专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1813726个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种低阻抗与感抗非固体电解质组合钽电容-CN201520549806.6有效
  • 张大义;张蕾;李杰;邰丰;王志华 - 长春维鸿东光电子器材有限公司
  • 2015-07-28 - 2015-11-18 - H01G9/10
  • 本实用新型公开了一种低阻抗与感抗非固体电解质组合钽电容,以解决采用当前组合钽电容的焊接时,产生较大阻抗和感抗,导致输出电流下降等问题。本实用新型由壳体、盖板、正极引出电极、平垫、绝缘垫、螺母、组合电容、负极引出电极和紧固螺钉组成;n个单体电容的正极引线均分别与组合钽电容的正极引线端子焊接,n个单体电容的负极引线均分别与组合钽电容的负极引线端子焊接,组合钽电容的正极引线端子与正极引出电极焊接,组合钽电容的负极引线端子与负极引出电极焊接。本实用新型可有效减小组合钽电容的阻抗和感抗,提高电容的放电速度,瞬间释放出更大的电流,在电子元器件生产制造技术领域具有广泛的应用前景。
  • 一种阻抗感抗固体电解质组合钽电容
  • [发明专利]固体电解电容及其制造方法-CN200580039567.9有效
  • 齐田义弘;小沼博 - 昭和电工株式会社
  • 2005-11-18 - 2007-10-31 - H01G9/028
  • 本发明涉及制造固体电解电容的方法,其中通过包括下列步骤的方法提供固体电解质层:将其上具有介电膜层的起阀作用的金属浸入含单体的溶液中、然后干燥的步骤(步骤1),将所述起阀作用的金属浸入含氧化剂的溶液中、然后干燥的步骤(步骤2),和将所述起阀作用的金属浸入不含氧化剂的溶液中、然后干燥的步骤(步骤3);还涉及由此制成的固体电解电容。根据本发明,可以稳定地制造具有减少的短路故障和较低的元件形状波动的薄电容元件,可以提高堆叠在固体电解电容芯片中的电容元件的数以实现高的电容,并可以提供具有较低等效串联电阻波动的适用于固体20电解多层电容的固体电解电容元件
  • 固体电解电容器及其制造方法
  • [发明专利]一种金属化薄膜电容制造方法-CN201410131110.1在审
  • 陈重生 - 扬州日精电子有限公司
  • 2014-04-01 - 2015-01-28 - H01G4/33
  • 本发明涉及一种金属化薄膜电容制造方法,包括以下步骤,素子卷绕:将金属化薄膜的素子进行卷绕;热压:对进行卷绕后的金属化薄膜的素子进行热压定型;包裹:用胶带将热压定型后的素子包裹起来,形成金属化薄膜电容;金属喷镀:在金属化薄膜电容的两个端面喷镀金属;热力老化:将经过金属喷镀后的金属化薄膜电容进行热处理;外包封:将经过热处理后的金属化薄膜电容进行浸渍或插入外壳,形成金属化薄膜电容成品。本发明在两端面喷镀金属形成以后,通过设置热力老化工序,减低噪音,制造出优良特性的电容;通过到元件中心部为止的热力老化,大幅度改善锡焊耐热性以及其后的可靠性,这种方法小型大型电容都适用,效果明显。
  • 一种金属化薄膜电容器制造方法
  • [发明专利]固体电解质电容及其制造方法-CN201210016459.1无效
  • 金在光;郑俊锡;宋长燮 - 三星电机株式会社
  • 2012-01-18 - 2012-07-25 - H01G9/15
  • 本发明提供了一种固体电解质电容及其制造方法,其中,抗氧化涂层被构造为包覆位于电容元件之下的端增强材料的表面,从而防止在高温腔室内制造电容时,端增强材料的表面被氧化。该固体电解质电容包括:电容元件,其内部具有正极性并且一端插入有阳极线;阴极引出层,其一侧形成在电容元件的外表面一侧上;一对端增强材料,被构造为与电容元件底部的两侧耦接;抗氧化涂层,被构造为包覆成对的端增强材料的表面;模制部分,被构造为包覆电容元件的外围,而使阳极线的另一端、阴极引出层的另一侧和成对的端增强材料的下表面露出;以及阳极端和阴极端,通过电镀层而形成在模制部分的两侧和端增强材料的下表面上。
  • 固体电解质电容器及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610087663.7有效
  • 李培瑛 - 南亚科技股份有限公司
  • 2006-05-31 - 2006-12-06 - H01L21/82
  • 一种半导体器件的制造方法。首先,提供一衬底,其中衬底包括多个设置于其中的深沟槽电容,且深沟槽电容的上部部分超出衬底表面。其后,在深沟槽电容的上部部分的侧壁形成间隙壁,暴露一为深沟槽电容所围绕的预定区。接着,以深沟槽电容的上部部分和间隙壁为掩模,蚀刻预定区,以形成一凹陷区。接着,形成一镶嵌式栅极于凹陷区中。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]存储器件及其制造方法-CN201010157573.7有效
  • 梁擎擎;钟汇才 - 中国科学院微电子研究所
  • 2010-04-21 - 2011-11-09 - H01L27/108
  • 本发明公开了一种存储器件及其制造方法,所述存储器件包括在半导体层中形成的MOSFET,以及位于MOSFET下方的电容结构,所述电容结构包括两个电容电极,所述MOSFET的源区和漏区之一与所述两个电容电极之一电连接,其中,所述电容结构包括交替堆叠的多个第一叠层电容和多个第二叠层电容,所述多个第一叠层电容和所述多个第二叠层电容各自包括上极板、下极板和夹在二者之间的电介质层,所述多个第一叠层电容和所述多个第二叠层电容通过所述两个电容电极并联连接,并且所述多个第一叠层电容中的每一个的下极板与位于其下方的第二叠层电容的上极板由公共的第一电极层形成,所述多个第二叠层电容中的每一个的下极板与位于其下方的第一叠层电容的上极板由公共的第二电极层形成
  • 存储器件及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top