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[发明专利]一种基于相衬成像的高能X射线CT装置及成像方法-CN202010191200.5在审
发明人： 章林文;刘进;夏连胜;张篁;阳庆国;李晶 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G01N23/046 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相衬成像的高能X射线CT装置及成像方法，所述高能X射线CT装置包括高能X射线源、样品台和成像装置；高能X射线源为高能X射线准点光源，为样品的照射光源，定向发射并辐照、透射样品；样品台用于放置样品，高能X射线源透过样品后，透射的X射线以波动方式传输并在样品后方的像平面处相干叠加而形成含相位与振幅信息的光子强度信息；成像装置设置在样品后方的像平面处，光子强度信息，并将光子强度信息转化成图像信号。本发明解决了现有基于高能X射线吸收衬度CT技术导致获取的CT图像质量不够理想，空间分辨率较差，尤其是获取的产品内部微小间隙的图像分辨率很低，微小间隙可见不可测，且难以辨别微缺陷的问题。
一种基于成像高能射线 ct 装置方法

[发明专利]内离子源回旋加速器-CN201610416387.8有效
发明人：何小中;赵良超;庞健;马超凡;张开志;邓建军;石金水;刘本玉;章林文;李雷;李劲;杨国君;杨兴林;杨振;荆晓兵;董攀;杨安民;江孝国;唐蜜;龙全红 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H05H13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
离子源回旋加速器

[发明专利]DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法-CN201410442285.4有效
发明人：李喜;李杰;谢宇彤;章林文;龙继东;董攀;蓝朝晖;杨振;王韬;彭宇飞;郑乐;何佳龙 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
dbd 低温等离子体产生装置聚合物薄膜表面处理方法

[发明专利]屏蔽体及屏蔽装置-CN201610521964.X在审
发明人：何小中;赵良超;庞健;马超凡;章林文;李雷;邓建军;石金水;刘本玉;张开志;李劲;李晓强;龙继东;魏涛;李洪;李成刚;陈宇航;李勤;王韬;王敏鸿 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽体，包括多个间隔设置的固体屏蔽层，相邻的固体屏蔽层之间设置有液体屏蔽层。屏蔽体由固体屏蔽层和液体屏蔽层组成，则可以预先制造固体屏蔽层，固体屏蔽层体积重量小，便于运输和安装，在将固体屏蔽层运输和安装到位后，即可在相邻的固体屏蔽层之间充入屏蔽液构成液体屏蔽层，如此降低屏蔽体的运输和安装难度。另外，液体屏蔽层能够填充固体屏蔽层之间的间隙，从而能够保障辐射屏蔽性能。本发明还公开了一种包含该屏蔽体的屏蔽装置。
屏蔽装置

[实用新型]屏蔽体及屏蔽装置-CN201620700215.9有效
发明人：何小中;赵良超;庞健;马超凡;章林文;李雷;邓建军;石金水;刘本玉;张开志;李劲;李晓强;龙继东;魏涛;李洪;李成刚;陈宇航;李勤;王韬;王敏鸿 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种屏蔽体，包括多个间隔设置的固体屏蔽层，相邻的固体屏蔽层之间设置有液体屏蔽层。屏蔽体由固体屏蔽层和液体屏蔽层组成，则可以预先制造固体屏蔽层，固体屏蔽层体积重量小，便于运输和安装，在将固体屏蔽层运输和安装到位后，即可在相邻的固体屏蔽层之间充入屏蔽液构成液体屏蔽层，如此降低屏蔽体的运输和安装难度。另外，液体屏蔽层能够填充固体屏蔽层之间的间隙，从而能够保障辐射屏蔽性能。本实用新型还公开了一种包含该屏蔽体的屏蔽装置。
屏蔽装置

[实用新型]内离子源回旋加速器-CN201620582990.9有效
发明人：何小中;赵良超;庞健;马超凡;张开志;邓建军;石金水;刘本玉;章林文;李雷;李劲;杨国君;杨兴林;杨振;荆晓兵;董攀;杨安民;江孝国;唐蜜;龙全红 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H05H13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
离子源回旋加速器

[实用新型]砷化镓光导开关的引线连接结构-CN201620567427.4有效
发明人：谌怡;吕璐;潘海峰;王卫;刘毅;叶茂;杨超;夏连胜;张篁;石金水;章林文;邓建军 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了砷化镓光导开关的引线连接结构，解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本实用新型包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过热风熔化焊锡膏（6）连接在开关电极（2）上。本实用新型具有提高砷化镓光导开关的成品率，降低制作成本，减小电极与引线的接触电阻，使电极与引线连接牢固，不出现尖端焊点等优点。
砷化镓光导开关引线连接结构

[发明专利]砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺-CN201610412978.8在审
发明人：谌怡;吕璐;潘海峰;王卫;刘毅;叶茂;杨超;夏连胜;张篁;石金水;章林文;邓建军 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺，解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本发明包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过热风熔化焊锡膏（6）焊接在开关电极（2）上。本发明具有提高砷化镓光导开关的成品率，降低制作成本，减小电极与引线的接触电阻，使电极与引线连接牢固，不出现尖端焊点等优点。
砷化镓光导开关引线连接结构以及焊接工艺

[发明专利]锅筒吊杆加工方法-CN201410756368.0在审
发明人： 章林文 -专利权人： 章林文
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明锅筒吊杆加工方法涉及机械加工领域，具体涉及锅筒吊杆加工方法，包括以下步骤：按图放样、划加热线；在毛胚加热区涂防氧化漆，吊杆螺纹区域已经加工好所以螺纹区域也应土耐火泥防止加热时损伤螺纹；加热，首先将热电偶固定用铁丝捆扎好，然后吊杆加热940℃-950℃，但不得超过950℃，终弯温度≥800℃毛胚加热时，必须用托架放平，试样随炉加热，加热时，炉内加三个支点用于支撑工件，起吊时，两个吊点各距两端1.3米处加热；热弯，采用钻用磨具弯曲工件，并控制终弯温度；本发明加工过程简单，降低加工难度，保证工件加工质量，降低生产成本，提高生产效率。
吊杆加工方法

[发明专利]大模数直尺圆锥齿轮铣削方法-CN201410755570.1在审
发明人： 章林文 -专利权人： 章林文
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： B23F5/20 文献下载
摘要：本发明大模数直尺圆锥齿轮铣削方法涉及机械加工领域，具体涉及大模数直尺圆锥齿轮铣削方法，包括以下步骤：大齿轮的装夹，大直径的直伞齿轮由于圆锥角较大，当用指形铣刀采用立铣的方式铣削时，则需用角度板和回转工作台进行装夹，装夹时，先将角度板安装在工作台上，用千斤顶调节好倾角，调好后，将回转工作台安装在角度板上，再在工件内孔和回转工作台孔中安装定位板，以保证工件中心与回转台中心重合，再用压板螺钉将工件固定在回转台工作台上，并检查齿面跳动是否符合要求；本发明加工过程简单，可保证工件加工质量，提高生产效率，降低生产成本，降低工人劳动强度。
大模数直尺圆锥齿轮铣削方法

[实用新型]多通道砷化镓光电导开关-CN201520001528.0有效
发明人：刘毅;潘海峰;叶茂;夏连胜;谌怡;王卫;张篁;石金水;章林文;刘云龙 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了多通道砷化镓光电导开关。所述的光电导开关中的绝缘基座上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓，砷化镓与绝缘基座固定连接，相邻的砷化镓之间的间距相等，并在绝缘基座上构成通道，砷化镓的两端齐平，绝缘介质设置在通道中。在砷化镓两端设置合金电极，砷化镓同一端的合金电极相互连接。本实用新型在合适的偏置电场和红外激光触发下，N个砷化镓中将产生M个导电通道（1<M≤N）；本实用新型的导通内阻为单通道光电导开关的1/M，可以明显改善光电导开关的导通特性。本实用新型的总发热功率为单通道光电导开关的1/M，每个导电通道的发热功率为单通道光电导开关的1/M²，大幅减少光电导开关的发热和热损伤，提高光电导开关的使用寿命。
通道砷化镓光电导开关

[发明专利]多通道砷化镓光电导开关-CN201510000901.5无效
发明人：刘毅;潘海峰;叶茂;夏连胜;谌怡;王卫;张篁;石金水;章林文;刘云龙 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了多通道砷化镓光电导开关。所述的光电导开关中的绝缘基座上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓，砷化镓与绝缘基座固定连接，相邻的砷化镓之间的间距相等，并在绝缘基座上构成通道，砷化镓的两端齐平，绝缘介质设置在通道中。在砷化镓两端设置合金电极，砷化镓同一端的合金电极相互连接。本发明在合适的偏置电场和红外激光触发下，N个砷化镓中将产生M个导电通道（1<M≤N）；本发明的导通内阻为单通道光电导开关的1/M，可以明显改善光电导开关的导通特性。本发明的总发热功率为单通道光电导开关的1/M，每个导电通道的发热功率为单通道光电导开关的1/M²，大幅减少光电导开关的发热和热损伤，提高光电导开关的使用寿命。
通道砷化镓光电导开关

[实用新型]一种300kV纳秒脉冲发生器-CN201420382670.X有效
发明人：刘毅;夏连胜;谌怡;王卫;张篁;杨安民;刘云龙;潘海峰;章林文;邓建军 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H02M9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种300kV纳秒脉冲发生器。所述的300kV纳秒脉冲发生器由十六个单级平板Blumlein脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板Blumlein脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统、高压二极管以及无感陶瓷电阻负载。所述的十六个单级平板Blumlein脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成300kV纳秒脉冲发生器。本实用新型能够获得十六倍于单级平板Blumlein脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出。实现削弱单级Blumlein脉冲形成线间的电路耦合和电磁耦合。
一种 300 kv 脉冲发生器

[发明专利]一种300kV纳秒脉冲发生器-CN201410329680.1无效
发明人：刘毅;夏连胜;谌怡;王卫;张篁;杨安民;刘云龙;潘海峰;章林文;邓建军 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H02M9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种300kV纳秒脉冲发生器。所述的300kV纳秒脉冲发生器由十六个单级平板Blumlein脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板Blumlein脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统、高压二极管以及无感陶瓷电阻负载。所述的十六个单级平板Blumlein脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成300kV纳秒脉冲发生器。本发明能够获得十六倍于单级平板Blumlein脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出。实现削弱单级Blumlein脉冲形成线间的电路耦合和电磁耦合。
一种 300 kv 脉冲发生器

[实用新型]用于材料表面处理的低温等离子电源-CN201420001338.4有效
发明人：王凌云;刘宏伟;李杰;李喜;章林文;李洪涛;王传伟;袁建强;姜苹;马勋;丁胜 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于材料表面处理的低温等离子电源，包括依次连接的交流变换单元、波形整形单元和材料表面处理单元。本实用新型的有益效果是：本实用新型的波形整形单元采用多原边变压器，能够输出多种前沿脉冲输出，再通过方波发生器的输出方波的调节脉宽，实现了频率0-50kHZ可调、电压0-50kV可调、脉宽1-100μs可调、上升沿300ns-15μs可调的单极性脉冲；本实用新型的输出电压为单极性，使得两个电极板之间放电非常均匀，对工件和电极板基本没有破坏性，保证了工件或材料的完整性，延长了电极板的使用寿命。
用于材料表面处理低温等离子电源

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