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[发明专利]硅化合物-CN202010307664.8在审
发明人：金喆禹;宣旻暻;沈由那;郭宰熏;金荣汎;李宗昊;赵珍耿 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开新材料有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及由以下式1表示的硅化合物：[式1]化合物

[发明专利]硅化合物-CN02821734.9无效
发明人： R·塔克;J·戴斯 -专利权人：阿麦迪斯药物有限公司
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：式(I)化合物，其中R¹和R²独立地是氢或烷基，或一起与氮原子形成杂环基；R³和R⁴独立地是氢、羟基、烷基、烷氧基、烷酰氧基、氰基、硝基、烷基硫基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、烷酰胺基、卤素或三氟甲基；R⁵是氢或烷基；n是0、1、2、3或4；或其可药用盐或可水解为上述定义化合物的前体药物形式。
化合物

[发明专利]在阳离子硅(II)化合物存在下制备硅氧烷-CN201780089432.6在审
发明人： E·弗里茨-朗哈尔斯;R·魏德纳 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2017-10-06 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备硅氧烷的方法以及混合物M，在所述方法中在至少40℃下在化合物D存在下，化合物A与化合物B反应，或者合物A与化合物C反应，或者化合物B与化合物C反应，或者化合物C单独反应，化合物A是硅烷或硅氧烷，其包含至少一个与硅直接键合的氢原子，化合物B是硅烷或硅氧烷，其包含与硅接键合的至少一个烷氧基部分，化合物C是硅烷或硅氧烷，其包含至少一个与硅直接键合的氢原子和至少一个与硅直接键合的烷氧基部分，并且化合物D是权利要求1中定义的阳离子Si(II)化合物；本发明还涉及混合物M，其包括：化合物A与化合物B，或者化合物A与化合物C，或者化合物B与化合物C，以及化合物D，条件是化合物B不含乙烯基。
化合物B 直接键合硅氧烷硅烷混合物氢原子烷氧基制备硅氧烷阳离子乙烯基合物键合

[发明专利]有机硅化合物的提纯方法-CN201410165878.0有效
发明人：王万军;袁京;杜丽萍;黄祚刚;姜标;邱长泉;李继香 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明提供一种有机硅化合物的提纯方法，所述有机硅化合物的提纯方法至少包括：将有机硅化合物和磁粉在第一温度下搅拌均匀形成有机硅化合物和磁粉的混合物；从所述有机硅化合物和磁粉的混合物中提取出有机硅化合物。本发明采用将磁粉和需要提纯的有机硅化合物进行混合，以利用磁粉将有机硅化合物中的金属杂质吸附出来。另外还通过精馏的方式将有机硅化合物中的有机杂质去除，得到纯度大于99.9％的有机硅化合物。
有机硅化合物提纯方法

[发明专利]将含硅化合物连接至表面以及合成超价硅化合物的方法-CN200680033595.4有效
发明人：杰弗里·欧文斯 -专利权人：阿力泽有限公司
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： D06M13/513 文献下载
摘要：一种将一种或更多种含硅化合物化学连接至基材的方法，该方法包括：提供一种或更多种选自硅氧烷化合物、硅烷醇化合物、硅醚化合物、硅烷醇盐/酯化合物、卤代硅烷化合物、杂氮硅三环化合物和硅氮烷化合物的含硅化合物；使一种或更多种含硅化合物与基材表面接触，所述基材表面上具有一个或更多个亲核部位；以及使含硅化合物和所述表面暴露在频率为0.3－30GHz的电磁辐照下。
将含硅化合物连接表面以及合成超价硅方法

[发明专利]包含季铵基团的低粘度聚有机硅氧烷、其制造方法和用途-CN201780043658.2有效
发明人： R.瓦格纳;K-H.斯塔丘拉;K.斯特莱谢尔;C.温斯克 -专利权人：莫门蒂夫性能材料有限责任公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C08L83/10 文献下载
摘要：本发明提供具有低粘度的聚有机硅氧烷化合物、这样的聚有机硅氧烷化合物的制造方法、包括所述聚有机硅氧烷化合物和与该聚有机硅氧烷化合物不同的另外的聚有机硅氧烷化合物的聚有机硅氧烷组合物、包含该聚有机硅氧烷化合物的含水乳液、和使用该聚有机硅氧烷化合物的表面处理方法。
包含铵基粘度有机硅制造方法用途

[发明专利]一类羟烃基有机硅化合物及其制备方法和应用-CN201911007733.7有效
发明人：唐红定;余学成;熊英 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明公开了一类羟烃基有机硅化合物及其制备方法和应用。属于有机硅材料领域。所述羟烃基有机硅化合物包括羟烃基硅烷化合物、羟烃基线性聚硅氧烷或羟烃基硅树脂。同时公开了通过氨烃基有机硅化合物与环氧化合物开环反应得到羟烃基有机硅化合物的制备方法。该方法能较简单、方便地合成一系列不同结构、不同羟基含量的羟烃基有机硅化合物。该类羟烃基有机硅化合物可用于制备有机硅改性材料。
一类羟烃基有机硅化合物及其制备方法应用

[发明专利]光电转换装置和设备-CN201910845927.8有效
发明人：田中芳荣;广田克范;大贯裕介;丹下勉;荻野拓海 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“HdHb”。
光电转换装置设备

[发明专利]不含SiH的乙烯基二硅烷-CN201780056462.7有效
发明人： B·D·瑞肯 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种不含SiH的乙烯基二硅烷化合物，所述不含SiH的乙烯基二硅烷化合物不含(缺乏)硅键合的氢原子。使用所述不含SiH的乙烯基二硅烷化合物或此类化合物的集合作为用于合成或制备硅杂原子化合物的原料或前体。由其合成的所述硅杂原子化合物；含有所述硅杂原子化合物的膜和器件；制备不含SiH的乙烯基二硅烷化合物、硅杂原子化合物、膜和器件的方法；以及不含SiH的乙烯基二硅烷、硅杂原子化合物、膜和器件的用途。
sih 乙烯基硅烷

[发明专利]采用硅化合物进行的含硅层沉积-CN200380101414.3有效
发明人： K·K·辛格;P·B·科米塔;L·A·斯卡德;D·K·卡尔森 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明的实施方式一般地提供了硅化合物的组合物和采用该硅化合物沉积含硅膜的方法。该方法利用将硅化合物引入到衬底表面并沉积部分硅化合物，即硅主结构而成为含硅膜。配体是硅化合物的其它部分，其作为原位蚀刻剂而释放出来。该原位蚀刻剂支持选择性的硅外延生长。硅化合物包括SiRX₆、Si₂RX₆、Si₂RX₈，其中X独立地为氢或卤素，R为碳、硅或锗。硅化合物也包括含有三个硅原子，选自碳、硅或锗的第四个原子，和选自氢或卤素且至少一个为卤素的多个原子的化合物，并且含有四个硅原子，选自碳、硅或锗的第五个原子，和选自氢或卤素且至少一个为卤素的多个原子的化合物
采用化合物进行含硅层沉积

[发明专利]热固性树脂组合物、其制造方法、树脂固化物的制造方法以及使环氧化合物发生自聚合的方法-CN201380050393.0有效
发明人：渡部拓海;安藤正人;田中俊行;木村章则;上野信彦;齐藤真纪;陶氏凤金;笠井铁夫 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明以提供以下中的至少任意一项为课题使用环氧化合物的新型热固性树脂组合物、其制造方法、使用环氧化合物的新型树脂固化物的制造方法、以及为使环氧化合物发生自聚合的新型方法；热固性树脂组合物含有环氧化合物、镓化合物和硅醇源化合物。热固性树脂组合物的制造方法具有在环氧化合物中，混合镓化合物以及硅醇源化合物的步骤。树脂固化物的制造方法包含在镓化合物以及硅醇的存在下加热环氧化合物的步骤。使环氧化合物发生自聚合的方法的特征在于使用镓化合物以及硅醇作为催化剂。
热固性树脂组合制造方法固化以及氧化发生聚合

[发明专利]混合组合物-CN202080045564.0在审
发明人：樱井彩香;德田真芳 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C08K5/5415 文献下载
摘要：本发明提供有机硅化合物(A)与硅化合物(B)的混合组合物，上述有机硅化合物(A)是至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团键合于硅原子的有机硅化合物，上述硅化合物(B)为选自下述式(b)表示的硅化合物(b)及其缩合物(bb)中的1种以上的硅化合物，上述混合组合物的由GPC色谱而得到的色谱图中，来自上述有机硅化合物(A)和上述硅化合物(B)中的至少一者的化合物的标准聚苯乙烯换算的重均分子量Mw为2000
混合组合

[发明专利]环状硅氧烷化合物以及包含其的组合物-CN201680027815.6在审
发明人： M·E·维尔松;刘宇宙;S·E·戈-法列特;王云章;S·斯里瓦斯塔瓦 -专利权人：美利肯公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅氧烷化合物，其符合式(I)、(X)和(XX)之一的结构。本发明还涉及一种组合物，其包含(a)第一硅氧烷化合物，其选自符合式(X)的结构的化合物和符合式(XX)的结构的化合物；和(b)第二硅氧烷化合物，所述第二硅氧烷化合物包含多个硅氧烷重复单元，所述硅氧烷重复单元包括符合式(XL)结构的环三硅氧烷重复单元。
环状硅氧烷化合物以及包含组合

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200710109025.5有效
发明人：吴启明;林正堂;张志维;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极叠层；在邻接于该栅极叠层处形成含硅化合物应力源，其中该含硅化合物应力源还包括额外元素，该额外元素可与硅形成化合物；将在低温下不会形成硅化物的离子注入至该含硅化合物应力源内，以对该含硅化合物应力源的上部进行非晶化；当该含硅化合物应力源的上部为晶化态时，在该含硅化合物应力源上形成金属层；以及进行退火工艺，使得该金属层与该含硅化合物应力源反应而形成硅化物区。本发明利用具有分散锗的功能的PAI工艺，能够避免漏电流增加，减少不同硅化合物之间的厚度差异。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]制备烷氧基官能有机硅氧烷化合物的方法-CN202080062028.1有效
发明人： M-A·库特芒希;M·S·费理图;N·萨斯艾旺查隆 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08G77/18 文献下载
摘要：提供了一种制备烷氧基官能有机硅氧烷化合物的方法。该方法包括使(A)初始有机硅氧烷化合物和(B)醇组分在(C)催化剂和任选地(D)有机硅化合物的存在下反应，由此制备烷氧基官能有机硅氧烷化合物。该初始有机硅氧烷化合物(A)包含至少一个硅烷醇基团。该醇组分(B)包含有机醇。该催化剂(C)包含羧酸铵化合物。当利用时，该有机硅化合物(D)包含至少一个烷氧基甲硅烷基基团。还提供了包含根据该方法制备的烷氧基官能有机硅氧烷化合物的反应产物以及包含该反应产物和该烷氧基官能有机硅氧烷化合物的组合物。以增加的纯度低环含量由解聚制备烷氧基官能有机硅氧烷化合物和包含该烷氧基官能有机硅氧烷化合物的反应产物和组合物。
制备烷氧基官能有机硅化合物方法

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