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[发明专利]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法-CN201610896191.3在审
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝借助于本发明的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法

[实用新型]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料-CN201621124857.5有效
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中借助于本实用新型的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料

[发明专利]硅基负极导电浆料及制备方法、硅基负极片的制备方法-CN202211221862.8在审
发明人：吴永生;刘大喜;蒋伟 -专利权人：烯湾科城（广州）新材料有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种硅基负极导电浆料及制备方法、硅基负极片的制备方法。以硅基负极导电浆料的总质量为100％计，包括原料组分：碳纳米管0.55～3wt％，分散剂0.1～1wt％，溶剂余量；碳纳米管包括质量比为(50～70)：(30～50)的含有羟基的短碳纳米管和含有羧基的长碳纳米管；短碳纳米管的长径比为(50～2500)：1；长碳纳米管的长径比为(3000～143000)：1。通过低长径比含有羟基的短碳纳米管和高长径比含有羧基的长碳纳米管进行级配，同时实现短程电子导电和长程电子导电，完善三维电导网络，提高硅基负极材料的导电性，促进电解液均匀分布，并有效缓解硅基负极体积膨胀效应
负极导电浆料制备方法

[发明专利]带有抑制剂的快速固化的有机硅氧烷组合物-CN97102934.2无效
发明人： D·R·朱恩;K·R·拉森;M·T·马克森;L·J·拉普森 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 1997-03-04 - 公布日： 1998-01-28 - 主分类号： C08L83/14 文献下载
摘要：室温可固化的有机硅氧烷组合物,包括含链烯基的聚有机硅氧烷、有机氢化硅氧烷、铂催化剂、甲基乙烯基环硅氧烷和炔醇,该组合物使用寿命长、固化时间短。
带有抑制剂快速固化有机硅组合

[发明专利]透明、耐火的聚碳酸酯组合物-CN02818005.4有效
发明人： J·A·马霍德;N·R·罗森奎斯特;R·K·辛 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2002-06-26 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： C08L83/00 文献下载
摘要：含有聚碳酸酯、短链聚二有机基硅氧烷、支化剂和基本上不含溴或氯的阻燃剂的一种透明、耐火的支化聚碳酸酯－聚硅氧烷组合物，其中短链聚二有机基硅氧烷的含量约为1％重量或以下。
透明耐火聚碳酸酯组合

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610886290.3在审
发明人：王启光;赵金柱;翟立君;冯永波;肖志强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硅基鳍片；去除所述硅基鳍片用于形成源漏区的部分，保留用作沟道的部分；在去除用于形成源漏区的部分而露出的所述硅基鳍片的侧面上形成硅锗层；执行第一热处理工艺，以使所述硅锗层中的锗扩散进入所述硅基鳍片用作沟道的部分，从而形成硅锗基沟道。该制作方法可以提供较高的载流子迁移率，并改善短沟道效应。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]侧耳菌发酵生产截短侧耳素的培养基及发酵方法-CN201210112089.1有效
发明人：王义;任勇;王文超;纳卓斌;奇乃 -专利权人：宁夏泰瑞制药股份有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C12P15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种侧耳菌生产截短侧耳素的培养基及发酵方法，该培养基包括一级种子培养基、二级种子培养基和发酵培养基，其特征在于一级种子培养基和二级种子培养基中含有冷榨黄豆饼粉和有机硅消泡剂；发酵种子培养基中含有冷榨黄豆饼粉、有机硅消泡剂和玉米油。本发明通过采用由玉米油、冷榨豆饼粉替代豆油、热榨豆饼粉，优化其培养基配方，克服截短侧耳素的发酵单位低、单罐菌丝体数量少等技术缺陷，提供一种提高发酵单位，改善菌体发酵质量，同时最大限度的降低原辅料来源不受环境影响，保证其供应充足，实现了截短侧耳素稳定、高效的生产。
侧耳发酵生产培养基方法

[发明专利]一种润滑油中硅基基础油的制备方法及其应用-CN202211251754.5在审
发明人：谷金灿;赵向阳;尚俊杰 -专利权人：上海上萃精细化工有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种润滑油中硅基基础油的制备方法及其应用，它涉及润滑油技术领域。首先合成侧链乙烯基硅油：利用乙烯基四环体、八甲基环四硅氧烷以及六甲基二硅氧烷，在酸性藻土的催化下，合成侧链乙烯基硅油，在上一步侧链乙烯基硅油的基础上，利用短链含氢硅氧烷与侧链乙烯基硅油进行硅氢加成，合成梳状结构的硅油本发明制备工艺简便，制成的硅基基础油能提高润滑油的耐磨性、耐高温性和持久性，提升润滑油的性能，应用前景广阔。
一种润滑油中硅基基础油制备方法及其应用

[发明专利]一种硅基OLED显示模组-CN202211533681.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：徐俊马
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基OLED显示模组，涉及硅基OLED领域，该硅基OLED显示模组，包括硅基OLED显示屏，所述硅基OLED显示屏的背面固定连接有固定圆盘，所述固定圆盘的底面固定连接有支撑短柱，所述固定圆盘的外表面开设有防挡槽，所述硅基OLED显示屏的背面设有支撑横板，所述支撑横板的底面固定连接有加固板。该硅基OLED显示模组，通过设置固定圆盘、伸缩卡块、固定挡盘等部件，通过固定圆盘部件与固定挡盘部件之间相互的配合关系，使得固定挡盘部件能够通过伸缩卡块对其进行快速固定，进而达到了本装置能够通过固定圆盘对伸缩卡块的推动，达到使固定挡盘快速拆卸下来的效果，达到了使硅基OLED显示屏模组方便安装与拆卸的目的。
一种 oled 显示模组

[发明专利]制备2-(三甲基硅基)乙氧基甲基氯的方法-CN202310237336.9在审
发明人：罗宇;李晓林;王子安 -专利权人：苏州昊帆生物股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种制备2‑(三甲基硅基)乙氧基甲基氯的方法，包括如下步骤：S1，氯甲基三甲基硅烷与金属镁在无水无氧环境中发生反应，得到三甲硅基甲基氯化镁；S2，使所述三甲硅基甲基氯化镁和多聚甲醛发生反应，得到2‑(三甲基硅基)乙氧基氯化镁；S3，使所述2‑(三甲基硅基)乙氧基氯化镁与氯甲基化试剂发生氯甲基化反应，得到2‑(三甲基硅基)乙氧基甲基氯。根据本发明实施例的方法，合成路线短，总收率高，且适用“一锅法”，所产生的三废少，路线的可行性更强，适用于工业化生产。
制备甲基乙氧基方法

[发明专利]纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法-CN201210204024.X无效
发明人：余锡宾;贺建强 -专利权人：上海洪立新能源科技有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法。一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片，其特征在于：硅基电池片表面致密，均匀地分布有纳米晶/量子点，纳米晶/量子点与硅基电池片结合牢固；所述纳米晶/量子点为可作半导体材料的过渡金属硫族化合物的纳米颗粒。其制备方法包括预合成法制备纳米晶/量子点、硅基电池片经预处理、用预合成法的制备纳米晶/量子点沉积生长在硅基电池片上三个步骤。本发明的纳米晶/量子点敏化的硅基电池片可以提高硅基电池片的太阳光光谱吸收效率，降低反射损失，大幅增加光电流密度和光电转化效率。本发明工艺简便，成本低，生产周期短，适用于大规模生产。
纳米量子点敏化硅基电池及其制备方法

[发明专利]一种乙烯基含氟聚硅氧烷及其制备方法-CN202310091874.1有效
发明人：伊港;刘海龙;高梓寒;吴唯;王鹏;宋标;刘瑞湖;张松松 -专利权人：山东东岳有机硅材料股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C08G77/44 文献下载
摘要：本发明属于氟硅橡胶制备领域，涉及一种乙烯基含氟聚硅氧烷及其制备方法，采用羟基封端三氟丙基甲基聚硅氧烷和短链乙烯基硅油作为原料，通过聚氯化磷腈为催化、以N,N‑二乙基‑氨丙基甲基二甲氧基硅烷和甲基三氟丙基环三硅氧烷的共水解物为终止剂制备得到分子量和乙烯基含量可控的乙烯基氟硅油或乙烯基氟硅生胶本发明以氟硅线性体为主要原料，解决了现有方法中原料反应活性不同的问题，可以制备侧链和端基同时含有乙烯基的含氟聚硅氧烷，应用范围更广，同时反应过程中不产生低分子，具有方法简单、反应可控、安全环保的优点。
一种乙烯基含氟聚硅氧烷及其制备方法

[实用新型]级联配置的器件与半导体元件-CN201620778059.8有效
发明人：刘春利;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据一种实施例，半导体元件包含与硅基半导体器件耦接的基于化合物半导体材料的半导体器件以及保护部件，其中该硅基半导体器件是晶体管。保护部件并联耦接于硅基半导体器件两端，并且可以是电阻器、二极管或晶体管。根据另一种实施例，硅基半导体器件是二极管。化合物半导体材料可以用短路部件与电位源(例如，地线)短接。
级联配置器件半导体元件

[实用新型]半导体元件-CN201620778058.3有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;A·萨利赫;刘春利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：根据一种实施例，半导体元件具有与硅基半导体器件连接的基于化合物半导体材料的半导体器件以及保护部件，其中该硅基半导体器件是晶体管。保护部件并联耦接于硅基半导体器件两端并且可以是电阻器、二极管或晶体管。根据另一种实施例，硅基半导体器件是二极管。化合物半导体材料可以用短路部件与电位源(例如，地线)短接。
半导体元件

[发明专利]基于声子晶体异质结的声波二极管-CN201710775079.9有效
发明人：许振龙;卜新华;童杰;黄亮国 -专利权人：广东科学技术职业学院
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G10K11/172 文献下载
摘要：本发明公开一种基于声子晶体异质结的声波二极管，包括方形硅基盒、若干方形横截面小钢柱体及若干方形横截面大钢柱体；硅基盒一侧长边中部开设有入射端口，另一侧长边中部开设有出射端口；若干方形横截面小钢柱体及若干方形横截面大钢柱体纵向设置地周期排列于硅基盒内，若干方形横截面大钢柱体分布于硅基盒内分别以硅基盒两个短边为底边、以硅基盒所述另一侧长边中点为顶点的两个直角三角形区域内，若干方形横截面小钢柱体分布于硅基盒内除去所述两个直角三角形区域以外的区域。
基于晶体异质结声波二极管

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