专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多晶二次加料装置及方法-CN201610825530.9在审
  • 赵向阳;陈强;肖祥凯 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2016-09-14 - 2018-03-20 - C30B35/00
  • 本发明提供了一种多晶二次加料装置及方法,多晶二次加料装置包括石英管、石英半球及石英柱,所述石英管为上下开口的圆管;所述石英半球位于所述石英管下方,所述石英半球的直径大于所述石英管直径;所述石英柱位于所述石英管内部,所述石英柱下端与所述石英半球连接。多晶二次加料方法的步骤如下多次向多晶二次加料装置中加入粒度较小的多晶或粒度较大的多晶与粒度较小的多晶组成的料;多次打开石英半球,每次放入一部分料。本发明通过把多晶二次加料装置下部设置石英半球,将钼丝置换成石英柱,防止石英半球破碎及钼丝对多晶料的污染。本发明采用梯度混合加料方法,减小多晶之间的间隙大小及数目,增大二次加料量。
  • 一种多晶二次加料装置方法
  • [发明专利]一种粘石英埚底料的回收方法-CN200810136391.4有效
  • 胡动力 - 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
  • 2008-12-08 - 2009-05-27 - C30B15/00
  • 本发明涉及半导体及太阳能领域的一种粘石英料的回收方法,特别应用于在处理埚底料中石英料的分离。一种粘石英埚底料的回收方法,将粘石英埚底料通过加热和冷却两个步骤,将石英料分离。本发明利用了石英的热膨胀系数的差异,由于的热膨胀系数系数大于石英,所以在加热和冷却过程中,使得石英料的接触面产生强大的热应力,在热应力作用下,石英料的接触面开裂,石英脱离料的表面,得到原料根据加热温度和冷却效果的不同,少量未能自动分离或手动剥离的粘石英埚底料,可通过进一步的振动磨、球磨、超声波振动等作用实现粘石英埚底料中料与石英的分离。
  • 一种石英埚底料回收方法
  • [实用新型]料复投装置-CN202222137270.X有效
  • 关成;闫广宁;王怡然 - 包头晶澳太阳能科技有限公司
  • 2022-08-15 - 2023-01-20 - C30B15/02
  • 本申请涉及一种料复投装置,料复投装置包括:石英筒,其两端开口,且外侧壁上设置有定位环;石英锥,其设置在石英筒的下端开口处,将石英筒的下端开口封闭以围合形成储料空间并且部分伸出石英筒的外部;吊具,其设置在石英筒外,并与石英锥位于石英筒外部的部分连接;其中,在石英筒通过定位环固定在指定位置后,吊具控制石英锥升降,以打开或封闭石英筒的下端开口,以对储料空间内的料进行卸料。本申请提供的料复投装置,通过将吊具设置石英筒外,可以避免吊具对料复投装置的储料空间进行划分,因此其可以用于存放粒径较大的料,而无需对料进行进一步地切割,进而可以降低料受到污染的风险,并达到降低成本的目的
  • 硅料复投装置
  • [发明专利]提拉用增氧石英坩埚、其制备设备和方法-CN202210717949.8有效
  • 王建军;李卫;李常国;何玉鹏;邓红 - 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
  • 2022-06-23 - 2023-09-29 - C30B15/10
  • 本发明涉及一种晶提拉用增氧石英坩埚,包括透明层和气泡层,透明层位于气泡层内侧,气泡层外侧设置多个相间的凸起部。在高温下拉制晶过程中,石英坩埚的凸起部与单晶炉内的石墨坩埚内壁相接触,当石英坩埚的温度达到1100‑1200°后,石英坩埚开始由脆性变为蠕变性状态,软化状态的石英坩埚受到逐渐熔化的多晶料的朝外挤压,同时软化状态的石英坩埚外侧的凸起与石墨坩埚接触,使石英坩埚的外表面逐渐贴合在石墨坩埚内表面,石英坩埚凸起部将促使石英坩埚内表面产生内凸起,内凸起将增大石英坩埚与溶的接触面,同时内凸起将增加溶石英坩埚的冲刷,促进石英坩埚中氧元素分解至溶中,提升晶中的整体氧含量和尾部氧含量。
  • 晶硅提拉用增氧石英坩埚制备设备方法
  • [实用新型]单晶炉连续拉晶设备-CN202220604982.5有效
  • 郭大伟;陈辉;魏松涛;赵智强 - 北京京运通科技股份有限公司
  • 2022-03-18 - 2022-10-14 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及单晶生产技术领域,公开了一种单晶炉连续拉晶设备,该设备包括石英外埚、石英内埚、加热机构、加料机构以及拉晶机构;其中,加料机构用于向石英外埚的腔体中输送固态散料;加热机构用于对石英外埚的底部进行加热,以令固态散料转化成液态石英内埚具有一个开孔,开孔沿竖直方向贯穿石英内埚;在水平方向上:石英内埚位于石英外埚的腔体的中部;在竖直方向上:石英内埚的顶部位于液态的液面之上,石英内埚的底部位于液态的液面之下,且石英内埚的底部与石英外埚的底部之间存在间隙;拉晶机构包括软轴,软轴用于与液面接触以形成晶体,且软轴在石英内埚上的正投影被开孔完全覆盖。
  • 单晶炉连续设备
  • [发明专利]单晶的提拉方法-CN201880027700.6有效
  • 安部贵裕 - 胜高股份有限公司
  • 2018-02-15 - 2021-09-07 - C30B29/06
  • 单晶的提拉方法,该提拉方法是通过直拉法从在石英坩埚内使结晶用原料熔融而得到的熔融液中提拉并培育单晶,其中,当石英坩埚的内壁为合成石英层时,在石英坩埚内填充结晶用原料之前,在石英坩埚内壁的底面、或者底面和侧面的双方涂布含有析晶促进剂、增稠剂和溶剂的凝胶状液体,而当石英坩埚的内壁为天然石英层时,在石英坩埚内填充结晶用原料之前,在石英坩埚内壁的底面和侧面的双方涂布凝胶状液体。
  • 单晶硅方法
  • [实用新型]石英埚盖-CN201521016983.4有效
  • 宋都明;孙毅;王林;张颂越 - 天津市环欧半导体材料技术有限公司
  • 2015-12-09 - 2016-05-25 - C30B15/10
  • 本实用新型公开了一种用于直拉单晶石英埚的石英埚盖。石英埚盖上设有用于单晶生长的中心孔,石英埚盖的下沿内表面与石英埚上端外表面紧密配合。通过对石英埚头部增加石英埚盖,可以有效的减少AR(氩气)进入石英埚内的含量,从而减少液面SiO的挥发速度,增加单晶的氧含量。常规采用没有石英埚盖制备单晶的氧含量为9-11E16atm/cm3,而增加本石英埚盖后,制备单晶的氧含量为15-17E16 atm/cm3
  • 石英

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