专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图象显示设备及其控制方法-CN00131377.0无效
  • 大塚浩 - 三菱电机株式会社
  • 2000-08-17 - 2001-04-11 - G06F3/153
  • 在图象显示设备中,根据省电模式下先前被测功耗、施加电压及其施加时间之间的关系以及解除省电模式后屏幕的上述时间计算加热施加电压和该加热施加电压施加时间,以便实现每种模式所需的功耗及上述时间。在计算结果的基础上,控制被切换电压的占空比或加热施加电压施加时间。与此同时,一旦解除了省电模式,就只在所计算的时间间隔内施加比正常显示模式下的加热施加电压高的电压
  • 图象显示设备及其控制方法
  • [发明专利]电压监控电路、电压施加电路-CN201510187416.3有效
  • 胡剑;杨光军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2015-04-17 - 2018-11-09 - H03K17/687
  • 本发明的电压监控电路、电压施加电压,包括控制电路和监测电路:控制电路的输出端连接第一控制信号和第二控制信号,用于控制监测电路的开关;监测电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管源极连接第二NMOS晶体管的漏极,栅极连接第一控制信号;第二NMOS晶体管的源极连接第一PMOS晶体管的源极,栅极连接第一控制信号;第一PMOS晶体管的漏极连接第二节点,栅极连接第二控制信号;其中,将要监控的电压连至第二节点,根据第一节点输出电压监控第二节点的电压,或第一节点将要施加电压输出到第二节点。本发明中,控制电路控制监测电路导通,监测电路根据第一节点的电压实现对第二节点的电压进行监控或施加
  • 电压监控电路施加
  • [发明专利]半导体存储器件、具有其的存储系统及其操作方法-CN201510050410.1有效
  • 安致昱;李珉圭 - 爱思开海力士有限公司
  • 2015-01-30 - 2020-09-22 - G11C16/34
  • 本发明的一个实施例可以提供一种半导体存储器件,其包括:存储单元阵列,存储单元阵列包括多个存储单元;外围电路单元,其被配置成针对选自多个存储单元的存储单元执行编程操作,其中,第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行;以及控制逻辑,其被配置成控制外围电路单元来执行第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作,并且将在第二编程电压施加操作期间施加的第二编程电压增加比在第一编程电压施加操作期间施加的第一编程电压大第一步进电压,以及将在第三编程电压施加操作期间施加的第三编程电压增加比第二编程电压大第二步进电压
  • 半导体存储器件具有存储系统及其操作方法
  • [发明专利]操作记忆体的方法-CN202310056800.4在审
  • 安隼立;吴政宪;李亨元;鲍新宇 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-06-02 - G11C11/16
  • 一种操作记忆体的方法包括:跨记忆体单元施加第一电压脉冲,其中记忆体单元包含选择,其中第一电压脉冲将选择切换至导通状态;在施加第一电压脉冲之后,跨记忆体单元施加第二电压脉冲,其中在施加第二电压脉冲之前,选择器具有第一电压临界,其中在施加第二电压脉冲之后,选择器具有小于第一电压临界的第二电压临界;以及在施加第二电压脉冲之后,向记忆体单元施加第三电压脉冲,其中第三电压脉冲将选择切换为导通状态;其中选择在第一电压脉冲与第三电压脉冲之间持续保持关闭状态
  • 操作记忆体方法
  • [发明专利]存储装置及其操作方法-CN202210354253.3在审
  • 文映朝;郭东勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-04-06 - 2023-03-03 - G11C16/34
  • 本申请涉及存储装置及其操作方法。一种存储装置包括存储单元和编程操作执行,该编程操作执行被配置为执行验证操作和编程电压施加操作,其中,验证操作使用第一验证电压、高于第一验证电压的第二验证电压和高于第二验证电压的第三验证电压来验证存储单元的阈值电压是否已达到对应于目标编程状态的阈值电压,并且编程电压施加操作将编程电压施加到字线。存储装置还包括编程操作控制,该编程操作控制被配置为控制编程操作执行以使得:在编程电压施加操作期间,在预充电电压施加到第一位线之前,预充电电压首先被施加到联接到第二存储单元的第二位线。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]存储装置及其操作方法-CN202210533576.9在审
  • 郑赞熙;郭东勋;朴世泉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-05-17 - 2023-04-11 - G11C16/08
  • 本申请涉及存储装置及其操作方法。本公开涉及一种电子装置。一种存储装置包括:多个存储单元,其联接到多条字线;电压发生,其生成要施加到多条字线的编程相关电压;地址解码,其将编程相关电压传送到多条字线;以及操作控制,其控制电压发生和地址解码,以将编程电压施加到多条字线中的被选字线,将第二通过电压施加到邻近被选字线的相邻字线,将第一通过电压施加到除了被选字线和相邻字线之外的其余字线,并且在第一时段期间将接地电压施加到被选字线并且将第一通过电压施加到相邻字线。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]压缩机以及压缩机的控制方法-CN202180089216.8在审
  • 镰田智也;尾沼重德;可儿幸宗 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2021-08-26 - 2023-09-22 - C01B3/56
  • 压缩机具备:包括电解质膜、设置于电解质膜的一方的主面的阳极以及设置于电解质膜的另一方的主面的阴极的至少一个单元;设置在阳极上的金属制阳极隔板;设置在阴极上的阴极隔板;对阳极与阴极之间施加电压电压施加;以及控制。压缩机通过电压施加施加所述电压,从而使从供给至阳极的阳极流体取出了的质子移动至所述阴极,生成压缩氢。控制电压施加施加电压进行控制,以使得在每单位单元所施加电压小于金属制阳极隔板的腐蚀电位。
  • 压缩机以及控制方法
  • [发明专利]X射线分析装置以及异常检测方法-CN201811221495.5有效
  • 丸井隆雄 - 株式会社岛津制作所
  • 2018-10-19 - 2022-02-25 - G01N23/00
  • 本发明提供一种能够防止高到所需程度以上的电压施加至检测的X射线分析装置以及异常检测方法。本发明的X射线分析装置(1)具备多个检测(检测单元(3))、电压施加部(电路(4))及异常检测处理部(61)。多个检测检测X射线。电压施加部对多个检测施加电压。异常检测处理部(61)在从试样产生的X射线未被多个检测检测出的状态下使从电压施加施加至多个检测电压逐渐上升,并将这时的基于来自多个检测的检测信号的测定值与阈值进行比较,由此检测异常。
  • 射线分析装置以及异常检测方法
  • [发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置-CN201710796443.X有效
  • 李燕梅;蓝学新;伍黄尧 - 厦门天马微电子有限公司
  • 2017-09-06 - 2020-08-25 - G06F3/041
  • 本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,其中,阵列基板包括衬底基板、多个半导体压力传感和偏置电压施加电路;偏置电压施加电路分别通过第一电源信号线和第二电源信号线与半导体压力传感的第一电源信号输入端和第二电源信号输入端电连接,向半导体压力传感施加偏置电压;靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感的离子掺杂剂量大于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感的离子掺杂剂量,保证靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感的电阻值小于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感的电阻值,保证距离偏置电压施加电路不同位置的半导体压力传感得到的电压相同或者相近,提升半导体压力传感压力检测灵敏度。
  • 一种阵列显示面板显示装置

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