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- [发明专利]多电平单元（MLC）交叉点存储器-CN202011452135.3在审
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S·兰格恩;K·潘加尔
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英特尔公司
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2020-12-10
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2021-09-28
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G11C13/00
- 多电平单元(MLC)交叉点存储器单元可以每单元存储多于1位。在一个示例中，可以通过独立地改变开关元件和存储器元件的状态来实现用于交叉点存储器的MLC写入操作。该存储器单元可以被编程到多种状态，例如高阈值电压状态(其中，存储器元件和开关元件两者呈现高阈值电压或电阻)、低阈值电压状态(其中，存储器元件和选择元件两者呈现低阈值电压或电阻)、以及一种或多种中间电阻状态在一个示例中，可以通过将开关元件和存储器元件设置成相反状态(例如，开关元件和存储器元件中的一个处于高电阻状态，并且另一个处于低电阻状态)或者通过将开关元件和存储器元件两者置于不同的中间状态，来编程附加电阻状态
- 电平单元mlc交叉点存储器
- [发明专利]存储器件-CN202210042789.1在审
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中山昌彦;须之内一正
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铠侠股份有限公司
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2022-01-14
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2022-09-20
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G11C16/08
- 实施例提供了一种能够执行高效读取操作的存储器件。根据一个实施例，一种存储器件包括存储器基元阵列，其中分别包括可变电阻存储器元件的多个存储器基元被划分为多个存储器块，所述多个存储器基元包括位于同一存储器块中的第一存储器基元和第二存储器基元；以及检测电路在第一存储器基元为读取目标的读取操作期间，检测电路将第一电阻值与第二电阻值进行比较，并且基于第一电阻值是否高于或低于第二电阻值来确定存储在第一存储器基元中的数据的值，第一电阻值是第一存储器基元中的可变电阻存储器元件的电阻值，第二电阻值是第二存储器基元中的可变电阻存储器元件的电阻值。
- 存储器件
- [发明专利]磁性随机存取存储器-CN01120714.0无效
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H·舒斯特尔－沃尔丹;S·施瓦茨尔
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因芬尼昂技术股份公司
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2001-04-12
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2001-11-14
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G11C11/15
- 一种MRAM存储器,它具有一包括磁致电阻存储器元件(6a,6b)的存储器单元阵列(2),上述磁致电阻存储器元件设置在半导体衬底上(4)的至少一个存储器单元层中;字线(7)和位线(8,9),用于与存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b)相连接,和一驱动逻辑装置(5a,5b,5c),用于通过字线和位线(7,8,9)驱动存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b),该驱动逻辑装置(5a,5b,5c)集成在半导体衬底(4)中和其上的存储器单元阵列(2)的下面。
- 磁性随机存取存储器
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