专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]介质碳电极材料及其制备方法-CN201210353300.9无效
  • 余丽丽;赵景泰;陈昊鸿;杨昕昕 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2012-09-20 - 2013-05-08 - C01B31/02
  • 本发明提供一种介孔碳电极材料,所述介孔碳电极材料的介孔率不低于80%,且具有由10-20nm的介孔和3-6nm的孔壁构成的纳米空心球孔结构。本发明还提供一种介孔碳电极材料制备方法,所述电极材料通过非模板凝胶一步还原法制备得到,具有空心球结构:内径10-20nm,壁厚为3-6nm;所述方法制备所得电极材料具有介孔率高(>80%),比表面积较大该碳电极电化学电容器能量密度和功率密度均较高,综合性能理想。与模板法相比,所述电极材料制备工艺简单、环保,原材料廉价易得,成本低,适于产业化。
  • 介质电极材料及其制备方法
  • [发明专利]一种IPMC材料电极制备装置及其制备方法-CN202011079130.0在审
  • 赵跃鹏;王帆;税鸿棋;蒋嘉航 - 浙江理工大学
  • 2020-10-10 - 2021-02-23 - B29C45/14
  • 本发明涉及一种电极制备装置和制备方法。目的是提出一种用于IPMC材料电极制备装置及其方法;该装置与方法可大大简化IPMC材料电极制备过程,并使得具有亲水性质的基体交换膜不被溶解在电极里面也可实现两侧电极的附加,更好地实现了IPMC材料制备技术方案是:一种IPMC材料电极制备装置,包括:一个根据IPMC材料尺寸设置的模具,所述模具顶部设置有若干个长方体凹槽,凹槽长度方向的一侧贯通模具,凹槽长度方向的另一侧封闭;所述模具中,每个凹槽贯通模具的一侧下方对应设置有一个插孔,插孔的轴线与凹槽的长度方向平行;该电极制备装置还包括与插孔数量相同的密封插件。
  • 一种ipmc材料电极制备装置及其方法
  • [发明专利]一种电池电极制备方法-CN200610167331.X有效
  • 沈晞;韩磊;王赟 - 上海比亚迪有限公司
  • 2006-12-27 - 2008-07-02 - C25D13/18
  • 一种电池电极制备方法包括将电极材料负载在电极集流体上,其中,将电极材料负载在电极集流体上的方法包括将电极集流体放在含有电极材料的悬浮液中,电极集流体与直流电源的一极相连,直流电源的另一极与惰性电极相连,该惰性电极放在所述悬浮液中,接通直流电源,将电极材料电泳沉积在电极集流体上。本发明提供的电池电极制备方法将电极材料电泳沉积在电极集流体上,可以提高电池的比容量和循环性能。
  • 一种电池电极制备方法
  • [发明专利]一种快速表征相变材料及介质层的方法-CN200910200962.0有效
  • 宋志棠;吕士龙 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2009-12-25 - 2010-07-14 - G01R31/00
  • 本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法,包括如下步骤:清洗硅片;在所述硅片上制备底层介质层;在所述底层介质层上制备底层电极;在底层电极制备电介质层;在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔,使其下方的底层电极通过通孔露出;在所述通孔内制备相变材料,相变材料与所述底层电极接触;在所述相变材料制备顶层接触电极;在所得结构表面制备顶层绝热保护层;采用三维控制器将纳米机械探针快速定位,使其与顶层接触电极接触,从而完成材料电学性能的测试表征。本发明的测试方法工艺步骤简单,利用三维控制器精确操纵纳米机械探针快速定位于单元结构上部,从而可完成相变材料及介质层电性能的快速测试。
  • 一种快速表征相变材料介质方法
  • [发明专利]柔性类CMOS反相器及其制备方法-CN202110448428.2在审
  • 江潮;彭朝晗;蔡小勇 - 国家纳米科学中心
  • 2021-04-25 - 2021-07-30 - H01L27/28
  • 本发明提供一种柔性类CMOS反相器及其制备方法,该方法包括:提供柔性基底;在所述柔性基底上形成保护层;在所述保护层上制备电极;在所述保护层和所述栅电极上沉积介电层;在所述介电层上形成第一沟道层,所述第一沟道层的材料为无机材料;在所述第一沟道层上制备电极和漏电极;在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上形成第二沟道层,所述第二沟道层的材料为有机材料;其中,所述栅电极、所述介电层、所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极通过光刻进行图案化本发明在柔性基底上结合有机与无机材料制备柔性类CMOS反相器。
  • 柔性cmos反相器及其制备方法

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