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[发明专利]电路结构及其形成方法-CN200810171192.7有效
发明人：李久康;郑创仁;蔡尚颖;吴汀淏;陈相甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。
电路结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体硅晶柱环绕式清理设备-CN202210258724.0在审
发明人：王鹏辉;吴禹凡 -专利权人：太原市致科胜工业设计有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆加工设备的技术领域，特别是涉及一种半导体硅晶柱环绕式清理设备，包括处理筒，所述处理筒开口朝向上方，所述处理筒内呈环形均匀分布有多个打磨盘，所述打磨盘倾斜，并且所述打磨盘的竖向中心线偏离所述处理筒轴线；所述打磨盘上设置有传动机构，所述传动机构用于带动打磨盘自转，所述处理筒内部设置有动力机构，所述动力机构用于带动多个打磨盘围绕所述处理筒轴线进行环形公转；该设备可有效提高硅晶柱打磨清理时的均匀性，方便使硅晶柱表面的磨损量保持均衡，提高硅晶柱处理后的圆周度，从而提高硅晶柱加工精度，同时可方便对硅晶柱表面进行全面清理处理，有效避免杂质残留，提高硅晶柱处理质量，提高实用性。
一种半导体硅晶柱环绕清理设备

[发明专利]一种硅柱晶圆光刻设备-CN202011138845.9在审
发明人：石雪香 -专利权人：东莞博文文化传播有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅柱晶圆光刻设备，其结构包括光刻仓、密封门、机体，密封门与机体活动卡合，机体安装于光刻仓的前端位置，通过对硅柱晶圆进行轻微施压，从而使硅柱晶圆能够向下挤压两个外扩板的中部，故而使两个外扩板能够在伸缩架的配合下向两侧滑动展开，且通过助推片对外扩板产生的推力，能够使两个外扩板对硅柱晶圆的侧面进行夹持，从而能够防止硅柱晶圆上的掩膜版因光刻胶过厚导致滑动偏移的情况，通过硅柱晶圆对吸附盘产生的挤压，能够使吸附盘在回弹板的配合下向下收缩，从而使气密块能够对吸附盘中部的孔进行密封，故而使吸附盘能够吸附在硅柱晶圆的底部，有效的避免了硅柱晶圆会在两个外扩板之间被向上挤出的情况。
一种硅柱晶圆光设备

[实用新型]一种硅基液晶屏贴合机结构-CN201120324322.3有效
发明人：代永平;范伟;董续怀;范义 -专利权人：深圳市长江力伟股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基液晶屏贴合机结构，它包括贴合控制系统、摄像头集成器、x/y/θ动力平台、贴合微动台辅助系统和贴合微动台，贴合微动台辅助系统包括底座，在底座中间固定连接有微动台B柱并且在其两侧固定连接有微动台A柱、C柱，玻璃架架设在B柱和C柱的顶面上，在玻璃架内开有玻璃架真空腔，在玻璃架顶面上开有玻璃架真空孔，在所述玻璃架上连接有与玻璃架真空腔相连通的真空排气孔B；贴合微动台包括硅晶圆承片托气缸，硅晶圆承片托下部插在硅晶圆承片托气缸内，由硅晶圆承片托气缸、硅晶圆承片托和硅晶圆承片托活塞密封圈形成的封闭空间构成硅晶圆承片托气腔。采用本装置保证了氧化铟锡玻璃与硅晶圆的准确对位。
一种液晶屏贴合结构

[实用新型]椭偏仪组件-CN202221145900.1有效
发明人：邓思静;李兆颖;周来平 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种椭偏仪组件，包括：机台，机台具有测量平台，测量平台具有第一定位柱和第二定位柱，第一定位柱和第二定位柱在测量平台的周向上间隔开排布；扇环治具，扇环治具形成为开环形，扇环治具设有第一定位孔和第二定位孔，第一定位孔适于与第一定位柱卡接配合，第二定位孔适于与第二定位柱卡接配合，在扇环治具从第一定位柱和第二定位柱拆下时，第一定位柱和第二定位柱配合以定位第一硅晶圆；在扇环治具安装于第一定位柱和第二定位柱时，扇环治具的内环定位第二硅晶圆，第一硅晶圆的直径大于第二硅晶圆的直径。根据本实用新型的椭偏仪组件，可以准确定位不同直径的硅晶圆，有利于保证对不同直径的硅晶圆检测的可靠性和准确性。
椭偏仪组件

[实用新型]G7+多晶硅锭开方用晶锭座-CN202023008571.X有效
发明人：周晓康;陈发勤 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种G7+多晶硅锭开方用晶锭座，包括晶锭座台面基板，晶锭座台面基板呈四方形结构，晶锭座台面基板上表面设有49个台面支撑柱，49个台面支撑柱呈正方形阵列排布，台面支撑柱上设有硅锭硅块粘胶台面，晶锭座台面基板四条边均设有7个硅锭边皮粘胶台面，硅锭边皮粘胶台面上设有边皮保护插销孔；晶锭座台面基板边长为1324mm，硅锭硅块粘胶台面的边长为125mm，相邻两个硅锭硅块粘胶台面之间的间距为44mm，硅锭边皮粘胶台面的长度为125mm，硅锭边皮粘胶台面的宽度为50mm。本实用新型设计了用于G7+硅锭开方的晶锭座，使正常G7开方机在不改变开方机内部结构尺寸的情况下具备切割G7+硅锭的能力。
g7 多晶开方用晶锭座

[发明专利]一种在光纤表面制备一维硅纳米结构阵列的方法-CN201310733552.9有效
发明人：左则文 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在光纤表面制备一维硅纳米结构的方法，通过对具有柱状微结构的多晶硅薄膜进行化学刻蚀，获得在光纤表面的一维硅纳米结构阵列。所述方法在清洁的石英光纤纤芯表面沉积非晶硅薄膜；然后对非晶硅进行高温退火，得到具有柱状微结构的多晶硅薄膜，并使部分柱晶分离；以HF酸加H2O2腐蚀溶液对多晶硅薄膜进行化学刻蚀，优先腐蚀掉柱晶之间的多孔界面层，使得柱晶之间进一步分离，并减小柱晶的尺寸，从而获得硅纳米线阵列；进一步的刻蚀导致柱晶从光纤表面脱离，留下下层的锥形纳米结构阵列。本制备方法简单，成本低廉，可以制备出分层的一维硅纳米结构阵列，能够对纳米线的长度、直径、掺杂类型及水平等实现有效控制，并且通过光纤盘绕或管式沉积设备可以实现长距离光纤上一维硅纳米结构阵列的制备，甚至允许卷到卷的制备过程
一种光纤表面制备一维硅纳米结构阵列方法

[实用新型]一种硅晶上下料自动搬运设备-CN202222354531.3有效
发明人：廉政 -专利权人：深圳市金伍源实业有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： B65G49/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及搬运设备技术领域，具体的说是一种硅晶上下料自动搬运设备，包括支撑底板，所述第一伺服电机输出端固定安装有转盘，是转盘上表面固定安装有液压缸，所述液压缸输出端固定安装有顶板，所述顶板下表面固定安装有电动滑轨，所述电动滑轨中部安装有电动滑块，所述电动滑块下端安装有对不同形状硅晶固定的可调节夹紧组件，本实用新型再将若干滑柱接触到硅晶的表面时，滑柱会向套筒内部进行滑动，能够使若干滑柱根据硅晶具体的形状，形成不同形状的凹槽，能够对不同形状规格的硅晶进行夹紧，此装置操作简便，能够对不同规格的硅晶进行夹紧运输，提高了此装置的便捷性，同上便能够将硅晶进行运输。
一种上下自动搬运设备

[发明专利]改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法、结构及半导体器件-CN202210165336.8有效
发明人：陆晓龙;傅思宇;张彰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法、结构及半导体器件，其中结构包括晶圆衬底硅片，晶圆衬底硅片包括位于中部的有效图形区域和位于边缘的晶圆边缘去边区，有效图形区域内形成芯片单元阵列；有效图形区域形成对应于每个芯片单元的有效区硅通孔，晶圆边缘去边区形成阵列排布的去边区硅通孔，有效区硅通孔及去边区硅通孔通过BOSCH工艺同步刻蚀形成。本发明在晶圆边缘去边区增设去边区硅通孔，在对晶圆进行BOSCH刻蚀时，利用对去边区硅通孔的刻蚀去捕获更多的等离子体，令有效图形区域最外圈的有效区硅通孔刻蚀时的等离子体数量下降，提高了晶圆刻蚀速率的均匀性，减少了硅柱缺陷的形成，提升了可靠性。
改善刻蚀晶圆硅柱缺陷方法结构半导体器件

[发明专利]一种制作LED晶圆专用的硅晶棒智能加工设备-CN201810966037.8在审
发明人：孙俊彪 -专利权人：孙俊彪
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作LED晶圆专用的硅晶棒智能加工设备，包括底板，底板上通过电机座安装有转动电机，转动电机的输出轴上安装有滚磨转动板，滚磨转动板的右端安装有滚磨执行装置，滚磨转动板中部安装有滚磨固定装置，底板的左端安装有滚磨辅助装置，所述滚磨固定装置包括通过轴承安装在滚磨转动板上的固定旋转柱，固定旋转柱为空壳结构。本发明可以解决现有硅晶棒在滚磨加工过程中在的需要人工借助现有设备对硅晶棒进行滚磨处理，需要人工对硅晶棒进行检测，需要人工对硅晶棒进行固定，针对不同规格的硅晶棒需要人工调节固定工具，人工借助工具对硅晶棒进行滚磨不规律，无法保证硅晶棒滚磨的精确性，影响硅晶棒的使用效果。
滚磨硅晶棒转动板底板固定旋转柱固定装置智能加工转动电机专用的辅助装置固定工具空壳结构人工调节现有设备执行装置轴承安装电机座输出轴制作左端检测保证

[发明专利]一种高屏蔽性和隔离度的射频芯片封装结构及封装方法-CN202111093457.8在审
发明人：夏晨辉;明雪飞;吉勇;王成迁;王刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种高屏蔽性和隔离度的射频芯片封装结构及封装方法，该封装结构包括上下两个正面相对设置的第一硅晶圆和第二硅晶圆，第一硅晶圆的正面设有若干个焊柱并形成有金属腔体，第二硅晶圆的正面键合有若干个射频芯片，焊柱焊接在第二硅晶圆的正面且每个射频芯片分别位于每个金属腔体内，焊柱的周围设有填充料，由此采用多个布线层与金属焊柱构成金属腔，有效实现了电磁波的屏蔽作用，并在多芯片的射频微波系统封装中，有效实现不同功能芯片之间的信号隔离；在该封装方法中，采用封装加工工艺，硅基板与硅帽的制造工艺相同，加工周期短，精度高。
一种屏蔽隔离射频芯片封装结构方法

[实用新型]一种移动式硅磷晶罐-CN201920169158.X有效
发明人：董丽丽 -专利权人：山东特清环保科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动式硅磷晶罐，包括硅磷晶罐本体，所述硅磷晶罐本体的两侧均固定安装有安装箱，安装箱远离硅磷晶罐本体的一侧内壁上开设有椭圆孔，椭圆孔内活动安装有调节柱，调节柱靠近硅磷晶罐本体的一端转动安装有调节杆本实用新型结构简单，硅磷晶罐本体通过固定板安装在工作区域，先转动再拉动调节柱，即可在万向轮下移至与固定板平齐后收起固定板，使得硅磷晶罐本体的支撑点由固定板变为万向轮，硅磷晶罐本体能够便捷的通过万向轮移动
硅磷晶罐本体安装箱调节杆调节柱万向轮本实用新型活动安装固定板椭圆孔移动块内壁固定板安装工作区域转动安装移动式支撑点下移转运转动延伸移动

[发明专利]光学元胞及分辨率板-CN201910519334.2在审
发明人：陈树琪;刘文玮;程化;田建国 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学元胞及分辨率板，涉及光学技术领域，该光学元胞包括：衬底和设置于衬底上的纳米非晶硅柱；其中，纳米非晶硅柱包括纳米非晶硅圆柱和/或纳米非晶硅椭圆柱；多个光学元胞按照预设方式排布形成分辨率板本发明通过采用衬底和纳米非晶硅柱，可以有效缩小光学元胞的尺寸，进而可以明显降低分辨率板的尺寸，以及通过按照预设方式将光学元胞按排布形成分辨率板，可以提高分辨率板的设计灵活性，从而适应更多成像测试场合的需求
元胞分辨率板非晶硅衬底预设方式排布光学技术领域成像测试椭圆柱分辨率

[发明专利]消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法-CN201710734054.4在审
发明人：孙孝翔;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法，在深硅刻蚀完成后，以SF6或其他氟基气体进行硅干法刻蚀，刻蚀量为硅柱缺陷的侧向厚度，以完全消除硅柱缺陷。所述刻蚀是直接在深硅刻蚀后进行，或者是在后续的介质层刻蚀或灰化去胶过程中通过SF6一类的氟基气体刻蚀来实现。本方法在深硅刻蚀完成后，再以SF6等氟基气体的硅干法刻蚀，来完全消除硅柱缺陷。为了减少该刻蚀对晶圆内正常图形的影响，该刻蚀可以偏向各向同性刻蚀，以减少刻蚀量。本方法可以在没有配置晶圆边缘保护环的深硅刻蚀机台上实现，同时也无需通过额外生长介质层或涂布光刻胶来保护晶圆边缘区域，节省了相关工艺成本。
消除刻蚀中晶圆边缘缺陷方法

[发明专利]一种MEMS器件圆片级真空封装方法-CN201711268166.1有效
发明人：李男男;胡启方;刘福民;邢朝洋;庄海涵;徐宇新;王学亚;孙俊强 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件圆片级真空封装方法，步骤如下：(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构，单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出，记为低阻硅柱；(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构，并填充拓扑结构之间的孔隙，得到无孔洞绝缘子结构；(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极，并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环；(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合，实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接，并实现MEMS器件的真空封装；(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极；(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。
一种 mems 器件圆片级真空封装方法

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