专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于气囊点火器的连接器组件-CN200580050035.5有效
  • 文森特·雷格尼尔 - FCI公司
  • 2005-06-08 - 2008-06-04 - H01R13/52
  • 本发明涉及一种用于气囊点火器的连接器组件(1)。该连接器组件包括:a)插座构件(2),其具有配合孔(4)、具有锁定槽(9)的内侧壁部(7)和底壁部(8),该底壁部具有至少一个从其延伸的针触头(11);以及b)构件(3),该构件适于通过插入配合孔(4)中而与插座构件(2)配合,并包括本体(3a)和头(3b),该头包括:(i)至少一个插座触头孔(13),其用于接收与相应的针触头(11)相对应的插座触头(12);以及(ii)弹性锁定装置,其适于接合在锁定槽(9)中并将构件锁定在插座构件中,其中,构件(3)包括围绕头(3b)且位于本体(3a)下方的环形垫圈密封件(25),以在插座构件(2)与构件(3)配合时密封它们之间的间隙
  • 用于气囊点火器连接器组件
  • [发明专利]薄断面大电流电力连接器-CN200810095165.6有效
  • 乔治·R·德菲鲍;南希·L·里泽;小乔治·I·彼得斯;唐纳德·E·伍德;迈克尔·A·布兰奇菲尔德 - 蒂科电子公司
  • 2008-02-26 - 2008-09-03 - H01R13/00
  • 薄断面大电流电力连接器组件包括连接器(10)和插座连接器(15)。连接器包括具有尾部(30)和罩部(35)的塞外壳(11)以及至少一个电力触头(20)。插座连接器包括具有插座尾部(40)和插座罩部(45)的插座外壳(16)以及至少一个插座电力触头(21)。连接器和插座连接器布置成通过将插座罩部插入罩部来相互接合,从而在电力触头和插座电力触头之间建立连接。塞外壳包括位于罩部中的至少一个冷却槽(50),而且,插座外壳包括位于插座罩部中的至少一个冷却槽(50),其与罩部中的至少一个冷却槽对准,从而当连接器和插座连接器接合时,增强流过罩部和插座罩部的冷却气流
  • 断面电流电力连接器
  • [发明专利]连接装置-CN201710062529.X有效
  • 鲁道夫·恩格尔 - 迈恩德电子有限公司
  • 2017-01-23 - 2020-09-29 - H01R12/75
  • 本发明涉及一种连接装置,包括壳体(1)和电路板(2),其中,壳体(1)与电路板(2)通过接合缝(3)连接。壳体(1)设计成热传导的并且具有开口(1.1)。电路板具有电子组件(2.2)、至少一个触点(2.1)和至少一个接合面(2.3)。连接装置如此地设计,即壳体(1)包围电路板(2)并且接合缝(3)布置在接合面(2.3)和壳体(1)之间,其中,接合缝(3)形成在连接装置的外侧(o)处,从而使开口(1.1)至少部分地通过接合缝
  • 电插塞式连接装置
  • [发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202210699856.7在审
  • 简荣兴 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-06-20 - 2023-05-05 - H01L23/48
  • 本公开提供一种具有堆叠导电的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构更包括设置在该第一介质层中的一第一导电。该第一导电的一上部延伸到该第二介质层中。该半导体元件结构更包括设置在该第二介质层中并覆盖该第一导电该上部的一顶部表面和一侧壁的一硅化物层,以及设置在该第二介质层中并直接设置在该第一导电和该硅化物层上的一第二导电
  • 半导体元件结构及其制备方法
  • [发明专利]嵌入存储元件及其制造方法-CN201310350033.4有效
  • 廖修汉;庄哲辅 - 华邦电子股份有限公司
  • 2013-08-12 - 2018-02-16 - H01L27/11521
  • 本发明公开了一种嵌入存储组件及其制造方法,该嵌入存储组件包括栅极结构位于衬底的晶胞区上。源极区与漏极区分别位于晶胞区的栅极结构的两侧的衬底中。第一接触窗位于衬底上,与源极区接触。第二接触窗位于衬底上,与漏极区接触。第一接触窗的顶面高度低于第二接触窗的顶面高度。介层在第一接触窗以及第二接触窗周围,且介层中具有凹陷,裸露出第一接触窗。填充层位于凹陷中。导体层位于衬底上,导体层与第二接触窗接触,且导体层通过填充层与第一接触窗性隔绝。利用移除位于源极区上的部分接触窗,于形成的凹陷中回填填充层隔绝,可以省去形成介层窗的步骤,且可免除介层窗与接触窗叠对的问题。
  • 嵌入式存储元件及其制造方法
  • [实用新型]一种热流道感温线组件-CN202020224955.6有效
  • 安凌;王华林 - 马斯特模具(昆山)有限公司
  • 2020-02-28 - 2020-11-10 - B29C45/27
  • 本实用新型涉及热流道设备技术领域,公开了一种热流道感温线组件,包括感温线、导线、保险丝插座和保险丝;导线的一端连接于感温线的接线端,另一端用于连接热流道温控装置;保险丝插座串接于导线上,保险丝插座上开设有保险丝插槽;保险丝可拆卸地装于保险丝插槽内,以使保险丝与导线串接。本实用新型的热流道感温线组件在导线处串接保险丝插座,保险丝插座内插装有保险丝,因此能够避免因误接而导致感温线烧断的问题,有效保护感温线的装配安全,且结构简单,保险丝损坏后可直接拆下保险丝进行更换
  • 一种热流道感温线组件
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111392096.7在审
  • 苏博;赵振阳;纪世良 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-11-23 - 2023-05-23 - H01L27/088
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:在鳍部之间的掩埋电源轨顶部形成阻挡层,阻挡层与两侧的鳍部相间隔;在衬底上形成隔离层,隔离层覆盖鳍部的部分侧壁,且还覆盖掩埋电源轨的顶部;在隔离层的顶部形成横跨鳍部的栅极结构,栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁;在栅极结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层;在第一器件单元区的源漏掺杂层的顶部形成第一互连,第一互连与源漏掺杂层连接;在第二器件单元区的源漏掺杂层的顶部形成第二互连,第二互连还从源漏掺杂层的侧部向下延伸至掩埋电源轨的顶部,第二互连与源漏掺杂层以及掩埋电源轨连接。阻挡层降低了第一互连与第二互连之间发生短路的概率。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]可变电阻存储器结构及其制作方法-CN202111287182.1在审
  • 林奕佑;许博凯;邱崇益 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-11-02 - 2023-05-09 - H10N70/20
  • 本发明公开一种可变电阻存储器结构及其制作方法,其中该可变电阻存储器结构包含一基底,一晶体管设置在基底上,其中晶体管包含一栅极结构、一源极和一漏极,一漏极接触漏极,一金属层间介层位于漏极的上方,一可变电阻存储器位于漏极上并且位于金属层间介层内的一第一沟槽中,其中可变电阻存储器包含漏极、一金属氧化层和一上电极,漏极作为可变电阻存储器的下电极,金属氧化层接触漏极,上电极接触金属氧化层以及一金属层设置于第一沟槽中
  • 可变电阻存储器结构及其制作方法

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