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[发明专利]具有硅化物膜的半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN02143204.X无效
发明人：井原良和;西田笃弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-09-18 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体装置具备形成于第1硅区域上的第1硅化物膜与形成于第2硅区域上的第2硅化物膜，第2硅化物膜由与第1硅化物膜相同的硅化物材料构成，同时使其与第1硅化物膜的膜质不同，而具有与第1硅化物不同的薄膜电阻值这时，例如通过将杂质导入第2硅化物膜自体中使与第1硅化膜的膜质不同，则通过控制杂质的种类和导入条件，可获得具有任意高的薄膜电阻值的第2硅化物膜。
具有硅化物膜半导体装置以及制造方法

[发明专利]一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法-CN201410106573.2在审
发明人：张智侃;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明为一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一含有OTP浮栅的衬底；在该衬底上生长第一硅化物，在该第一硅化物上生长第二硅化物；去除覆盖该OTP浮栅的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮栅暴露；去除残留的第一硅化物；去除杂质，并生长富硅氧化硅，以覆盖暴露的OTP浮栅。本发明选用富硅氧化硅作为金属硅化物掩蔽膜，代替原有的二氧化硅加氮化硅组合。在OTP浮栅上形成局部的富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，其他区域保持原有的二氧化硅加氮化硅金属硅化物掩蔽膜，这样既不影响原有工艺以及其他器件，又能将浮栅上的金属硅化物膜改变为富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，从而提高
一种一次性编程存储器金属硅化物掩膜制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03147530.2无效
发明人：饭沼俊彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在避免不需要的硅化物膜的形成的同时可减少结漏泄电流的半导体器件。半导体器件包含被配置在半导体衬底的表面内的对元件区进行隔离的元件隔离绝缘膜。在元件区的半导体衬底上经栅绝缘膜配置栅电极。在半导体衬底的表面内，以夹住栅绝缘膜之下的区域的方式形成一对源/漏区。在源/漏区的表面上配置硅化物膜，该硅化物膜延伸到元件隔离绝缘膜上。在元件隔离绝缘膜上和硅化物膜上配置层间绝缘膜。接触孔贯通层间绝缘膜并到达硅化物膜，其一端和另一端分别位于硅化物膜上和元件隔离绝缘膜上。此外，接触孔具有在底部并在元件隔离绝缘膜的上部其一端与硅化物膜的端部相接的槽部。在接触孔的内部配置布线层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN202080055394.4在审
发明人：山崎忠行;林泰伸;清水吾朗 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明的存储单元(10)包括：在半导体衬底的p阱(11)的表面夹着沟道区域(12)形成的漏极区域(13)和源极区域(14)；以覆盖沟道区域(12)的方式形成的绝缘膜(15)；形成在绝缘膜(15)上的栅极(16)；以位于栅极(16)的侧面且在沟道区域(12)的正上方的方式形成的侧墙(17)；以覆盖漏极区域(13)、源极区域(14)的一部分、栅极(16)和侧墙(17)的方式形成的自对准硅化物阻挡膜(18)；形成在从自对准硅化物阻挡膜(18)和自对准硅化物阻挡膜(18)露出的漏极区域(13)和源极区域(14)中的漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)；和以覆盖自对准硅化物阻挡膜(18)、漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)的方式形成的氮化膜(19)。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]半导体器件及其制造工艺-CN200680050602.1无效
发明人：长谷卓 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：该半导体器件的特征在于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、包括具有高介电系数的含Hf－的绝缘膜的栅绝缘膜、包括硅化物区(A)和硅化物区(B)的线电极，所述硅化物区(A)和硅化物区(B)之一包括在硅化反应中用作扩散物种的金属M的硅化物(a)、包含与栅绝缘膜接触的硅化物层(C)的另一硅化物区，所述硅化物层(C)包括金属M的硅化物(b)，所述硅化物(b)具有比硅化物(a)更小的金属M的原子组份比、以及可以基本上防止金属M在所述硅化物
半导体器件及其制造工艺

[实用新型]一种防水型光学镜头-CN201520824199.X有效
发明人：傅芸婷;黄风景;程洪亮 -专利权人：深圳市卓尔摄影器材有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防水型光学镜头，包括光学基板，光学基板的上表面贴覆有防水增透膜，该防水增透膜包括依次叠放的第一硅化物保护膜、氟化物保护膜、第二硅化物保护膜和防水膜；第一硅化物保护膜、氟化物保护膜、第二硅化物保护膜和防水膜中，相邻膜层的折射率不同，且其折射率范围均为1.1-1.5；令第一硅化物保护膜、氟化物保护膜、第二硅化物保护膜的折射率分别为n1、n2和n3，n1、n2和n3满足以下条件：｜n1-n3｜≤0.05，｜n2
一种防水光学镜头

[发明专利]制备多硅化物栅极的方法-CN97111174.X无效
发明人：辛和叔;池京求;郑灿旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-05-14 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：这里提供一种能使侧壁侵蚀减到最低的制备多硅化物栅极的方法。按此法首先在一个半导体衬底上依先后次序制备一层栅绝缘膜，一层多晶硅膜，和一层硅化物膜。而在硅化物膜上制备一掩模层。随后用一种氯氧混合气蚀刻硅化物膜和多晶硅膜。此处氧气最好包含蚀刻气体总量的10％到30％。
制备多硅化物栅极方法

[发明专利]MOS晶体管及其制造方法-CN200810190855.X无效
发明人：李文荣 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS晶体管及其制造方法，该方法可以包括：在限定为有源区和场区的半导体衬底的有源区上和/或上方形成栅极图样；以及在栅极图样的每一侧以及栅极图样的最上表面的部分上方形成硅化物阻挡膜，该硅化物阻挡膜包括间隔形成并相互平行延伸的第一和第二硅化物阻挡膜部分，以及连接至第一和第二硅化物阻挡膜部分并间隔形成的第三和第四硅化物阻挡膜部分，该第三和第四硅化物阻挡膜部分相互平行延伸并垂直于第一和第二硅化物阻挡膜部分。
mos 晶体管及其制造方法

[发明专利]一种磁性隧道结钽掩模的制备方法-CN201610497215.8有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结钽掩模的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积形成钽掩模膜层和硅化物种子层；将磁性隧道结图案图形化转移到硅化物种子层的顶部；采用反应离子束刻蚀硅化物种子层和部分钽掩模膜层；进行选择性刻蚀，在没有硅化物种子层覆盖的钽掩模膜层进行刻蚀，在硅化物种子层再次沉积一层硅化物膜层；除去硅化物膜层和大部分硅化物种子层，同时并对钽掩模膜层进行修剪。
一种磁性隧道结钽掩模制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110229472.0无效
发明人：冈田茂业;二濑卓也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法，包括以下工序：(a)准备半导体衬底，(b)在其上形成半导体区域，(c)在包括半导体区域的半导体衬底上形成金属膜，(d)进行第1热处理形成金属硅化物层，(e)除去未反应的金属膜，在半导体区域上残留金属硅化物层，(f)进行热处理温度高于第1热处理的第2热处理，(g)在包括金属硅化物层上的半导体衬底上形成绝缘膜，其中，第2热处理的热处理温度低于构成金属膜的金属元素的二硅化物的晶格大小与半导体衬底的晶格大小一致的第1温度，构成金属膜的金属元素的单硅化物相的电阻率低于构成金属膜的金属元素的二硅化物相，在第2热处理后，金属硅化物层仍为金属元素的单硅化物相。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种金属硅化物绝缘层的形成方法-CN201410604577.3有效
发明人：赵鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅化物绝缘层的形成方法，包含如下步骤第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；第二步，进行器件结构的制作；第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；第五步，去除不需要的金属沉积层。本发明采用保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，比传统工艺少使用一层掩膜版。
一种金属硅绝缘形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710146683.1无效
发明人：舟瀬谕志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够稳定形成低电阻的硅化物膜的半导体装置的制造方法。首先，以在硅基板(11)表面上露出硅化物形成区域的状态，在基板上形成金属膜(17)。然后，在高于大气压的压力下，对形成有金属膜(17)的基板(11)进行热处理，使上述硅化物形成区域含有的硅与上述金属膜(17)反应，由此形成硅化物膜(18a、18b)。然后，在该热处理中，除去未反应的金属膜后，通过热处理发生结晶相转移，对基板上形成的硅化物膜(18a、18b)进行低电阻化处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]形成半导体器件金属引线的方法-CN96112074.6无效
发明人：林载圻;金铉修;李锡奎 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-11-04 - 公布日： 2002-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体金属引线的方法，它包含以下步骤提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成由多晶硅层和金属硅化物层构成的下部引线；在下部引线上形成具有接触孔的层间绝缘膜，通过接触孔部分暴露金属硅化物层；在金属硅化物层的暴露部分注入杂质离子以在金属硅化物层中形成非晶部分；热处理金属硅化物层的非晶部分，从而使金属硅化物层非晶部分晶化；以及在金属硅化物层结晶部分形成上部引线。
形成半导体器件金属引线方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN97126460.0有效
发明人：卞正洙;李炳学 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-11-27 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造能改善电阻率半导体器件的方法，包括以下步骤在衬底上淀积绝缘膜；在绝缘膜第一区上形成第一导电类型的多晶硅层；在绝缘膜第二区上形成第二导电类型的多晶硅层；在第一和第二导电类型的多晶硅层上形成防扩散膜；在防扩散膜上形成晶体的金属硅化物层；通过将离子注入晶体的金属硅化物层中，将晶体的金属硅化物层变成非晶金属硅化物层；通过热处理非晶金属硅化物层使其结晶；及腐蚀晶体的金属硅化物层、第一和第二多晶硅层，和绝缘膜
半导体器件制造方法

[发明专利]集成电路装置-CN201710888495.X有效
发明人：朴相真;权奇相;白在职;高镛璿;李光旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
集成电路装置

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