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[实用新型]芯片封装凸块结构-CN201020002474.7有效
发明人：陈栋;赖志明;陈锦辉;张黎 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2010-01-01 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片封装凸块结构，所述凸块结构包括芯片本体(1)、芯片电极(2)、芯片表面保护层(3)、种子层(4)、化学镀层(5)、过渡层(6)和焊球(7)，所述芯片电极(2)嵌置于芯片本体(1)上，芯片表面保护层(3)复合在芯片本体(1)表面及芯片电极(2)外周边的表面，而芯片电极(2)表面的部分区域则露出芯片表面保护层(3)，种子层(4)复合在所述芯片电极(2)表面露出芯片表面保护层(3)的区域及与芯片电极(2)表面露出芯片表面保护层(3)的接合位置处的芯片表面保护层(3)的表面，化学镀层(5)复合在种子层(4)的表面，过渡层(6)复合在化学镀层(5)的表面。本实用新型提出的芯片封装凸块结构提供了具有封装设计灵活性、高可靠性的新型芯片封装凸块结构。
芯片封装结构

[发明专利]芯片封装凸块结构及其实现方法-CN201010003026.3无效
发明人：陈栋;赖志明;陈锦辉;张黎 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2010-01-01 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片封装凸块结构及其实现方法，所述凸块结构包括芯片本体(1)、芯片电极(2)、芯片表面保护层(3)、种子层(4)、化学镀层(5)、过渡层(6)和焊球(7)，所述芯片电极(2)嵌置于芯片本体(1)上，芯片表面保护层(3)复合在芯片本体(1)表面及芯片电极(2)外周边的表面，而芯片电极(2)表面的部分区域则露出芯片表面保护层(3)，种子层(4)复合在芯片电极(2)表面露出芯片表面保护层(3)的区域及与芯片电极(2)表面露出芯片表面保护层(3)的接合位置处的芯片表面保护层(3)表面，化学镀层(5)复合在种子层(4)的表面，过渡层(6)复合在化学镀层(5)的表面。本发明芯片封装凸块结构具有封装设计灵活性和高可靠性的特点；其实现方法具有工艺简单、低成本的特点。
芯片封装结构及其实现方法

[发明专利]柔性凸垫芯片封装凸块结构-CN200910027622.2无效
发明人：陈栋;张黎;赖志明;陈锦辉;曹凯 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性凸垫芯片封装凸块结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(1)、芯片电极(2)、芯片表面保护层(3)、柔性凸垫(4)、过渡层(5)以及焊球(6)。所述芯片电极(2)嵌置于芯片本体(1)上，芯片表面保护层(3)复合在芯片本体(1)表面以及芯片电极(2)表面外周边，而芯片电极(2)表面的中间部分露出芯片表面保护层(3)，所述柔性凸垫(4)设置于所述芯片电极(2)表面的中间部分以及与所述芯片电极(2)表面的中间部分接合位置处的芯片表面保护层(3)表面，所述过渡层(5)复合于柔性凸垫(4)上，所述焊球(6)向上凸出设置于过渡层(5)上。本发明柔性凸垫芯片封装凸块结构在不影响电性能的前提下，对所受应力起到吸收和缓和作用。
柔性芯片封装结构

[实用新型]柔性凸垫芯片封装凸块结构-CN200920045309.7有效
发明人：陈栋;张黎;赖志明;陈锦辉;曹凯 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种柔性凸垫芯片封装凸块结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(1)、芯片电极(2)、芯片表面保护层(3)、柔性凸垫(4)、过渡层(5)以及焊球(6)。所述芯片电极(2)嵌置于芯片本体(1)上，芯片表面保护层(3)复合在芯片本体(1)表面以及芯片电极(2)表面外周边，而芯片电极(2)表面的中间部分露出芯片表面保护层(3)，所述柔性凸垫(4)设置于所述芯片电极(2)表面的中间部分以及与所述芯片电极(2)表面的中间部分接合位置处的芯片表面保护层(3)表面，所述过渡层(5)复合于柔性凸垫(4)上，所述焊球(6)向上凸出设置于过渡层(5)上。本实用新型柔性凸垫芯片封装凸块结构在不影响电性能的前提下，对所受应力起到吸收和缓和作用。
柔性芯片封装结构

[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及DRAM-CN202211457930.0在审
发明人：郭帅 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及DRAM，该方法包括：提供基底并在基底上形成第一电极层，基底包括芯片区域以及非芯片区域，非芯片区域位于芯片区域的一侧，第一电极层覆盖芯片区域的部分表面以及非芯片区域的表面，仅覆盖非芯片区域的第一电极层为第一底部电极，仅覆盖芯片区域的第一电极层为多个间隔的电极部；在多个电极部远离基底的表面上形成电极柱，电极柱以及电极部构成第二底部电极；在预定表面上依次叠置介电结构以及第二电极层，其中，预定表面为第二底部电极的裸露表面以及第一底部电极的裸露表面，仅与第一底部电极接触的介电结构形成第一介电层。
半导体器件制作方法以及 dram

[实用新型]沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构-CN201120033892.7有效
发明人：陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，所述结构包括芯片本体（1-1），所述芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体正面和背面贯穿有芯片沟槽（1-2），在芯片源电极表面、芯片栅电极表面、芯片表面保护层（3）表面和芯片沟槽（1-2）内设置有线路层（4），在线路层表面设置有线路表面保护层（5），在芯片本体（1-1）正面的线路层（4）表面设置有焊球（6），在芯片本体（1-1）的背面（1-3）设置有背面金属层（7），且背面金属层（7）与线路层（4）互联。
沟槽互联型圆片级 mosfet 封装结构

[发明专利]基于陶瓷基板的发光器件及其制造方法-CN201110406771.7有效
发明人：周玉刚;姜志荣;赖燃兴;黄智聪;陈海英;曾照明;肖国伟 -专利权人：晶科电子(广州)有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于陶瓷基板的发光器件及其制造方法，发光器件包括至少一LED芯片和承载所述LED芯片的陶瓷基板，所述LED芯片下表面设有至少一芯片第一电极和芯片第二电极，所述芯片第一电极呈点阵状离散地分布在所述芯片第二电极之间，所述陶瓷基板上表面设有基板第一电极和基板第二电极，所述基板第一电极包括第一基座和至少一第一叉指，上表面与至少一所述芯片第一电极电连接；所述基板第二电极包括第二基座和至少一第二叉指，上表面与所述芯片第二电极电连接本发明所述的发光器件降低了对LED芯片的工艺要求，使LED芯片上的离散的电极可以分布更加密集，提高了电流分布的均匀性从而提高了发光效率。
基于陶瓷发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510095088.4有效
发明人：筑山慧至;向田秀子;栗田洋一郎 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括：第一半导体芯片，包括具第一、二表面的第一芯片主体、在第一芯片主体第一表面的第一电极、露出第一电极且覆盖第一芯片主体第一表面的第一无机保护膜、及在第一电极上的第一凸块电极；第二半导体芯片，包括具第一、二表面的第二芯片主体、在第二芯片主体第一表面的第二电极、露出第二电极且覆盖第二芯片主体第一表面的第二无机保护膜、露出第二电极且覆盖第二无机保护膜的有机保护膜、贯通第二芯片主体且与第二电极电连接的第一贯通电极、及在第二芯片主体第二表面侧且与第一贯通电极电连接的第三凸块电极；第一树脂层，在第一、二半导体芯片间且与第一无机保护膜接触；模具树脂层，覆盖第一、二半导体芯片及第一树脂层。
半导体装置

[发明专利]沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法-CN201110033783.X有效
发明人：陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，所述结构包括芯片本体（1-1），所述芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体正面和背面贯穿有芯片沟槽（1-2），在芯片源电极表面、芯片栅电极表面、芯片表面保护层（3）表面和芯片沟槽（1-2）内设置有线路层（4），在线路层表面设置有线路表面保护层（5），在芯片本体（1-1）正面的线路层（4）表面设置有焊球（6），在芯片本体（1-1）的背面（1-3）设置有背面金属层（7），且背面金属层（7）与线路层（4）互联。
沟槽互联型圆片级 mosfet 封装结构实现方法

[发明专利]后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法-CN201110033785.9有效
发明人：陈栋;胡正勋;张黎;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层和芯片表面保护层表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层表面设置有焊球（7）；在芯片本体正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2）；在所述芯片本体背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔的线路层与芯片通孔侧壁直接接触、以及与正面线路层形成互联。
后通孔互联型圆片级 mosfet 封装结构实现方法

[实用新型]后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构-CN201120033895.0有效
发明人：陈栋;胡正勋;张黎;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层和芯片表面保护层表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层表面设置有焊球（7）；在芯片本体正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2）；在所述芯片本体背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔的线路层与芯片通孔侧壁直接接触、以及与正面线路层形成互联。
后通孔互联型圆片级 mosfet 封装结构

[发明专利]简化结构的三色芯片及其制备方法-CN202210539324.7在审
发明人：张威;赵世彬;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本公开提供了简化结构的三色芯片及其制备方法，属于芯片制作技术领域。支撑基板设置四个贯穿第一表面与第二表面的四个通孔，支撑基板上连通的第一表面电极与第二表面电极可以保证得到的三色芯片的稳定使用，简化三色芯片的结构与所需占用的体积。第一表面电极与第二表面电极同时进行制备，缩短三色芯片的制备周期。第一表面电极与第二表面电极的分布，绝缘层覆盖芯片组及第一表面。则可以保证芯片组与电极走线之间的稳定连接并配合绝缘层避免三种芯片之间的短路，缩减三色芯片所需的高度的同时也可以保证三色芯片可以进行同时发光或者各个颜色的芯片单独发光。整体能够缩小三色芯片的体积的同时降低三色芯片的制备周期。
简化结构三色芯片及其制备方法

[发明专利]三维半导体封装,以及用于其中的间隔芯片-CN200510007015.1无效
发明人：福造幸雄 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在三维半导体封装中，逻辑电路芯片(36；60；90；118；144；172；178B)具有在其上表面上形成的多个上电极引脚，并且间隔芯片(44；70；98；126；152；180A；180B)贴装逻辑电路芯片上间隔芯片具有形成在其下表面上的多个下电极引脚，和形成在其上表面上并且电气连接到其各下电极引脚的多个上电极引脚。进行在逻辑电路芯片上贴装间隔芯片，从而使间隔芯片的下电极引脚结合到逻辑电路芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。存储芯片(42；68；96；124；150A；178A；178C)贴装在间隔芯片上，并且具有形成在其表面上的多个电极引脚。进行在间隔芯片上贴装存储芯片，从而使存储芯片的电极引脚结合到间隔芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。
三维半导体封装以及用于中的间隔芯片

[发明专利]Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板-CN202010762125.3有效
发明人：陈明辉;曲爽 -专利权人：华为机器有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请提供Micro‑LED芯片及其制作方法，以及包括该Micro‑LED芯片显示面板及显示终端。该Micro‑LED芯片包括外延层、N电极、P电极及连接电极。连接电极凸起于P电极背离外延层的一面，连接电极的表面能与P电极的表面能大小不同。制作显示面板时，驱动电路与连接电极进行连接，由于本申请的连接电极的表面能与P电极的表面能不同，因而将Micro‑LED芯片从衬底上剥离时，用于固定Micro‑LED芯片及衬底的透明胶材在连接电极上不残留或者残留于透明胶材的量少于在P电极上残留的量，能够保证在不损坏Micro‑LED芯片的前提下，保证Micro‑LED芯片与驱动电路的有效连接。
micro led 芯片及其制作方法显示面板

[发明专利]芯片邦定方法和芯片邦定结构-CN202110688675.X在审
发明人：田军;廖文;吕启涛;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请实施例属于激光技术领域，应用于芯片制造领域中，涉及一种芯片邦定方法，包括：准备基板和至少一个表面附有金属膜的芯片，并将基板和芯片进行组合；将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备；根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图进行激光蚀刻以去除芯片表面多余的金属膜使得基板与芯片的电极相互导通。本申请实施例的芯片邦定方法，具有经济高效、科学环保、封装体积小的优点。
芯片方法结构

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