“电阻器阵列”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8968796个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硬件加速器和混合电阻器忆阻器交叉开关阵列电路-CN202110395885.X有效
发明人： J·C·安布罗西;A·C·W·达库尼亚;J·R·A·卡瓦尔坎蒂 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：提供了用于实现混合电阻器‑忆阻器交叉开关阵列的系统，该混合电阻器‑忆阻器交叉开关阵列允许在实现神经网络的权重矩阵中使用柔性电导。混合电阻器‑忆阻器交叉开关阵列可以包括电阻器交叉开关，每个电阻器具有静态电导值。混合电阻器‑忆阻器交叉开关阵列还可以具有耦接至与电阻器交叉开关阵列相关联的输出线的忆阻器，其中忆阻器具有可变电导值，以及进一步地，其中静态电导值和可变电导值被设置以计算与神经网络的权重矩阵相关联的矩阵‑相应地，电阻器交叉开关阵列中的电阻器的静态电导值被设置成等于DCT的已知系数的值。
硬件加速器混合电阻器忆阻器交叉开关阵列电路

[发明专利]具有不同RA TMR膜的磁传感器阵列-CN202080006966.X在审
发明人：郑元凯;C·凯撒;刁治涛;胡志清;钱震中;王勇鸿;万渡江;周荣辉;毛明;姜明;D·毛里 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-03-22 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开整体涉及具有四个电阻器的惠斯通电桥阵列。每个电阻器包括多个TMR结构。两个电阻器具有相同的TMR结构。其余两个电阻器也具有相同的TMR结构，但该TMR结构不同于其他两个电阻器。另外，与具有相同TMR结构的其余两个电阻器相比，具有相同TMR结构的该两个电阻器具有不同电阻面积。因此，该惠斯通电桥阵列的工作偏置场非零。
具有不同 ra tmr 传感器阵列

[发明专利]在快擦写EEPROM中编程及过擦除更正模式中弱化位线漏电流的电路装置-CN00811545.1有效
发明人：科林·比尔;S·S·海德特;J·苏溪彰;陈为汉 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2000-08-01 - 公布日： 2002-09-11 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以在编程和过度擦除操作中弱化位线漏电流的方法和一种快擦写存储器元件。快擦写存储器单元排列在I/O区块的阵列中,而I/O区块中有许多行和许多列。在共同阵列的源极连接和接地之间连接着一个电阻器阵列。电阻器阵列包含一组电阻器,每一组电阻器有一个编程模式电阻器和一个APDE模式电阻器。当一条字线选择成编程或APDE的模式时,有一个数据缓冲器可以将一个编程模式电阻器或一个APDE模式电阻器切换至线路当中。这些电阻器的电阻值的选择,是为了使源极上的电压提升至存储器单元的所选择的门限电压之上,所以在编程或APDE时,过度擦除的存储器单元不会提供漏电流至位线。
擦写 eeprom 编程擦除更正模式弱化漏电电路装置

[发明专利]集成加热器和传感器系统-CN201680063548.8有效
发明人：雅各布·林德利;卡尔·斯汪森 -专利权人：沃特洛电气制造公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H05B1/02 文献下载
摘要：热阵列系统包括多个电阻器电路，多个电阻器电路限定了电阻器电路的数量R
电阻器电路电源线信号线传感器系统电源线连接集成加热器信号线连接节点连接节点限定阵列系统热系统感测

[发明专利]电子装置以及电子装置的认证方法与形成方法-CN202210048512.X在审
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：电阻随机存取存储阵列包括多个存储器单元。每个存储器单元包括环绕式栅极晶体管和电阻器装置。电阻器装置包括第一电极，第一电极包括多个导电奈米片。电阻器装置包括围绕导电奈米片的高介电常数电阻元件。电阻器装置包括通过电阻元件与导电奈米片分离的第二电极。电阻随机存取存储阵列用于产生物理不可复制函数资料。
电子装置以及认证方法形成

[发明专利]心脏监测系统和方法-CN202080052959.3在审
发明人：艾兹格·康斯坦特·彼得·施密特斯;达妮埃莱·拉伊泰里;J·范登布兰德 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： A61B5/0205 文献下载
摘要：一种心脏监测系统(100)，该心脏监测系统包括：力敏电阻器(10)的阵列，该力敏电阻器的阵列横跨传感器表面(50)。每个电阻器(10)被配置为根据对象(200)在力敏电阻器(10)的相应位置处施加在传感器表面(50)上的静态压力(P)的量来改变相应的电阻值(R)。压电换能器(20)的阵列散布在力敏电阻器(10)的阵列之中。每个换能器(20)被配置为根据对象(200)在换能器(20)的相应位置处施加在传感器表面(50)上的相应振动(F)来生成相应的时间相关的电信号(S)。控制器(30)被配置为根据力敏电阻器(10)的测量电阻值(R)与压电换能器(20)的时间相关的电信号(S)的组合来确定对象(200)的心率(H1)。
心脏监测系统方法

[发明专利]重对齐方法、重对齐装置以及重对齐系统-CN202210009825.4在审
发明人：蔡宗宪;沈瑞滨;张智贤;谢正祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本揭示文章揭露了一种可程序化调节器压控环形振荡器的重对齐方法、重对齐装置以及重对齐系统。重对齐方法包含以下步骤。基于一个或多个调控字串对电阻器组阵列的可变电阻进行设定。从锁相回路电路接收一个电压，此电压由耦合到电阻器组阵列的运算放大器接收。基于锁相回路电路与电阻器组阵列之间电压的比较，由电阻器组阵列产生第一信号。基于第一信号控制耦接至电阻器组阵列的环形振荡器的操作。重对齐电路以第一信号重对齐环形震荡器的波形相位。
对齐方法装置以及系统

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201910575237.5在审
发明人：威凯特玛娜·安格萨尼;林智薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开存储器装置及其操作方法。所述存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；补偿电阻器，电连接到存储器单元阵列。补偿电阻器可生成单元电流，其中，单元电流补偿与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元连接的信号线的寄生电阻器中生成的电压降。补偿电路可在接收到与存储器单元对应的地址时控制补偿电阻器的电阻的大小。补偿电路可基于将补偿电阻器的电阻的大小调节为基本等于寄生电阻器的电阻值来增大单元电流的大小。
存储器单元补偿电阻器电阻存储器单元阵列寄生电阻器补偿电路单元电流存储器装置公开存储器大小调节控制补偿生成单元电连接电压降电阻器信号线

[发明专利]半导体存储装置的有源电阻器阵列-CN202211444569.8在审
发明人：朴安洙;金雅兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储装置的有源电阻器阵列，所述有源电阻器阵列包括：第一有源电阻器，在第一有源电阻器区中；第二有源电阻器，在第一有源电阻器区中并且与第一有源电阻器平行布置，隔离元件层置于第一有源电阻器与第二有源电阻器之间；第三有源电阻器，形成在第二有源电阻器区中；第一选择晶体管，形成在第一选择晶体管区中并且连接到第二有源电阻器；以及第二选择晶体管，形成在第二选择晶体管区中并且连接到第三有源电阻器。由于示例实施例可以帮助确保布局图案的均匀性，因此由于工艺变化的减少而可以改善有源电阻的分布。
半导体存储装置有源电阻器阵列

[发明专利]记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的操作方法-CN202210133194.7在审
发明人：林钲峻;苏晋毅;曾珮玲;邹宗成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在一些态样中，记忆体装置包含第一电压调节器，用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压；耦接至第一电压调节器以提供抑制电压至记忆体阵列的电阻器网络，其中电阻器网络包含多个电阻器，且其中电阻器中的各者串联并耦接至多个电阻器中的相邻者；及包含多个开关的开关网络，其中开关中的各者耦接至多个电阻器中的相应者且透过第二电压调节器耦接至记忆体阵列。
记忆体装置系统以及操作方法

[发明专利]智能FET电路-CN201280052124.3有效
发明人： S·巴塔利亚 -专利权人：佛森技术公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种照明模块具有至少一个固态照明元件阵列、有用于固态照明元件阵列的强度控制电压输入的可变电阻器和电气连接到可变电阻器的输出的稳压器，所述可变电阻器具有电气连接到固态照明元件阵列的输入的输出，所述稳压器具有连接到固态照明元件阵列的输入的输出
智能 fet 电路

[发明专利]电压到电流转换器-CN201580049800.5有效
发明人：杜立;李相民;D·塞奥 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种转换器，包括：具有第一和第二输入端子以及输出端子的放大器，第一输入端子被配置成接收参考电压；被配置成生成调谐电压的电阻器阵列；以及耦合至放大器的第二输入端子和电阻器阵列的第一多个开关，第一多个开关被配置成通过选择电阻器阵列中的至少一个电阻器以连接至放大器的第二输入端子来调节放大器的增益
电压电流转换器

[发明专利]伽玛基准电压产生电路和具有这种电路的平板显示器-CN200510128811.0有效
发明人：柳映旭 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：伽玛基准电压产生电路包括电阻器阵列，该阵列包括多个串联在电压电平不同的两个电源电压之间的电阻器。电阻器阵列通过所述多个电阻器对所述两个电源电压之间的电压进行分压并输出经过分压的电压。伽玛基准电压产生电路还包括多个第一电容器，它们分别连接在各对相邻电阻器之间所设公共节点与所述两个电源电压之一之间。此外，多个第二电容器分别并联到所述各电阻器，以稳定伽玛基准电压。
基准电压产生电路具有这种平板显示器

[发明专利]一种半导体功率转换设备的集成栅极电阻器-CN202110429569.X有效
发明人：许潇玲 -专利权人：深圳市高微科电子有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率转换设备的集成栅极电阻器，包括：有源控制器区：包括多个半导体器件组成多条路径阵列，其中，所述路径阵列之间设置有阵列连接器，所述半导体器件含有栅极电极；栅极区：包含多个电阻器生成与所述路径阵列对应的电阻器网络，所以电阻器网络设置于具有栅极金属的柔性电路板上；总线区：用于通过具有线路开关的总线连接所述柔性电路板和阵列连接器；控制区：用于连接所述阵列连接器、柔性线路板和线路开关，并通过云端控制器获取所述柔性线路板的功率信息，生成功率转换决策图，控制阵列连接器和线路开关。
一种半导体功率转换设备集成栅极电阻器

[发明专利]基于电阻分压阵列的数模转换器-CN202211067929.7在审
发明人：葛新渊;王虎;曹俊杰;刘荣亮 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于电阻分压阵列的数模转换器，包括电阻分压阵列，采用最高有效位电阻串和最低有效位电阻串两级级联；最高有效位电阻串采用2M+1个电阻器串联，最低有效位电阻串采用2N‑1个电阻器串联，M和N均为正整数；最高有效位电阻串的第一端耦接参考电压端，最高有效位电阻串中除了第一端对应的电阻器之外的其他电阻器的阻值相等，最低有效位电阻串耦接至最高有效位电阻串中除第一端对应的电阻器外的其他电阻器中任一电阻器的两端，最低有效位电阻串和最高有效位电阻串中电阻器的阻值对应相等。本公开避免了最低有效位电阻串耦接的最高有效位电阻串中的电阻器移动时相邻的两个模拟电压差值发生跳变的现象，不会产生非线性问题。
基于电阻压阵数模转换器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条