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[发明专利]一种真空热压烧结炉-CN201210303704.7无效
发明人：李荣华 -专利权人：苏州工业园区杰士通真空技术有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： F27B5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空热压烧结炉，主要为炉体，其特征在于：所述炉体内沿工序前进方向上依次设置有预装料室、热压烧结室和冷却出料室，所述预装料室和热压烧结室间以及热压烧结室和冷却出料室间均设置有真空闸板阀。通过在炉体内设置预装料室、热压烧结室和冷却出料室三室，且两相邻室之间由真空闸板阀进行隔离，使得各室间实现独立抽真空。在整个生产过程中，热压烧结室始终可以保持在高温状态，当烧结完毕后，打开真空闸板阀，将烧结完毕的工件送入冷却室，在将预装料室装好的料送入热压加热室加热。
一种真空热压烧结炉

[实用新型]一种真空热压烧结炉-CN201220422862.X有效
发明人：李荣华 -专利权人：苏州工业园区杰士通真空技术有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： F27B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空热压烧结炉，主要为炉体，其特征在于：所述炉体内沿工序前进方向上依次设置有预装料室、热压烧结室和冷却出料室，所述预装料室和热压烧结室间以及热压烧结室和冷却出料室间均设置有真空闸板阀通过在炉体内设置预装料室、热压烧结室和冷却出料室三室，且两相邻室之间由真空闸板阀进行隔离，使得各室间实现独立抽真空。在整个生产过程中，热压烧结室始终可以保持在高温状态，当烧结完毕后，打开真空闸板阀，将烧结完毕的工件送入冷却室，在将预装料室装好的料送入热压加热室加热。
一种真空热压烧结炉

[发明专利]一种真空热压烧结制备钴铬合金固定义齿、活动义齿的方法-CN202111627995.0在审
发明人：姜勇;胡玉;梁廷禹;顾建东 -专利权人：南通金源智能技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空热压烧结制备钴铬合金固定义齿、活动义齿的方法，属于义齿制备技术领域。本发明将钴铬合金微粉进行真空热压烧结成型，得到钴铬合金固定义齿，还包括对所得真空热压烧结成型产物进行常压烧结，得到钴铬合金活动义齿。本发明采用真空热压烧结成型的方式，具有制备方法简单，成本低廉，生产效率高的优势，能实现钴铬合金义齿的批量生产。在真空热压烧结成型的过程中，钴铬合金粉末烧结颈长大，孔洞闭合，形成连续的基体，在晶界扩散机制下，孔洞收缩闭合，材料的致密度、强度、延伸率均满足固定义齿的使用要求。通过常压烧结，致密性进一步增加，材料的塑韧性增强，延伸率增加，满足活动义齿的使用要求。
一种真空热压烧结制备合金固定义齿活动方法

[发明专利]一种双连续相PTFE/金属复合材料及其制备方法-CN202310719657.2在审
发明人：傅丽华;周孟;张文凯;付壁聪;魏超凡;杜三明;张永振;郑成林;花铝东;李欢 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B29C70/58 文献下载
摘要：本发明的制备方法包括以下步骤：在三维网状金属骨架材料的孔道中填充PTFE，然后压制成型得到坯料，再将坯料进行真空热压烧结，冷却；所述真空热压烧结的温度小于PTFE在所述真空热压烧结的真空度下的沸点。本发明的制备方法将PTFE(聚四氟乙烯)填充到三维网状骨架材料的孔道后进行真空热压烧结，可明显降低烧结温度、缩短烧结时间、减少氧化反应，并提高双连续相PTFE/金属复合材料的制备效率和使用性能。
一种双连 ptfe 金属复合材料及其制备方法

[发明专利]一种真空热压烧结炉-CN202210993509.5在审
发明人：林永峰;林航;时金山 -专利权人：洛阳埃里克机械装备科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： F27B5/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空热压烧结炉，包括热压烧结炉体，还包括设置在所述热压烧结炉体一侧的用于对热压后产品进行冷却的循环冷却机构，所述热压烧结炉体、所述循环冷却机构上侧设置有用于对产品进行转运的移动支撑机构。本发明通过移动支撑机构对加工产品热压后移动到循环冷却机构里，通过循环冷却机构的进气管接通冷气源，在连通管、环形管、回流管、送风扇、冷凝箱内循环流动对产品进行降温冷却，同时真空热压炉对待加工产品进行再次加工，使产品加工循环进行，避免了真空热压炉的冷却降温，提高了加工效率，利于批量生产。
一种真空热压烧结炉

[发明专利]钨钛靶材的制作方法-CN201210495237.2有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;杨广 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨钛靶材的制作方法，在该方法中，将钨钛合金粉末装入真空热压烧结模具中之后，先对位于真空热压烧结模具边缘区域的钨钛合金粉末进行第一压实，然后再对整个钨钛合金粉末进行第二压实，经过第一压实及第二压实之后可以使得钨钛合金粉末将真空热压烧结模具的各个区域完全填满，因此经过真空热压烧结之后所获得的钨钛靶材坯料边缘部位不会存在密度不足、气孔等缺陷。
钨钛靶材制作方法

[发明专利]一种钌酸锶材料及其制备方法与应用-CN202111047873.4有效
发明人：李宗雨;丘立安;梁放;韩正非;鲁波 -专利权人：南京先锋材料科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：该制备方法包括：对钌酸锶材料的制备原料进行真空热压烧结，真空热压烧结条件包括：真空度≤10‑3Pa，热压温度为600‑850℃，热压压力为58.5‑100MPa，热压时间为3‑3.5h。采用上述条件进行真空热压烧结，可制得具有高致密度、高纯度以及严格原子比例的钌酸锶材料。上述钌酸锶材料可用于加工溅射靶材等，在溅射过程中，有利于降低颗粒缺陷，提高产品品质。
一种钌酸锶材料及其制备方法应用

[发明专利]致密W-Cu复合材料的低温制备方法-CN201010566861.8有效
发明人：沈强;陈平安;罗国强;张联盟;王传彬;李美娟;刘书萍 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：复合材料的低温制备方法，该方法是；采用Zn粉作为添加剂，将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%，Cu=25.0%~90.0%，Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料，然后放入真空热压炉中，按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料，所述真空热压烧结工艺为：真空度为1×10-3~1×10-4Pa，烧结温度为700℃~900℃，保温时间为1~4h，施加压力大小为80~本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料，具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。
致密 cu 复合材料低温制备方法

[发明专利]一种半导体功率器件多工位热压烧结方法-CN202310092640.9在审
发明人：周轶靓;陈慧龙;王斌;朱凯;张鹏 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件多工位热压烧结方法，涉及半导体加工领域，旨在解决预压和热压同步进行的问题，其技术方案要点是：S1)上料：利用热压烧结机的夹爪夹住器件，升降旋转臂通过正反旋转，将器件依次移动到工位载物台上；S2)抽真空：在热压烧结设备内部抽真空；S3)预热及预压：开启各工位载物台的加热板，压合结构下降，进行预压；S4)保压烧结：升温并且加压，进行保压烧结；S5)冷却出料：烧结完成后泄真空、开启冷却循环降温本发明的一种半导体功率器件多工位热压烧结方法能够先进行预热预压，然后再进行保压烧结，可靠性高。
一种半导体功率器件多工位热压烧结方法

[发明专利]一种低能耗热压生产氮化硼基陶瓷的方法和装置-CN201910214433.X在审
发明人：杨怀超;姚惠龙;刘国辉;熊宁 -专利权人：安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：本发明公开了一种低能耗热压生产氮化硼基陶瓷的方法，该方法依次包括：抽真空步骤：对装有氮化硼基陶瓷原料的炉体进行抽真空；充入保护气氛步骤：向抽真空后的所述炉体内充入保护气；升温烧结步骤：对所述炉体内的所述氮化硼基陶瓷原料进行升温、热压烧结，得到氮化硼基陶瓷；本方法可节约10～50％电能消耗，减少设备的维护和维修成本，制备具有优异的性能的氮化硼基陶瓷材料。本发明还公开了一种低能耗热压生产氮化硼基陶瓷的装置，包括：烧结系统，用于对原料进行烧结得到氮化硼基陶瓷；抽真空系统，所述抽真空系统和烧结系统相连通，用于对烧结系统抽真空；充气系统，所述充气系统和烧结系统相连通，用于对烧结系统充气。
氮化硼基陶瓷烧结系统抽真空热压生产低能耗抽真空系统充气系统电能消耗体内方法和装置维护和维修减少设备热压烧结烧结步骤烧结保护气炉体充气制备节约

[实用新型]真空离子热压炉-CN200820218323.8有效
发明人：赵泉;夏郁秋;王铭英 -专利权人：锦州航星真空设备有限公司
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： F27B5/05 文献下载
摘要：一种真空离子热压炉，包括炉体、炉盖、上下水冷压头、上下进电水冷电极、真空系统、电控单元，其特殊之处是：在炉体外面设有等离子电源，所述的等离子电源输出端通过导线与上、下进电水冷电极连接。优点是：发热快、传热快，烧结或热压升温快、时间短，有利于在较低温度热压或烧结，热压、烧结温度低，成本低。
真空离子热压

[发明专利]一种荧光粉和透明陶瓷共烧结的工艺方法-CN201010585803.X无效
发明人：黄金鹿;缪应明 -专利权人：黄金鹿
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种荧光粉和透明陶瓷共烧结的工艺方法，将荧光粉与透明陶瓷粉体掺杂共烧形成透明荧光陶瓷，分为无压烧结工艺和真空热压烧结；无压烧结工艺：将压制成型和烧结工艺分开进行，先将粉体冷压成型，之后进行素烧以去除一些添加剂，再在真空、氢气或其他惰性气体条件下进行高温烧结；真空热压烧结：成型和烧结在同一工序完成，先将粉体放入模具冷压成型，然后将成型样品放入真空热压炉进行热压烧结，所得制品再放入热等静压炉内高温、高压下进行后处理
一种荧光粉透明陶瓷烧结工艺方法

[实用新型]推舟式真空电阻直热式热压连续烧结炉-CN99213701.2无效
发明人：孙立言;代庆云;孙志勇;孙志伟 -专利权人：孙立言
申请日： 1999-06-10 - 公布日： 2000-04-26 - 主分类号： F27B9/04 文献下载
摘要：本实用新型为一种推舟式真空电阻直热式热压连续烧结炉。本实用新型的烧结炉包括三个相邻的真空室,推舟式连续进出料机构和热压烧结机构。所述真空室分别为预备真空室13,烧结真空室5和冷却真空室2;所述推舟式连续进出料机构由分别安装在预备真空室13、烧结真空室5和冷却真空室2中的链条拨动推舟机构35、36、37和滚轮轨道3组成;所述热压烧结机构的压力中心与烧结真空室5的中轴线O－O相重合,由紧贴在烧结真空室5的炉壳34顶部上的上钣7,紧贴在炉壳34底部的下钣17,将上钣7与下钣17和烧结真空室5紧固在一起的四个立柱6组成。
推舟式真空电阻直热式热压连续烧结炉

[发明专利]一种荧光粉和透明陶瓷掺杂共烧的工艺方法-CN201110157058.3无效
发明人：徐晓峰 -专利权人：徐晓峰
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：一种荧光粉和透明陶瓷掺杂共烧的工艺方法，将荧光粉与透明陶瓷粉体掺杂共烧形成透明荧光陶瓷，分为无压烧结工艺和真空热压烧结；无压烧结工艺：将压制成型和烧结工艺分开进行，先将粉体冷压成型，之后进行素烧以去除一些添加剂，再在真空、氢气或其他惰性气体条件下进行高温烧结；真空热压烧结：成型和烧结在同一工序完成，先将粉体放入模具冷压成型，然后将成型样品放入真空热压炉进行热压烧结，所得制品再放入热等静压炉内高温、高压下进行后处理
一种荧光粉透明陶瓷掺杂工艺方法

[发明专利]半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法-CN201110149666.X有效
发明人：于洋;赖亚洲;庄志刚;杨福民;郑艾龙;石涛 -专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法，是采用了氢化钛代替传统的部分纯钛，并将钨粉、钛粉和氢化钛粉按一定的质量比置于三维混料器中，在一定的转速条件下混合得到钨钛合金粉末，而后把填充好钨钛合金粉末的模具放入真空热压烧结炉内进行烧结处理来得到真空热压烧结毛坯，在对真空热压烧结毛坯进行尺寸切割后，再把真空热压烧结毛坯置于真空退火炉内进行退火处理，最后，使用超声波清洗机清洗靶材表面，由此得到成分和密度完全符合要求的钨钛合金靶。
半导体太阳能溅射行业钛合金制备方法

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