳市缘领技术有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性复合透光封装材料，涉及封装材料技术领域。本发明一种柔性复合透光封装材料，包括主体材料、催化材料以及辅助材料，所述主体材料包括以下组份：1～4份四甲基四乙烯基环四硅氧烷、9～36份甲基苯基硅氧烷环体。本发明通过采用四甲基四乙烯基环四硅氧烷与甲基苯基硅氧烷环体为主料在四甲基氢氧化铵水溶液与甲基氢氧化铵水溶液混合后制得的催化剂的反应现在，使得混合环体一次开环聚合法制备有机复合材料，使得在制备加工时更加简单绿色，且耐低温性优异，可在‑20℃下长期使用，通过原料为四甲基四乙烯基环四硅氧烷与甲基苯基硅氧烷环体进行阴离子开环聚合，使得提高透光率，光学性能良好。
一种柔性复合透光封装材料

[发明专利]一种锂离子电池用高能硅碳复合负极材料及其制造工艺-CN200910027938.1无效
发明人：耿世达 -专利权人：大连丽昌新材料有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池用高能硅碳复合负极材料及制造工艺。本发明负极材料以硅粉或硅粉与石墨粉混合物作为核心材料，以热解碳作为壳体材料，用壳体材料包覆核心材料。本发明给出的负极材料制造工艺该方法的关键在于对中间相沥青进行纳米级加工，并使纳米级中间相沥青呈半液体状态，通过纳米喷射装置将半液体状纳米级中间相沥青喷射到硅粉基材表面或硅粉与石墨粉混合物基材表面，实现均匀包覆，最后经过传统的干燥、碳化、石墨化过程，并在碳化、石墨化化过程中加以高强磁场，得到二次电池负极材料。采用本发明工艺制造的高能硅碳电池粉，其比容量可以高达1050mAh/g以上，经500次循环后，仍可保持80％以上的容量。
一种锂离子电池高能复合负极材料及其制造工艺

[发明专利]一种PMMA光扩散剂及一种光扩散PMMA材料-CN201410299182.7在审
发明人：林湖彬;杜崇铭 -专利权人：惠州市昌亿新材料有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开一种PMMA光扩散剂，其原料包括冷冻微粉碎聚硅氧烷颗粒、光散射剂1、光散射剂2、固化剂、相容剂。本发明采用低温冷冻与超声波粉碎的方法，将市售的聚硅氧烷颗粒转化为低温微粉碎聚硅氧烷颗粒，其添加至PMMA材料中，可使PMMA材料获得优秀的雾化效果；同时本发明的低温微粉碎聚硅氧烷颗粒也克服了现有有机硅类光扩散剂对PMMA材料性能的影响，使本发明所制得的光扩散PMMA材料能够保持优秀的抗冲击性能、抗氧化、加工热稳定性等性能。
一种 pmma 扩散材料

[发明专利]一种高透光高雾度的PP用光扩散剂及由其制备的光扩散PP材料-CN201410292543.5在审
发明人：杜崇铭;林湖彬 -专利权人：惠州市昌亿新材料有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开一种高透光高雾度的PP光扩散剂，其原料包括冷冻微粉碎聚硅氧烷颗粒、光散射剂1、光散射剂2、相容剂。本发明采用低温冷冻与超声波粉碎的方法，将市售的聚硅氧烷颗粒转化为低温微粉碎聚硅氧烷颗粒，其添加至PP材料中，可使PP材料获得优秀的雾化效果；同时本发明的低温微粉碎聚硅氧烷颗粒也克服了现有有机硅类光扩散剂对PP材料性能的影响，使本发明所制得的光扩散PP材料能够保持优秀的抗冲击性能、抗氧化、加工热稳定性等性能。
一种透光高雾度 pp 用光扩散制备材料

[发明专利]一种用于切割硅材料的金刚线开方机-CN201810231703.3在审
发明人：刘坤;曾磊;张良恒;张鹏飞;张健 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于切割硅材料的金刚线开方机，该开方机包括：具有用于承载硅材料的工作台，工作台下方设置升降装置；切割轮组与切割支架通过固定轴轴接；切割轮组包括放线轮和收线轮，放线轮和/或收线轮的外轮直径为该金刚线开方机结构设计科学合理，可以控制金刚线开方机在硅材料的任意角度和位置进行切割，便于硅材料的加工；能够有效保证金刚线开方机高效运转，提高切割效率，降低硅锭表面损伤层，减少废线及废砂浆的产生。
金刚线开方机硅材料切割轮切割放线轮收线轮工作台结构设计科学硅锭表面切割效率切割支架升降装置废砂浆固定轴金刚线开方机损伤层废线外轮轴接缠绕承载运转申请加工保证

[发明专利]节能环保电热煎饼机-CN200810235953.0无效
发明人：闫子玲 -专利权人：闫子玲
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： A21B5/03 文献下载
摘要：节能环保煎饼机的金属滚筒内设置发热效率较高的硅碳硅棒硅碳硅棒的电源连接在全铜电刷上，全铜电刷的电源连接在电源上，电源通过全铜电刷传递到金属滚筒内的硅碳硅棒上，使硅碳硅棒发热产生热量，硅碳硅棒发热产生的热量传到金属滚筒上，使金属滚筒变热而加工煎饼，硅碳硅棒发热产生的热量由保温材料硅酸铝岩棉保护热量不外泄。
节能环保电热煎饼

[实用新型]节能环保电热煎饼机-CN200820216168.6无效
发明人：闫子玲 -专利权人：闫子玲
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： A21B5/03 文献下载
摘要：节能环保煎饼机的金属滚筒内设置发热效率较高的硅碳硅棒，硅碳硅棒的电源连接在全铜电刷上，全铜电刷的电源连接在电源上，电源通过全铜电刷传递到金属滚筒内的硅碳硅棒上，使硅碳硅棒发热产生热量，硅碳硅棒发热产生的热量传到金属滚筒上，使金属滚筒变热而加工煎饼，硅碳硅棒发热产生的热量由保温材料硅酸铝岩棉保护热量不外泄。
节能环保电热煎饼

[发明专利]一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器-CN201910484113.6在审
发明人：郎婷婷;沈婷婷;胡杰 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器，包括三层结构，由下至上依次为：硅衬底层、超材料层和光泵浦源，所述硅衬底层和超材料层均为掺硼的p型硅材料，所述超材料层由单元结构阵列组成，单元结构阵列在xoy平面内周期性的排列在所述硅衬底层，太赫兹波入射到所述吸波器上，被耦合进吸波器并激发电磁共振，实现对太赫兹波的宽带吸收，所述光泵浦源产生泵浦光束，正入射到所述硅衬底层和超材料层上，改变掺杂硅的载流子浓度，实现吸波器对太赫兹波的吸收频带、吸收率的调制功能；本发明结构简单，材料单一，易于加工，对太赫兹波吸收率较高，吸收带宽较宽，具有光调制功能，可广泛应用于成像、隐身、通信、太赫兹检测等多个领域。
吸波超材料层硅衬底层太赫兹波掺杂硅吸收率单元结构阵列光泵浦源光调制宽带载流子光调制功能泵浦光束电磁共振宽带吸收三层结构耦合正入射掺硼入射吸收隐身成像调制带宽激发检测通信加工应用

[发明专利]一种用于口罩熔喷布的长效熔喷聚丙烯复合驻极体材料及其制备方法-CN202010516008.9有效
发明人：苏娟霞;杨波;罗忠富;黄险波;叶南飚;李力;杨友强;陈平绪 -专利权人：金发科技股份有限公司;广东金发科技有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于口罩熔喷布的长效熔喷聚丙烯复合驻极体材料及其制备方法，所述长效熔喷聚丙烯复合驻极体材料包括如下重量份数的组分：聚丙烯树脂100份；氟硅聚合物0.1~10份；无机电荷增强剂0.01~2份；润滑剂0.1~2份；抗氧剂0.01~0.3份；所述氟硅聚合物为以硅氧键为主链、氟烷基为侧链的含氟聚硅氧烷。本发明的用于口罩熔喷布的长效熔喷聚丙烯复合驻极体材料中，氟硅聚合物的硅氧主链柔顺，有利于提高电荷注入深度，且氟烷基侧链促进电荷捕捉，同时产生偶极定向排列，还能掩盖主链，赋予布面良好的疏水性，使得材料具有良好的驻极效果，并有效提高了材料的长效性。而且，氟硅聚合物熔点低，均匀分散，该熔喷聚丙烯复合驻极体材料加工成型较为简单。
一种用于口罩熔喷布长效聚丙烯复合驻极体材料及其制备方法

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶硅的制造方法-CN201180053097.7有效
发明人：木村明浩;松本克;布施川泉;三木克彦 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。
石英玻璃坩埚及其制造方法以及单晶硅

[发明专利]双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法-CN201210110744.X无效
发明人：张照云;彭勃;施志贵;高杨;苏伟 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后同时刻蚀硅结构层上宽细线宽结构，以使得宽细线宽结构刻蚀到绝缘层上的时间基本相同；然后对硅结构层的表面进行浓硼掺杂；最后，去掉结构层下的绝缘层，利用各向异性刻蚀，刻蚀结构层下的硅衬底，释放微结构。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。
双掩膜浓硼掺杂 soi mems 加工方法

[实用新型]新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶-CN202121742320.6有效
发明人：孙巍泉;鲁旗;朱琳;傅斌 -专利权人：普乐（合肥）光技术有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型给出了一种新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶，包括硅环和金属内筒，硅环通过绑定材料固定在金属内筒外壁上；所述硅环包括至少一组硅环段，所述硅环段包括若干N型硅条，若干N型硅条沿金属内筒外壁呈圆周分布，N型硅条长度方向与金属内筒的轴向方向一致。本新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶提出了组合型N型旋转圆柱靶管的构造概念，用多边型硅材料组合成旋转圆柱靶。本新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶的优点是靶材密度高，纯度高，成本低，易于加工。
新型磁控溅射旋转圆柱型硅靶