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- [发明专利]矩形平面磁控靶-CN201010168770.9无效
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黄国兴
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赫得纳米科技(昆山)有限公司
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2010-05-11
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2010-12-29
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C23C14/35
- 本发明公开了一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于：在靶材本体的两端向内凹陷形成避让台阶。本发明涉及溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及一种改进型的矩形平面磁控靶结构。本发明解决了现有磁控溅射薄膜过程中，中性的靶原子(或分子)容易沉积于矩形平面磁控靶的阴极与阳极间形成导电薄膜，造成短路现象发生的问题。本发明的矩形平面磁控靶内凹陷形成避让台阶，有效的增加了矩形平面磁控靶靶材阴极与阳极间的距离，能避免矩形平面磁控靶的阳极与阴极间形成导电薄膜，节约了因频繁维护靶材而付出的动力成本及设备停机时间，提高了生产效率
- 矩形平面磁控靶
- [实用新型]矩形平面多弧靶-CN03249251.0无效
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常建;陈佳;常鸿;常江;陈志能
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常建
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2003-06-27
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2004-07-07
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C23C14/28
- 一种矩形平面多弧靶，包括绝缘盒、屏蔽板、磁体固定板、靶固定框、磁体、阴极靶、进水管、出水管。阴极靶的形状为矩形平面板，使磁场分量在矩形平面靶表面形成一个矩形磁环跑道。由于阴极靶的形状改变，靶固定框为与阴极靶相匹配的矩形框，绝缘盒为与靶固定框相匹配的矩形盒，磁体固定板为与绝缘盒相匹配的矩形板。此种矩形平面多弧靶不仅刻蚀区域大，镀膜均匀区宽，镀膜工艺重复性好，而且一台镀膜机仅需配置一个，操作者只需引一次弧，关注一个弧源的放电情况，因而镀膜机整机造价降低，操作更为方便。
- 矩形平面多弧靶
- [发明专利]具有交替电磁场的矩形平面磁控靶-CN201010168812.9无效
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黄国兴
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赫得纳米科技(昆山)有限公司
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2010-05-11
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2011-01-05
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C23C14/35
- 本发明公开了一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，涉及溅射镀膜设备技术领域，包括靶材本体，其特征在于：还包括磁体，所述磁体设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉设置。本发明解决了现有技术矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性，造成靶材利用率较低，靶材利用率在30％左右，同时永磁体磁性稳定性较差的问题，本发明提供了一种结构简单，使用方便，能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶靶材利用率可提升到65％左右，降低了靶材成本，延长换靶周期降低停机时间。同时本发明采用电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象，能够稳定产品的品质，节约了成本。
- 具有交替电磁场矩形平面磁控靶
- [实用新型]具有交替电磁场的矩形平面磁控靶-CN201020186323.1有效
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黄国兴
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赫得纳米科技(昆山)有限公司
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2010-05-11
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2011-01-12
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C23C14/35
- 本实用新型公开了一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，涉及溅射镀膜设备技术领域，包括靶材本体，其特征在于：还包括磁体，所述磁体设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉设置。本实用新型解决了现有技术矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性，造成靶材利用率较低，靶材利用率在30％左右，同时永磁体磁性稳定性较差的问题，本实用新型提供了一种结构简单，使用方便，能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶靶材利用率可提升到65％左右，降低了靶材成本，延长换靶周期降低停机时间。同时本实用新型采用电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象，能够稳定产品的品质，节约了成本。
- 具有交替电磁场矩形平面磁控靶
- [发明专利]一种用于磁控溅射的高纯镍靶材-CN200810010809.7无效
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李洪锡
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沈阳金纳新材料有限公司
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2008-03-31
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2009-10-07
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C23C14/35
- 一种用于磁控溅射的高纯镍靶材，在平面靶的溅射面或者背面表面带有均匀形状或者非均匀形状环形溅射环，溅射环典型的形状包括矩形、圆角矩形、八边矩形、双半圆矩形、六边矩形、椭圆形；沟槽位于靶材背后磁铁的正上方位置，沟槽的典型形状为矩形槽、U型槽、V型槽、上矩形下梯形槽、上宽下窄的梯形槽，或者上宽下窄双矩形槽；溅射环外部沟槽是台阶形状。本发明的优点：本发明克服磁控溅射铁磁性靶材的磁屏蔽问题、侵蚀后磁场分布不均问题和横向侵蚀不均靶材利用率低的问题。克服有磁性纯镍靶材厚度限制；大大降低了纯镍靶材磁场随磁控溅射过程变化的问题，改善镀膜的均一性；均衡了溅射环的刻蚀深度，大大提高了纯镍靶材利用率。
- 一种用于磁控溅射高纯镍靶材
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