“硅改质”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果539690个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造液晶显示器的方法以及形成复晶硅层的方法-CN03155806.2有效
发明人：石储荣;蔡耀铭 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明提供一种用于液晶显示器中的复晶硅层的形成方法，包括以下步骤。首先，提供一绝缘基板，在绝缘基板上形成沉积一非晶硅层。接着，使非晶硅层结晶化，而形成一表面具有凸出部分的复晶硅层。接着，在复晶硅层上形成一改质层，以改质复晶硅层表面的凸出部分，改质层为氧化硅层或氮化硅层。最后，除去改质层，并同时除去复晶硅层表面的凸出部分，而得到表面较平坦的复晶硅层。
制造液晶显示器方法以及形成复晶硅层

[发明专利]改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法-CN201380049625.0有效
发明人：宋炫知;朴银秀;林相学;郭泽秀;金古恩;金美英;金补宣;金奉焕;罗隆熙;裵镇希;徐珍雨;尹熙灿;李汉松;田钟大;韩权愚;洪承希;黄丙奎 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
氢化聚硅氧氮烷含有用于形成氧化为主绝缘组合制备方法制造

[发明专利]改质纤维及其制造方法-CN201380081382.9有效
发明人：宫本博;野间基久;广末睦 -专利权人： KB都筑株式会社
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： D06M15/647 文献下载
摘要：本发明提供一种改质纤维和用于制造该改质纤维的方法。该改质纤维通过对纤维材料进行改质而获得，该纤维材料包括纤维素纤维和动物纤维中的至少一种。该改质纤维的特征在于主要由具有12‑15个碳原子的脂肪醇聚氧乙烯醚构成并具有硅氧烷骨架的硅弹性体膜牢固地附着到该改质纤维的表面的至少一部分，并且所述表面具有30‑70mN/m的表面张力。
纤维及其制造方法

[发明专利]固体物质的表面改质方法、经表面改质的固体物质及固体物质的表面改质装置-CN03803451.4有效
发明人：森泰浩;彼得·德茨纳 -专利权人：森泰浩
申请日： 2003-02-10 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：提供一种固体物质的表面改质装置、固体物质的表面改质方法及通过使用该方法得以表面改质的固体物质。固体物质的表面改质装置包括：储藏有包含改质剂化合物的燃料气体的储藏部，其中的各改质剂化合物具有硅原子、钛原子或铝原子，且具有10～100℃的沸点；将所述燃料气体移送至喷射部的移送部；以及用来喷吹燃料气体的喷射部固体物质的表面改质方法包括：对固体物质表面的全部或部分喷吹硅氧化焰等。所述的固体物质易于粘着、印刷、涂装等等。
固体物质表面方法装置

[发明专利]一种电炉钢渣改质剂及其电炉钢渣改质的方法-CN201510890406.6在审
发明人：周显涛 -专利权人：莱芜钢铁华威工程有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： C04B5/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种电炉钢渣改质剂和电炉钢渣的改质方法。本发明提供的电炉钢渣改质剂包括：河沙骨料、煤矸石骨料、粉煤灰和纯碱；所述电炉钢渣改质剂按质量百分比包括Al₂O₃ 14.5-22.5％，CaO 2.4-4％和本发明的改质剂可以用于电炉钢渣的在线改质，充分利用钢渣显热，将钢渣成分由硅钙体系改为硅铝体系，渣铁分离效果好，提高了铁素回收率。
一种电炉钢渣改质剂及其方法

[发明专利]一种高温熔渣连续改质的工艺方法-CN201510191265.9有效
发明人：李宇;苍大强;卢翔;刘晓明;代文彬;王玮;栾秀莉 -专利权人：北京科技大学;莱芜钢铁集团泰东实业有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C21C5/54 文献下载
摘要：一种高温熔渣连续改质的工艺方法，属于工业废弃物综合利用技术领域。在高温电炉熔渣排放时，配好的改质剂通过粉料输送系统进行连续给料，使改质剂与熔渣的同时排放并进入渣包内，熔渣的热冲击搅拌使它与改质剂混合均匀，实现渣包内熔渣的改质，无需外界进行补热；所述高温熔渣是指电炉炼钢过程中所排放的熔态钢渣，或者是小型电炉冶炼过程中排放的熔态还原渣，或是其它冶炼过程连续排放的高温熔渣；高温熔渣与改质剂的质量比不小于2。改质剂中高硅铝原料70～100％，含碳原料为0～30％，改质剂颗粒粒度小于25mm。本发明熔渣温度高，碱度低，粘度小，流动性好，加入改质剂少，易于改质，同时无需补热，改质成本低；可将含硅铝、含碳、含铁的废弃物作为部分改质剂，实现废弃物的资源化利用。
一种高温连续工艺方法

[发明专利]钢包渣脱氧改质剂及其制备方法和钢包渣的脱氧改质方法-CN202310917533.5在审
发明人：霍云波;赵运录;陈玉鑫;赵明阳 -专利权人：河南少林特材有限公司;霍云波
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种钢包渣脱氧改质剂及其制备方法和钢包渣的脱氧改质方法。钢包渣脱氧改质剂的原料包括氧化铝源、铝源和非金属源；氧化铝源满足：控制总氧化铝的质量占比为5％～21％，包括铝灰和/或铝酸钙精炼渣，且铝灰的质量占比≤15％；铝源满足：控制铝的质量占比为5％～45％，包括铝粉，且铝粉的质量占比≤40％；非金属源包括碳源和/或硅源；碳源满足：控制碳的质量占比≤35％；硅源满足：控制硅的质量占比≤25％；控制总氧化镁的质量占比≤10％，及控制总氧化硅的质量占比≤10％。该钢包渣脱氧改质剂具有生产成本低、不易产生烟尘和脱氧改质效果好的优点。
钢包脱氧改质剂及其制备方法

[发明专利]形成结晶硅薄膜的方法-CN200910260683.3无效
发明人：林烱暐;蔡耀昌;陈易良;江美昭;邹元昕 -专利权人：华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种形成结晶硅薄膜的方法。首先提供一基板，基板上有一第一硅结构薄膜(如非晶硅薄膜)。接着，对第一硅结构薄膜进行一改质制程以形成一晶种层，其中改质制程包含一氢气等离子体制程与一氦气等离子体制程。最后再于晶种层上直接形成一第二硅结构薄膜(如微晶硅薄膜)。藉由引入包含氢气等离子体制程与氦气等离子体制程的改质制程，使本发明具有较低成本及较高质量的优势。
形成结晶薄膜方法

[发明专利]提高抗污膜的附着力的方法-CN201810609062.0在审
发明人：徐逸明 -专利权人：馗鼎奈米科技股份有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：形成改质镀膜于基板的表面上，其中形成改质镀膜时包含使用前驱物，此前驱物包含硅碳氧分子。涂布抗污分子于改质镀膜上。进行烘烤制程。由于氢氧(‑OH)官能基可顺利形成在使用含硅碳氧分子的前驱物所形成的改质镀膜表面上，而抗污分子可与这些氢氧官能基产生键结，借此可提高抗污膜的附着力。
改质抗污镀膜附着力官能基前驱物氧分子硅碳基板氢氧镀膜表面烘烤键结制程

[发明专利]一种钢渣改质剂及钢渣热态改质处理工艺-CN202010869617.2在审
发明人：李永谦;肖永力;汪圣军;李洪涛;张友平;王英杰;谢梦芹;关运泽 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C04B20/02 文献下载
摘要：一种钢渣改质剂及钢渣热态改质处理工艺，其化学成分重量百分比为：金属硅：10.0～50.0％；SiO2：30.0～80.0％；Al2O3：5.0～20.0％；且，所述钢渣改质剂的粒度为3～10mm。本发明钢渣改质剂针对高温钢渣进行改质处理，解决现有改质料与高温钢渣混合不均、改质不充分和现有钢渣改质工艺投资大、运行费用高等问题，利用本发明工艺可以大幅度降低钢渣中f‑CaO和f‑MgO，整体工艺经济实用
一种钢渣改质剂热态改质处理工艺

[发明专利]具环氧基的硅氧烷改质树脂、封装材料、与封装结构-CN202110382483.6在审
发明人：陈文彬;詹英楠;陈凯琪;林志浩 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供具环氧基的硅氧烷改质树脂、封装材料、与封装结构，所述具环氧基的硅氧烷改质树脂是由羟基封端的硅氧烷化合物与硅氧树脂反应后，接着与环氧基硅烷反应而成，其中羟基封端的硅氧烷化合物与硅氧树脂的摩尔比例为5:1至10:1，且环氧基硅烷与硅氧树脂的摩尔比例为2:1至4:1。添加本发明的具环氧基的硅氧烷改质树脂的封装材料和封装结构可以维持原本组成物Tg并提升与胶材的兼容性，并降低材料应力与翘曲。
具环氧基硅氧烷改质树脂封装材料结构

[发明专利]一种低碳钢钢水改质剂-CN200410009845.3无效
发明人：牛四通 -专利权人：北京科大中冶技术发展有限公司
申请日： 2004-11-23 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： C21C7/00 文献下载
摘要：一种低碳钢钢水改质剂。属于炼钢领域，特别涉及一种用于冶炼低碳低硅钢终脱氧和合金化的钢水改质剂——低碳钢钢水改质剂。低碳钢钢水改质剂化学成分范围为：60％≥Al≥35％；30％≥Mn≥8％；8％≥Ti≥0.1％；2％≥C≥0.1％；5％≥Si≥0.1％；0.03％≥S≥0.001％；0.03％≥P≥0.001％；其余主要为低碳钢钢水改质剂比重大，含铝较高，脱氧能力强、脱氧产物易于排除，其脱氧效果好于纯铝及硅铝钙，能有效降低钢水全氧含量，钢坯内部组织致密，钢材各项力学性能好于纯铝及硅铝钙的脱氧效果。相比硅铝钙及纯铝脱氧使用成本低，抗粉化性能好。冶炼低合金钢及微合金钢时，低碳钢钢水改质剂提供的主要添加元素钛，不但能提高钢的耐磨耐腐蚀性能，而且还能简化低合金钢、微合金钢的冶炼工艺，提高钢水质量。
一种低碳钢钢水改质剂

[发明专利]改质中孔径硅基吸附材的方法及吸附二氧化碳的方法-CN200910132095.1无效
发明人：李秀霞;黄志峰;王厚传;柳万霞;黄钦铭;陈旺;卢重兴;白曛绫 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B01J20/28 文献下载
摘要：本发明将改质剂形成于气胶法制备的中孔径硅基吸附材上，并选择不同参数如温度及/或含水率测量其对二氧化碳吸附量的影响。实验结果发现，经EDA改质处理后的中孔径硅基吸附材对CO2吸附量提升，且于含水率0-17.4％范围内，对CO2吸附量无明显改变。与其它易受水气影响的吸附材相比，本发明制备的改质中孔径硅基吸附材更具应用潜力。
改质中孔径吸附方法二氧化碳

[发明专利]基板加工方法-CN201180036058.6有效
发明人：下井英树;荒木佳祐 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：一种用来将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，其具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），沿着线（12）在硅基板（11）的内部形成多个改质点（S），从而形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，从而在硅基板（11）形成空间的第2工序，在第1工序中，以激光（L）相对于硅基板（11）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度为45°以上的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），并以沿着线（12）排成一列的方式来形成多个改质点（S）。
加工方法

[发明专利]基板加工方法-CN201180036884.0有效
发明人：下井英树;荒木佳祐 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。
加工方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条